Vincotech ﬂow E1/E2 Power Module With IGBT M7 for Higher Power Density up to 50A (PIM) and 100A (sixpack)

时间： 2023-09-13 来源：Vincotech News

代理服务

技术支持

采购服务

FlowPIM & ﬂowPACK E1/E2 power modules with IGBT M7 are available and ready to ship.

Featuring superior thermal performance and the IGBT M7 chip technology, these modules provide customers with enhanced eﬃciency while reducing supply chain issues. Discover the PIM (CIB) and sixpack conﬁgurations with the power range extending up to 50A (PIM) and 100A (sixpack).

Benefits

20 % better thermal performance (Rth(j-s)) than the competition for extended life, more power, and greater reliability
Smaller packages such as the 25A PIM in ﬂow E1 for higher power density
Real multiple sources down to chip level for enhanced supply chain security
Easy assembly with pre-applied phase-change material and Press-ﬁt pins

Features

Key housing features:

12 mm low-inductive standard industrial package
Pre-bent DCB for excellent thermal contact with the heat sink
CTI 600 housing material
Press-fit pins with stress-relive zone
Optional Phase-change material
Key electrical features:
Lowest on-stage voltage Vce(sat)
Optimized dynamic losses
Improved FWD softness
Enhanced dV/dt controllability

Output power losses benchmark

The chart on the left compares output power at the maximum allowed Tj temperature of 150°C at switching frequencies ranging from 2 to 16kHz. The flowPIM E2 1200V/25A module and a competitor’s equivalent module were benchmarked to this end. This bench test revealed that the new flowPIM E2 featuring the IGBT M7 outperforms the competition by delivering up to 15% higher output power.

flow E with IGBT M7 - product range overview

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由洛希转载自Vincotech News，原文标题为:ﬂow E1/E2 WITH IGBT M7 FOR HIGHER POWER DENSITY，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

Vincotech VINcoMNPC X4 Power Module Provides up to 800A and Suitable for Solar and UPS Applications up to 250kW

The VINcoMNPC X4 power module- featuring a mixed neutral-point clamped topology - provides now up to 800A with IGBT M7. The module is suitable for solar and UPS applications up to 250kW.

2023-10-07 - 产品代理服务技术支持采购服务

Vincotech MiniSKiiP® PIM 2 IGBT M7 with Open Emitter that Enable Accurate and Cost-effective Current Measurements

Addressed for motion control applications, MiniSKiiP® PIM 2 IGBT M7 modules provide an open emitter configuration for accurate and cost-effective current measurement in the leg, Thus, it offers industrial clients the flexibility to measure the current either in the leg or in the phase.

2023-09-15 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】1200V/100A七管封装功率IGBT模块，采用英飞凌第四代IGBT芯片技术

flow7PACK 2是Vincotech推出的一款具有优异电磁兼容性能，采用低电感flow 2封装的功率模块。

2017-09-27 - 新产品代理服务技术支持采购服务

不带铜底板IGBT功率模块的散热设计

不带铜底板的IGBT模块已经成为模块封装发展的一个趋势，本文通过大量仿真及实验数据，介绍了Vincotech公司推出的预涂高性能导热硅脂服务对模块散热的改善效果。

2016-04-15 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

只需一颗螺丝钉就能搞定的IGBT模块封装

还使用复杂传统的焊接模式进行模块封装？别再out啦！新型MiniSKiiP封装模块，只需一颗螺丝钉就可完成安装，更能降低安装成本哟~

2016-09-22 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

IGBT规格书一般会给出ICnom、IC、ICRM、It(RMS)这几个电流参数。那这几个参数表示什么意思？

ICnom ：标称连续直流电流，它的含义是，在给定的IGBT壳温和结温条件下，在IGBT最大功耗Ptot所允许的限度内，可连续流向集电极的直流电流的最大值。 IC ：实际连续直流电流，它的含义是，在既定的散热条件下，IGBT模块中的IGBT能够实际通过的连续直流电流。 ICRM：集电极最大可重复峰值电流，它的含义是，在一个较短的时间内，Icnom是允许被超过的，即集电极允许流过电流大小为N*Icnom（N≥1），而且这种状态可以重复的。 It(RMS)：端子有效值电流，它的含义是，在80°C基板温度、功率端子温度不超过125°C的条件下，功率端子允许的最大有效值电流，说明下，该值在Vincotech IGBT模块中是没有直接给出的。

2018-12-10 - 技术问答

【产品】采用IGBT H5的H桥功率模块，开关频率达30KHz

fastPACK 1 HC采用发射极开路拓扑，广泛应用于电源、SMPS、太阳能逆变器和焊接等领域。

2017-07-30 - 新产品代理服务技术支持采购服务

IGBT模块应用时，死区时间怎么预留？

IGBT模块应用时，通过软件控制上下桥臂的门极开关切换时间控制死区时间，例如20KHz驱动频率的电源行业，INV采用半桥架构，上下管的交替死区设置时间一般是1~2μS。另外关于IGBT模块选型，可参考Vincotech的选型资料：https://www.sekorm.com/doc/65932.html

2018-10-15 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

PT型IGBT和NPT型IGBT的区别有哪些？其导通的特性都有那些区分？

1、PT-IGBT图1其实是PT型1GBT芯片的内部结构，图2（c）是其导电的工作原理。所言的PT（PunchThrough，穿通型），指的是电场穿透了N-漂移区（图1中③），电子与空穴的重要汇合点在N1区［图1（c）］。NPT在实验室内完成的时间段（1982年）要早于PT（1985），但工艺上的因素促使PT规模商用化的时间段比NPT早，因此第1代igbt模块商品以PT型为主。PT-IGBT很切实解决了igbt模块的闩锁问题，但要增加外延层厚度，工艺复杂，成本也高。igbt模块芯片中的外延层与电压规格是直接关联的，电压规格越高、外延层越厚，IZOOV、2000V的PT-igbt模块外延层厚度各自实现了100μm和200μm。2、NPT-IGBT所言的NPT（Non-PunchThrough，非穿通），指的是电场没穿透N-漂移区，构如下图3所显示。NPT的基础工艺的工作原理是撤消N十缓冲区（图1中的④），直接在集电区（图1中的⑤）注入空间电荷形成高阻区，电子与空穴的重要汇合点换作了P十集电区。这项工艺又被称作离子注入法、离子掺杂工艺。3、PT-igbt模块与NPT-igbt模块生产工艺与技术性的差异PT与NPT生产工艺的差异如下所示：PT-igbt模块芯片的制造从集电区（P+背发射区）开始，先在单晶硅的反面形成低掺杂的P+发射区，之后用外延工艺在单晶硅的正面逐一形成N十缓冲区、MOS构造。NPT-igbt模块芯片的制造从基区（N-漂移区）开始，先往N型单晶硅的正面形成MOs构造，之后用研磨减薄工艺从反面减薄到igbt模块电压规格要L的厚度，再从反面用离子注入工艺形成集电区。PT-igbt模块与NPT-igbt模块介绍igbt模块的构造各式各样，但从纵向构造来说可归为穿通型，非穿通型。这2种igbt模块的区分依据为：临界击穿电压下Pbase-Ndrift结耗尽层的扩展能否穿透了N-基区。PT（punchthrough）：最“古老”的igbt模块工艺，在1980~1990年间占领主导作用，第1代igbt模块便是使用的PT工艺。NPT（non-punchthrough）：NPT-igbt模块由德国西门子公司于1987年推行，为上世纪90年代的主流产品。第2代igbt模块使用NPT工艺。

2022-12-26 - 技术问答