3μA超低静态功耗!思瑞浦推出汽车级超低静态功耗高压LDO TPL8031Q,输出电容1~200μF
聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器创新研发的半导体公司——思瑞浦3PEAK推出全新一代汽车级超低静态功耗高压线性稳压器——TPL8031Q。
LDO TPL8031Q拥有支持3V~42V宽输入电压范围、3μA超低静态功耗、多种封装可选等性能优势,可广泛应用于汽车12V电池供电、待机低功耗的各种汽车应用场景。
TPL8031Q产品特性
输入电压范围:3V~42V,最高耐压45V
输出电压范围:1.8V、2.5V、3.3V、5V固定输出
全温范围内高精度输出:±2.5%
支持300mA输出电流能力
静态功耗:最大5.5μA(全温度范围内)
200mA输出电流条件下典型跌落电压差为440mV
优良的输出瞬态响应
支持1μF~200μF输出电容
支持1mΩ~10Ω电容ESR
支持过流保护,过温保护
多种封装可选:EMSOP-8、DFN3X3-8、SOT223-3
AEC-Q100 Grade1:-40℃ to +125℃
TPL8031Q产品优势
超低静态功耗
TPL8031Q的关断电流小于1μA,静态工作电流典型值仅有3μA,低功耗模式下耗电指标非常出色,特别适合感应雨刷、自动大灯等对待机功耗高要求的各类应用。
输出电容选择范围宽
支持1μF~200μF输出电容及1mΩ~10Ω电容ESR,输出电容选择范围大,便于电路设计。
宽输入电压范围和低跌落压差
汽车应用场景复杂,要求一级电源能满足较宽的工作电压范围。TPL8031Q具有3V~42V超宽工作电压范围,在此电压范围内都能保持稳定的电压输出。同时具有低跌落电压差特性,200mA负载电流条件下典型跌落电压差为440mV,可满足低压差的应用需求。
多种封装易于设计
提供EMSOP-8、DFN3X3-8、SOT223-3封装,客户可根据实际应用选择封装,以优化整个模块的散热设计,实现更好的性能和成本的平衡。
TPL8031Q典型应用
TPL8031Q支持3V~42V宽范围输入、300mA输出电流能力,且具备超低静态功耗、多种保护功能和多种封装,满足广泛的汽车12V系统供电应用。
TPL8031Q现已量产,样品申请或产品订购联系世强平台工作人员。
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RP111x Series Good Transient Response Low Voltage 500 mA LDO for Automotive Applications
型号- RP111S291D,RP111N281D,RP111S291B,RP111N281B,RP111S251D,RP111N281B5,RP111S251B,RP111H181D,RP111X281X,RP111H181B,RP111X001B,RP111H331D,RP111H331B,RP111X001D,RP111NXX1*-TR-#E,RP111X361X,RP111X171X,RP111H071D,RP111H071B,RP111N121D,RP111N121B,RP111S071B,RP111S071D,RP111S281D5,RP111N001D,RP111X281D,RP111N001B,RP111S181D,RP111N151D,RP111S181B,RP111N151B,RP111S331D,RP111S331B,RP111X171XX,RP111H291D,RP111X181X,RP111H291B,RP111H251D,RP111H251B,RP111X SERIES,RP111NXX1B,RP111N341B,RP111NXX1D,RP111N341D,RP111X171D,RP111N111D,RP111N301B,RP111N301D,RP111N111B,RP111X361D,RP111N071B,RP111N071D,RP111X281*5,RP111S001B,RP111S001D,RP111S281B5,RP111H001*-T1-#E,RP111X071X,RP111HXX1*-T1-#E,RP111H121D,RP111H281B5,RP111H121B,RP111N181B,RP111N181D,RP111HXX1B,RP111S341B,RP111HXX1D,RP111SXX1*-E2-#E,RP111SXX1D,RP111S111B,RP111S301D,RP111S111D,RP111SXX1B,RP111X361,RP111S151D,RP111X,RP111S341D,RP111S151B,RP111H281D,RP111S001*-E2-#E,RP111X151X,RP111H281B,RP111S301B,RP111N331B,RP111N331D,RP111XXXD,RP111X181D,RP111N291D,RP111S281D,RP111N251D,RP111N291B,RP111S,RP111N281D5,RP111S281B,RP111N001*-TR-#E,RP111H151D,RP111H151B,RP111H111D,RP111H341D,RP111H281D5,RP111H111B,RP111H341B,RP111H301D,RP111N251B,RP111H301B,RP111X071D,RP111S121B,RP111S121D,RP111N,RP111H001D,RP111H001B,RP111XXX1D
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服务
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最小起订量: 500pcs 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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