维安单向骤回特性TVS具有通流能力强，钳位电压低的特性，对充电端口内部元器件起保护作用
瞬态电压抑制器(TVS)被广泛应用于各类电子产品中，相较于数据端口低频次的静电事件，在智能手机快充极大普及和充电应用场景多样化的今天，VBUS及VBAT端口在电源插拔的过程中不断受到浪涌电流的冲击，元器件失效案例不断增多。EOS防护TVS需求大幅增长，指标要求逐渐提高，要求TVS迅速将击穿方向和正向导通方向的的大浪涌旁路到地的同时为后级提供低钳位电压，保证主控IC不受损伤，这就要求TVS不断地进行技术革新。
WAYON首创的单向骤回特性TVS产品具有通流能力强，钳位电压低的特性，对充电端口内部元器件有很好的保护作用。VBUS端口工作电压12V到30V不等，VBAT端的输出工作电压一般为4.35V~4.85V，不同的电池模块方案及其不同的测试应力条件下，需要提供能适应各种电源电压，以及配合OVP保护方案的TVS产品。而电池供电的音频、射频等PA耐受过电压能力较低，还需要TVS在电池输出过电压时有近似理想二极管的钳位电压。
WS**P4N*及WS4.5DP*系列产品充分利用纵向NPN结构穿通击穿状态通流大、钳位电压低的特点与突变PN结正向导通钳位电压低的优势相结合，构成单向负阻结构，既能提升正向浪涌时击穿方向防护能力，又能兼顾负向浪涌。产品芯片工艺中，通过大束流注入、超高温退火、深槽隔离、精细研磨至薄片、薄片背面高能注入、快速退火及特殊的降低接触势垒的金属化工艺，逐步优化芯片设计提高单位面积的通流能力。另一方面，在电子产品小型化的趋势下，应用新型封装技术增大芯片在封装体的占比，不断将产品小型化，在性能满足客户指标要求的情况下，将2.0mm*2.0mm外形缩小到1.6mm*1.6mm，将1.6mm*1.0mm外形缩小到1.0mm*0.6mm，以适应高集成度、小巧便携产品的需求。
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