派恩杰携高压SJ功率MOSFET、650V氮化镓晶圆等面向新能源产业的产品亮相PCIM Asia 2023
8月29日-31日,上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(简称PCIM Asia)在上海新国际博览中心W2馆圆满举行。作为领先亚洲的电力电子展会,本届展会汇聚了181家参展企业,在12,000平方米的展览范围中展示了各项创新技术。
派恩杰作为国产碳化硅功率器件领先品牌,受展会主办方邀请携高压SJ功率MOSFET、650V氮化镓晶圆&器件、200kW逆变器,SiC器件&模块以及评估板等产品重磅亮相,在上海新国际博览中心W2-F02展位,全面展示了派恩杰面向新能源产业的最新技术及稳定可靠的功率半导体器件,现场引起行业专家及新能源领域专业人士的热烈反响。
01、现场盛况直击,派恩杰展台火热
展会现场,派恩杰展位门庭若市,众多半导体、新能源行业专家齐聚展台,从高压SJ功率MOSFET,到面向新能源汽车领域的HPD模块,无不受到业界热捧,一经展出便收获了行业广泛关注和咨询。
公司自主研发的1200V,400A,HPD封装三相全桥碳化硅功率模块PAAC12400CM、Easy系列碳化硅模块、超级结MOSFET P1S06027BD等产品受到行业客户伙伴的高度关注,吸引了众多观众驻足。
派恩杰系列产品主要面向新能源产业,量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用,为各个应用领域头部客户持续稳定供货,且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。
02、行业创新技术,强势赋能新能源赛道
此次亮相,派恩杰向观众展示了最新的超级结MOSFET P1S06027BD。派恩杰的P1S06027BD基于硅的650V高压SJ功率MOSFET,可满足电动汽车应用例如车载充电器,HV-LV DC-DC转换器,和辅助电源等。得益于本身碳化硅器件在电动汽车领域的应用,硅高压SJ功率MOSFET可以在系统中配合使用,并提供高可靠性,设计的灵活性和可扩张性。后期派恩杰将推出更多型号和不同应用方向的高压SJ功率MOSFET。
同时,针对电动汽车电驱系统,派恩杰也推出一款1200V,400A,HPD封装的三相全桥碳化硅功率模块。相比于传统的IGBT功率模块,该产品的开关损耗和导通损耗大幅度降低,可以显著提高电驱系统的轻载效率,大幅提高电动汽车的续航里程。同时,该产品采用PinFin基板,具有超强的散热性能,可以极大地简化电驱系统的机械设计。派恩杰HPD模块是专门为800V电机驱动系统开发,满足车规级要求。
此外,派恩杰携带的650V氮化镓晶圆以及贴片封装器件也广受好评。氮化镓材料的具有极低的热产生率和极高的击穿场强,基于氮化镓的功率器件GaN HEMT具有极小的导通压降和开关损耗,可将开关电源的开关频率推高至1MHz以上,大幅减小储能元件的体积,实现极高的功率密度。因此,GaN HEMT在消费电子和IT电源领域有广泛的应用。
派恩杰致力于碳化硅功率器件国产替代,专注于技术创新和产品研发。我们将持续为新能源赛道赋能,助力客户步履更稳,行的更远。未来我们也希望能够和业内更多同仁进行多方位的技术交流并保持友好合作。敬请期待!
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本文由犀牛先生转载自派恩杰半导体公众号,原文标题为:盛况空前!派恩杰PCIM Asia 2023之行圆满结束,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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型号- 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HI-SEMICON(深鸿盛)MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装
型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T
“最佳技术实践应用奖”——上海贝岭IGBT器件和线性LED驱动器等多款产品一一解析
近期,华大半导体旗下上海贝岭股份有限公司荣获2024第六届金辑奖“最佳技术实践应用奖”。本文介绍了上海贝岭多款产品的特点和应用,包括IGBT器件、线性LED驱动器、HPD模块、MOSFET和电能计量芯片。
产品 发布时间 : 2024-11-15
纳芯微汽车电子解决方案 助力汽车电动化和智能化发展
型号- NSL2163X-Q1,NSL23916-Q1,NSI1311,NSI6601,NSI7258,NSR2240X,NPC060N065A,NSL23716X-Q1,NCA8244,NSM2017,NPI040N120A (1200V. 40V),NSM2019,NSM2013,NSI22C11,NSM2015,NSC9260X,NSM2011,NSR33XXX,NSC9262,NSI1300,NSC9264,NSREF31XX,NSI1306,NPS0X0N065A,NSP1830,NSL2161X-Q1,NCA1169,NCA1044,NSR7808,NSOPA240X,NSE11409,NSP1831,NSP1832,NSM2020,NSD8306,NSOPA8XXX,NSD8308,NSI67XX,NS0PA8XXX,NSD1026V,NSR31XXXT,NSE425X,NSE34050,NSL31682-Q1,NSL21912-Q1,NSI6622V,NSPDC1,NSR31XXX,NCA1021S,NSD8310,NSD8312,NSD1624,NPI030N065A,NSR104XX,NCA1043(B),NSD731X,NSI6651,NSD11416,NSI22C12,NCA1051A,NSUC1602,NCA1462,NSD8381,NSD56008,NSM3011,NST17 5-Q1,NSIP2266-Q1,NSPADX,NSM3013,NSM3012,NSI6801,NST60-Q1,NSUC1610,NCA9539,NST175-Q1,NSR7850,NST175,NSM203X,NSIP605X,NSI6911,NSOPA9XXX,NSI824X,NST86-Q1,NSP1631,NSD12409,NSP1632,NSPASX,NSP1630,NSCSA24X,NSM1013,NPI040N120A,NSL23924-Q1,NCA9555,NSI822X,NSA9264,NCA1042B,NSCSA21X,NSD12416,NSPGM2,NSM2117,NSPGM1,NSI6602V,NSD3608,NSM2113,NSM2115,NSR35X,NSD3604,NSL31520-Q1,NSR35XXX,NST20,NSREF30XX,NPC0X0N120A,NSI1200,NS0PA9XXX,NSI6611,NSPAS1,NSPAS3,NST235-Q1,NCA1145,NSE5702,NSI6601M,NSE5701,NSA9260X,NSR114XX,NSR1048,NSM1030
瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南
描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司,2017 年成立于上海临港,致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,围绕 SiC 应用,为客户提供一站式芯片解决方案。
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
研讨会2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI) | 中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE) | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes) | 中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip) | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子(CRM ICBG ) | Kyocera(京瓷)——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER) | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动(HVIC)制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics) | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY) |
活动 发布时间 : 2024-10-12
SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺,解决车规可靠性最后一块拼图?
半导体技术的进步,特别是碳化硅,产生了具有高功率密度的器件,并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块,可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-23
爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南
目录- 公司简介和芯片/模块产品规则 芯片 模块 参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍
型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200
40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管,有效提升充电速度
KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量,十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用,可以显著提高充电速度,减少能量损耗,提升系统可靠性,并有助于缩小充电设备的体积。
应用方案 发布时间 : 2024-09-27
新能源汽车碳化硅800V平台架构优势及实现方式解析
受限于硅基IGBT的工作频率和偏大的元件尺寸,目前大部分新能源车产品采用的是400V平台。随着碳化硅半导体技术的发展,越来越多车企打造出基于碳化硅的800V甚至更高的高压平台。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年,SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造,并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件,可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-22
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
新产品 发布时间 : 2023-06-22
电子商城
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥18.1569
现货: 50
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥4.9543
现货: 30
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥4.9543
现货: 30
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥2.5825
现货: 30
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥3.1396
现货: 30
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥8.1360
现货: 30
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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