自主研发、封测、一线晶圆厂流片的国家高新技术企业——WXDH ELECTRONICS（东海半导体）
东海半导体是一家国家高新技术企业，设有江苏省“企业技术中心”和“汽车电子用功率器件芯片工程技术研究中心”，拥有一条年产5亿颗的功率器件封测产线，建有国内一流的8+12寸晶圆代工厂以及器件特性测试、可靠性测试、应用测试及失效分析四大实验室；致力于先进功率器件的设计研发、封装制造和应用方案研究，聚焦在太阳能光伏、新能源车、锂电储能、轻型电动车、电动工具等高端和新兴市场应用；主要产品门类有TrenchMOS、SGT MOS、高压MOS、SJ MOS、IGBT单管/模块、FRD、SBD、可控硅、SiC 二极管/MOS等。
IGBT：东海半导体涵盖650V/1200V，20A-75A多个规格。都采用了东海先进的技术，其中40A 650V Trenchstop绝缘栅双极晶体管，采用东海专有的Trench设计和先进的FS技术，650V FS IGBT提供卓越的开关性能、高雪崩耐用性、易于并联操作，采用FS沟槽技术、正温度系数、低饱和电压：VCE(sat)，typ=1.9V @ IC =40A且Tj=25℃极度增强的雪崩能力；而40A 1200V Trenchstop绝缘栅双极晶体管采用先进的沟槽和场截止技术设计，提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷，符合RoHS标准，低VCEsat，低栅极电荷，拥有卓越的开关速度，VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力，Tsc≥10μs。
MOS：东海半导体额定电压为30～150V的功率MOSFET，采用先进的分栅沟槽技术，可同时提供出色的Rdson和低栅极电荷。符合RoHS标准。拥有低导通电阻，低栅极电荷，快速切换，低反向传输电容，100%单脉冲雪崩能量测试，100% ΔVDS测试的特点。同时东海半导体也拥有650-1700V的碳化硅MOS管。
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