一文告诉你工控DDR5内存和DDR4内存的区别
英特尔第12代桌面级Alder Lake酷睿处理器于2021年Q4季度正式发布,支持DDR5内存是该系列处理器的一大特性,从已经曝光的信息来看,未来发布的锐龙7000系列处理器也将全面支持DDR5内存。在服务器领域,Intel Eagle Stream和AMD Zen4 Genoa两大平台无一例外也将支持DDR5内存,种种迹象表明,DDR5内存在未来将替代DDR4内存成为主流,那么相较于DDR4内存,DDR5内存都有哪些技术优势?工业级DDR5内存又应该具备哪些技术特性?本篇文章告诉你答案。
双通道架构,带宽加倍
DDR5内存基于全新的信道架构开发,拥有两组32位完全独立的子信道,双倍带宽提升平台整体性能的同时,有效缩短存取延迟,进一步提升信道效率。DDR5
RDIMM服务器内存则拥有两组40位子信道,在每个信道已有的32位再增加8位,以支持Side-band
ECC纠错与校正功能,配合DDR5暂存时脉驱动器RCD(Registering Clock
Driver),进一步减轻CPU负载,增强信号完整性以及抗干扰能力。
Bank Group数量翻倍,效能提升
相较于DDR4,DDR5内存的Bank Group从4个增加至8个,总Bank数也从16个增加至32个。Bank Group数量翻倍有助于提升数据传输量,进而优化整体核心时序(Core Timing)参数,让内存以更快的速度响应,实现超高性能。
电压降低,高度省电
DDR4内存的标准工作电压为1.2V,DDR5内存降低至1.1V,虽然仅相差0.1V,但可以提升8%的省电效率,与此同时,还降低了系统功耗和发热量,特别适用于需要低功耗和散热不易的工控系统,对需要7×24小时全天候运行的服务器来说,也拥有额外的节电优势。
增加PMIC,信号更稳定
由于DDR5内存的标准工作电压降低至1.1V,为了确保输出电压的准确度以及平台高速稳定运行,DDR5内存新增了电源管理功能,相较于通过主板控制的传统方式,DDR5内存配备的电源管理IC(PMIC)可高效控制系统电源负载,电源转换效率提高85%,进而提升信号完整性以及兼容性,同时还降低了主板电源的设计成本。需要注意的是,即使DDR5内存的标准工作电压为1.1V,目前DDR5内存采用的PMIC规格也包含两种,不同于DDR5
UDIMM和SODIMM采用的5V PMIC,针对服务器应用场景,DDR5 RDIMM服务器内存使用了12V
PMIC,搭建系统平台时需要特别注意。
On-die ECC / Side-band ECC双重纠错机制
为了实现更高性能,DDR5内存无论是容量还是数据密度都有所提升,其采用的制程微缩技术也可能增加数据错误的风险。DDR5 RDIMM服务器内存支持On-die ECC和Side-band ECC双重纠错机制,能自动校正内存中的数据错误,为数据传输过程提供端对端完整保护,大幅改善内存的数据容错能力,提高数据正确性。更重要的是,该纠错机制还可以提升系统的稳定性,满足服务器长时间运行时的可靠度(Reliability)、可用性(Availability)以及可维护性(Serviceability)等需求。
配备温度传感器,避免过热
除了采用DDR5
RCD(Registering Clock Driver)、电源管理IC(Power Management IC)、SPD集线器(SPD
Hub)等全新元件,DDR5 RDIMM服务器内存还加入了高精度温度传感器(Temperature
Sensor),可详细记录内存温度数据,即时监控内存温度。研发人员在设计系统风道时,也能借此精确计算热功耗分布情况,避免过度的热量堆积,影响系统稳定性。
Same Bank Refresh功能
缩短延迟时间
不同于DDR4更新时所有Bank需处于闲置状态,无法同时执行其他指令,DDR5内存的Same Bank Refresh功能允许系统在更新特定Bank时,其他Bank数据的存取不受影响,大幅缩短延迟时间,提升系统性能。
宇瞻DDR5工业内存具备哪些优势?
宇瞻遵循JEDEC固态技术协会发表的DDR5
UDIMM、SODIMM、RDIMM Raw Card Revision
1.0量产版标准发布了DDR5工业级内存全系列产品。不仅如此,其时序定义和传输速度更是采用了最新的JEDEC JESD79-5A DDR5
SDRAM标准,大幅增强产品稳定性和可靠度的同时,进一步缩短数据存取延迟,让产品发挥出最佳性能表现。
在服务器、数据中心等关键应用场景中,系统宕机不仅会给企业带来不可估量的损失,还会对企业的商誉造成影响,为了规避因内存质量不稳定造成的系统宕机等潜在风险,宇瞻采用高品质原厂DDR5 DRAM IC生产的工业级内存模块,产品可靠度更有保障。
除了遵循标准规范、采用高品质原厂IC之外,宇瞻还为工业级DDR5内存产品加入了例如敷形涂料(Conformal Coating)、底部填充(Underfill)、抗硫化(Anti-Sulfuration)等防护技术,其中抗硫化(Anti-Sulfuration)更是宇瞻专利技术,在这些技术大幅提升了DDR5产品在湿度、粉尘、震动、冲击等恶劣环境下的防御能力。
总结
相较于DDR4内存,DDR5内存在带宽、功耗、单颗芯片最大容量、模组最大容量(UDIMM)、通道数量、电源管理、纠错机制等方面都有大幅提升,而在宇瞻抗硫化专利技术、30金手指、底部填充(Underfill)等技术的加持下,宇瞻DDR5全系列工业级内存将以最高的可靠度与耐用度为工控应用保驾护航。
作为全球数字储存解决方案的领导品牌之一,宇瞻具备研发、设计、制造、行销能力以及累积多年的数字储存专利技术,宇瞻将以创新和职人精神贯穿整个设计制造流程,为行业提供极具竞争力的客制化产品与服务!
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型号- SR2G7UD5285SBV,SR6G7UD5385HM,SRI2G7UD5285SBV,SR6G7UD5388HMV,SR6G6SO5385MB,SR4G7SO5285SB,SR2G7SO5288HA,SRI2G7UD5285SB,SR6G7UD5388HM,SR4G8RD5285SBV,SR4G7SO5288SB,SR4G8RD5288HAV,SR6G7UD5385HMV,SR6G6SO5385HM,SRI4G7SO5285SB,SR3G6SO5385HM,SR6G7SO5388HM,SR4G7UD5288SB,SR4G8RD5285SB,SRI2G7SO5285SB,SR4G7UD5285SB,SR2G7UD5288SBV,SRI6G7UD5385MB,SR4G7UD5285SBV,SR2G7UD5288SB,SR6G8RD5388HMV,ST4G7SO5285SB,SR2G7UD5285SB,SRI4G7UD5285SBV,SR4G8RD5288SBV,SR4G7UD5288MDV,SR2G7SO5285SB,SR4G8RD5285HAV,SR4G6SO5288SB,SR6G7UD5385MB,SR2G6SO5285SB,SR2G7SO5288SB,SR4G7UD5288HAV,SR4G6SO5285SB,SRI4G7UD5285SB,SR4G7SO5288HA,SRI2G7SO5288HA,SR4G8RD5288MDV,SRI6G7UD5385HM,SR4G7UD5288SBV,SR2G6SO5288SB
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型号- SRHG8RD5645-MD,SR2G6UD5285-SB,SR4G8RD5448-SP,SR2G7UD5288-SP,ST2G7SO5288-HA,ST4G6SO5288-HA,SR4G8RD5288-SP,SR2G6SO5285-SB,ST4G8RD5288-HA,SR8G8RD5448-MD,SR1G6SO5165-SB,SR4G6SO5288-SP,STHG8RD5645-HM,SR2G8RD5285-SB,SR1G6UD5165-SB,SRHG8RD5648-MD,SR2G8RD5288-MD,SR2G7UD5285-SB,SR2G7SO5288-SP,SR8G8RD5445-SB,ST4G7UD5288-HA,SR2G6SO5288-SP,SR4G6SO5285-SB,SR1G6SO5168-SP,STHG8RD5648-HM,ST4G8RD5448-HA,ST3G8RD5385-HM,ST2G6UD5288-HA,SR4G8RD5448-MD,ST6G8RD5645-HM,SR3G8RD5388-SP,ST2G8RD5288-HA,SR4G7SO5288-SP,SR4G7UD5285-SB,SR6G8RD5648-SP,ST2G6SO5288-HA,SR8G8RD5448-SE,ST8G8RD5445-HA,SR8G8RD5448-SP,ST4G7SO5288-HA,SR4G7UD5288-SP,SRBG8RD544H-SB,SRHG8RD5648-SP,STAG8RD544H-HA,SR4G8RD5445-SB,SR2G8RD5288-SP,ST8G8RD5448-HA,SR4G8RD5285-SB,SRAG8RD5848-MB,SRAG8RD5846-SB,SR4G6UD5285-SB
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可定制VC的常规厚度范围1.5mm至15mm,最薄可至0.2mm,最大可达400x400mm,功率范围3~2000w。3D VC较常规2D-VC功率提升30~40%。
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