世强硬创获蓉矽授权,代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品

2023-09-06 世强
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为推动产品在储能电源、光伏逆变、直流充电桩、新能源汽车的应用,2023年7月20日,一家掌握碳化硅核心技术的企业——成都蓉矽半导体有限公司(下称“蓉矽”,英文名:NOVUSEM)与世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)签署授权代理分销协议。

 

根据协议内容,碳化硅MOSFET碳化硅MOSFET晶圆碳化硅MOSFET单管碳化硅二极管碳化硅EJBS晶圆碳化硅EJBS单管、二极管、栅控二极管晶圆MCR单管肖特基二极管等产品上线世强硬创平台。

 

资料显示,蓉矽(NOVUSEM)成立于2019年,是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业。

其整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台,结合大陆封测和应用解决方案,建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链。

 

蓉矽(NOVUSEM)产品涵盖碳化硅EJBS™(Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET;硅基产品有175℃高结温的理想二极管MCR®(MOS-Controlled Rectifier)及FRMOS(Fast Recovery MOSFET)。

 

据了解,MCR® 二极管系列是具有高耐压、超低漏电、低导通压降和高结温性能稳定等特性的理想硅基二极管

 

FR-MOS系列是具有快恢复特性的MOS管,其反向恢复时间比传统VDMOS降低60%,且反向恢复电流降低60%以上。

 

SiC EJBS™系列是采用第三代宽禁带半导体材料制造的一种高耐压、低导通压降、零反向恢复电流的二极管,具有极高的抗浪涌电流能力,低反向漏电,低正向导通压降为1.37V,零反向恢复电流。

 

SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET,分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。

 

其中,NovuSiC®MOSFET第一代产品系列具有高频开关特性,动静态损耗特性好;第二代产品系列基于第一代,采用更先进的工艺制程,比导通电阻Ron,sp降低29%,栅电荷下降34%,两者都属于175℃高结温的MOS管,此外该产品还曾荣获中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件。

 

上述蓉矽(NOVUSEM)全线产品均广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。


基于本次合作,领先的ToB创新研发及供应服务平台世强硬创通过线上分销、内容服务、数字营销、技术支持等服务与蓉矽(NOVUSEM)深度融合实现渠道覆盖,将新产品触达硬科技企业,进一步提升蓉矽(NOVUSEM)的产品知名度和销售业绩。


成都蓉矽半导体有限公司(NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.)成立于2019年,拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队,建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链,独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。蓉矽半导体碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET;硅基产品有150℃高结温的理想二极管MCR®(MOS-Controlled Rectifier)及FR MOS(Fast Recovery MOSFET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。    查看更多

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 崇乾 Lv8. 研究员 2024-03-21
    学习
  • qinge2010 Lv4. 资深工程师 2024-03-07
    可以可以
  • 水磐龙泉 Lv5. 技术专家 2024-02-19
    恭贺世强
  • 小蛮大人 Lv9. 科学家 2024-02-17
    不错哦
  • chengcheng Lv3. 高级工程师 2024-02-04
    学习
  • 零五五 Lv5. 技术专家 2024-01-08
    学习
  • 小云帆 Lv7. 资深专家 2023-11-17
    学习了
  • 用户71904310 Lv9. 科学家 2023-10-17
    学习
  • 用户34169263 Lv7. 资深专家 2023-10-10
    学习下
  • 艾玛电子 Lv7. 资深专家 2023-10-09
    学习了
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基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

选型指南  -  基本半导体  - 2024/5/16 PDF 中文 下载

派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管    碳化硅MOSFET   

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

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招聘信息    发布时间 : 2024-08-09

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