自主研发、封测、一线晶圆厂流片的国家高新技术企业——WXDH ELECTRONICS(东海半导体)
IGBT:东海半导体涵盖650V/1200V,20A-75A多个规格。都采用了东海先进的技术,其中40A 650V Trenchstop绝缘栅双极晶体管,采用东海专有的Trench设计和先进的FS技术,650V FS IGBT提供卓越的开关性能、高雪崩耐用性、易于并联操作,采用FS沟槽技术、正温度系数、低饱和电压:VCE(sat),typ=1.9V @ IC =40A且Tj=25℃极度增强的雪崩能力;而40A 1200V Trenchstop绝缘栅双极晶体管采用先进的沟槽和场截止技术设计,提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷,符合RoHS标准,低VCEsat,低栅极电荷,拥有卓越的开关速度,VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力,Tsc≥10μs。
MOS:东海半导体额定电压为30~150V的功率MOSFET,采用先进的分栅沟槽技术,可同时提供出色的Rdson和低栅极电荷。符合RoHS标准。拥有低导通电阻,低栅极电荷,快速切换,低反向传输电容,100%单脉冲雪崩能量测试,100% ΔVDS测试的特点。同时东海半导体也拥有650-1700V的碳化硅MOS管。
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