SK海力士否认出售大连闪存工厂并持续加码高端DRAM市场;宇瞻新技术曝光,有望年底正式亮相
根据英特尔和SK海力士2020年达成的收购条款,后者需在2025年3月之前向英特尔支付20亿美元以完全收购位于中国大连的一家3D NAND闪存工厂。然而,有传言称SK海力士有出售这家工厂的计划,不过根据韩国媒体BusinessKorea最近的一次采访,SK海力士高管明确表示在任何情况下都不会出售这家工厂。
图 1
与大多数3D NAND闪存制造商相同,今年对SK海力士来说,也是极为艰难的一年。据报道,SK海力士在中国市场的销售额下降了近60%,即便如此,中国仍占SK海力士总销售额的30%,中国市场对SK海力士的重要性不言而喻。
图 2
位于大连的这家工厂已经能够生产96层和144层3D NAND闪存,不过在中国生产144层3D NAND闪存将受到美国去年10月出台的出口限制政策影响。到目前为止,SK海力士已设法与美国当局进行谈判,以防止其在中国的业务受到限制。事实上除大连之外,SK海力士在无锡和重庆都建有工厂,尽管传言四起,相信SK海力士还是不会放弃大连工厂,因为SK海力士已经在中国市场投入了大量资金。
事件二:SK海力士持续加码高端DRAM市场
随着ChatGPT等人工智能语言处理工具的爆火,高性能ECC内存的市场需求迅速增加,SK海力士DRAM产品的销量也反映了这一点,虽然SK海力士大部分闪存产品的销量出现下滑,但DRAM产品的销量表现要超出预期,尤其是HBM3、DDR5等高端产品,这让SK海力士2023 Q2收入环比大幅增长44%。
图 3
SK海力士副总裁兼首席财务官(CFO)金祐贤表示:半导体存储市场在经历了今年Q1的低谷之后,现已进入恢复阶段,在个人电脑和智能手机需求持续疲软,人工智能技术高速发展的当下,SK海力士将持续提升高端DRAM产品的竞争力。
事件三:宇瞻新技术曝光,有望年底正式亮相
据知情人士透露,宇瞻正在开发一项被称为W-O-R-M或worm的新技术,有别于传统存储产品多次写入/擦除的特性,使用该技术的存储设备则遵循一次写入多次读取的机制,适用于执法记录仪、收银机等设备,可有效防止设备重要数据被擦除或篡改,使用该技术的存储产品预计2023年底之前上市销售。
事件四:宇瞻首批印度制造DRAM产品已量产出货
在7月下旬的法说会上,宇瞻表示看好印度制造(Make in India)的发展前景,并与当地专业EMS(Electronic Manufacturing Services)伙伴达成合作,首批印度制造产品已于7月量产出货。目前主要以满足当地客户需求为主,除个人电脑和工作站应用外,也瞄准服务器、工业电脑、强固设备、交通运输、网络通讯等潜在成长领域。宇瞻希望能以Make in India的方式深化与合作伙伴、客户之间的商业合作。在未来,宇瞻将持续布局当地制造商机,开创营运新布局。
图 4
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品类
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内存技术
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模块类型
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频率(MHz)
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电压(V)
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容量(G)
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内存颗粒单个容量规格(个)
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D12.2718FS.001
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内存条
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DDR4
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UDIMM
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品类
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介面
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Flash数
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Flash规格
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NADA颗粒
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读/写速度(MB/sec)
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工作温度(°C)
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APP030G8JC-ATV
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USB固态硬盘
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AHCI Gen2×1
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30GB
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30GB×1
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