世强硬创获蓉矽授权，代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品
为推动产品在储能电源、光伏逆变、直流充电桩、新能源汽车的应用，2023年7月20日，一家掌握碳化硅核心技术的企业——成都蓉矽半导体有限公司（下称“蓉矽”，英文名：NOVUSEM）与世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）签署授权代理分销协议。
根据协议内容，碳化硅MOSFET、碳化硅MOSFET晶圆、碳化硅MOSFET单管、碳化硅二极管、碳化硅EJBS晶圆、碳化硅EJBS单管、二极管、栅控二极管晶圆、MCR单管、肖特基二极管等产品上线世强硬创平台。
资料显示，蓉矽（NOVUSEM）成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。
其整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链。
蓉矽（NOVUSEM）产品涵盖碳化硅EJBS™（Enhanced Junction Barrier Schottky）二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有175℃高结温的理想二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifier）及FRMOS（Fast Recovery MOSFET）。
据了解，MCR® 二极管系列是具有高耐压、超低漏电、低导通压降和高结温性能稳定等特性的理想硅基二极管。
FR-MOS系列是具有快恢复特性的MOS管，其反向恢复时间比传统VDMOS降低60%，且反向恢复电流降低60%以上。
SiC EJBS™系列是采用第三代宽禁带半导体材料制造的一种高耐压、低导通压降、零反向恢复电流的二极管，具有极高的抗浪涌电流能力，低反向漏电，低正向导通压降为1.37V，零反向恢复电流。
SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET，分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。
其中，NovuSiC®MOSFET第一代产品系列具有高频开关特性，动静态损耗特性好；第二代产品系列基于第一代，采用更先进的工艺制程，比导通电阻Ron，sp降低29%，栅电荷下降34%，两者都属于175℃高结温的MOS管，此外该产品还曾荣获中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件。
上述蓉矽（NOVUSEM）全线产品均广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
基于本次合作，领先的ToB创新研发及供应服务平台世强硬创通过线上分销、内容服务、数字营销、技术支持等服务与蓉矽（NOVUSEM）深度融合实现渠道覆盖，将新产品触达硬科技企业，进一步提升蓉矽（NOVUSEM）的产品知名度和销售业绩。
成都蓉矽半导体有限公司(NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.)成立于2019年，拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。蓉矽半导体碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有150℃高结温的理想二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifier）及FR MOS（Fast Recovery MOSFET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。 查看更多
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崇乾 Lv8. 研究员 2024-03-21学习 -
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qinge2010 Lv4. 资深工程师 2024-03-07可以可以 -
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水磐龙泉 Lv5. 技术专家 2024-02-19恭贺世强 -
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