积极布局光伏市场，爱仕特科技SiC功率器件助力光伏逆变器企业提高转换效率、降低系统损耗

派恩杰携SiC功率器件、芯片设计路线以及1700V高压器件应用方案亮相2024上海SNEC光伏展

6月13日-6月15日，SNEC第十七届（2024）国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会于上海国家会展中心举办。本次展会，碳化硅功率器件领先品牌派恩杰半导体如约参展，携SiC功率器件、芯片设计路线以及1700V高压器件应用方案与大家在上海见面，为工业应用以及新能源车用方案等提供了一个新的方向。

昕感科技将携SiC器件、SiC功率模块以及电源模组方案亮相2024慕尼黑上海电子展

2024年7月8号-10号，慕尼黑上海电子展将在上海新国际博览中心隆重举行。昕感科技作为大功率器件及模组解决方案IDM厂商，将携SiC器件、SiC功率模块，以及电源模组方案亮相。最新推出的1200V/7mΩ、1200V/13mΩ SiC MOSFET将会现场展出。展位号: E3馆 3166。

扬杰科技2024慕尼黑上海电子展回顾，展示新能源汽车、光伏逆变器、储能逆变器等多元领域的产品解决方案

2024年7月8-10日，为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕，扬杰科技凭借卓越先进的展品、行业应用解决方案、独具一格的展台设计，现场销售人员、FAE、PM、行业经理等进行专业接待交流，吸引大量新老客户来现场进行互相交流探讨，展会现场人流如织，使得扬杰科技成为本次展会一大亮点。

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

瑞之辰：光伏巨头入局碳化硅（SiC）促进产业整合

在当今科技产业的舞台上，碳化硅（SiC）产业呈现出一片蓬勃发展的喜人态势，吸引了众多车企、LED厂商等跨界玩家入局。而部分光伏巨头的加入，让这场没有硝烟的战局愈加激烈。作为主营碳化硅（SiC）功率器件的高科技公司，瑞之辰解读：光伏企业与SiC厂商合作，共同开发原材料和设备，产业整合将成为发展趋势。 光伏与碳化硅（SiC）产业“此消彼长”通威集团、合盛硅业、高测股份、捷佳伟创、迈为股份等主流光伏厂商

【应用】基于T型三电平模块的高效率光伏逆变器解决方案

Vincotech推出了一系列的T型三电平模块，其结构紧凑，将多个分立器件集成到一个模块中，减少了功率器件之间连线的寄生阻抗。

科普 | 碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来

光伏发电是碳化硅器件除电动汽车以外的第二大应用领域。光伏逆变器作为光伏电站的转换设备，主要作用是将太阳电池组件产生的直流电转化为交流电。本文中SMC将为大家分析碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来，希望对各位工程师朋友有所帮助。

【应用】H6.5功率模块助力单相光伏逆变器高效运行，比传统的HERIC少用一颗diode

Vincotech H6.5功率模块相比传统的HERIC少一颗diode，因此效率相对会比HERIC有所提高。选用H6.5拓扑能够抑制共模电流，同时配合不同类型的芯片能够提高产品效率和可靠性。

【技术】为什么单相光伏逆变器中H4桥IGBT功率模块不能用于大功率？

高频电压对寄生电容Cpv高频充放电，从而生产漏电流，严重危害人生安全， 因此H4桥在单相大功率中难以胜任，推荐使用Vincotech的H6.5拓扑IGBT功率模块

爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货，兼具超低导通和超快开关特性

爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户，填补了国内该系列产品研发及应用的空白，引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

冠优电源携多款储能产品亮相SNEC第十七届（2024）国际太阳能光伏与智慧能源（上海）大会暨展览会

您好!诚挚邀请您参与SNEC第十七届（2024)国际太阳能光伏与智慧能源（上海）大会暨展览会，尊敬的客户与同行朋友。热烈欢迎您的到来！您的光临是对我们最大的支持和鼓励。我们期待着与您进行面对面的交流，让我们携手前行，共筑辉煌未来！