【产品】舜铭新型FRAM采用High-K材料，实现3D架构，具备低功耗及更优读写性能优势
什么是FRAM？
铁电随机存取存储器，英文简称FRAM（Ferromagnetic Random Access Memory）。它利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的两大功能特性。
FRAM的工作原理
FRAM使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，使得它也拥有非挥发性内存的功能。它以铁电物质为原材料，将微小的铁电晶体集成进电容内，通过施加电场，铁电晶体的电极在两个稳定的状态之间转换，实现数据的写入与读取。它的每个方向都是稳定的，即使在电场撤除后仍然保持不变。
FRAM的显著优势
01.在断电的情况下，数据依然不丢失
02.读写速度快，写入无延时，可覆盖写入
03.擦写次数可达到万亿次，耐久性强，使用寿命长
04.功耗低，待机电流低
05.无需后备电池，无需采用充电泵电路
06.兼容CMOS工艺，可靠性高
舜铭新型FRAM的独特优势——两大技术突破
1、采用High-K（高介电常数）材料解决了产线污染问题
2、利用材料优势，突破传统的平面架构，实现全新的3D架构，更大程度上提升了产品密度，实现成本优势。综上，舜铭存储的新型铁电存储器可以在大多数应用场景中取代中小容量的传统存储器，在提供更优的读写性能以及更低功耗的同时，提供更高的性价比。
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产品型号
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品类
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容量
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工作频率
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工作温度
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工作电压
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封装类型
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SF25C20
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SPI FRAM
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2Mbit
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25Mhz
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-40 to 85°C
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2.7-3.6V
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SOP8
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