【经验】EEPROM GT93C86读写失败，你是否留出Tcss时间和Tdis时间？
聚辰推出的GT93C86是一颗可以擦写100万次的EEPROM，最高速率支持到3M，宽压支持到1.8V~5.5V的供电范围。支持16位和8位两种读写模式，写入时间5ms。 众所周知非易失性的存储器，在各行各业的各类应用中均有需求。那么我们今天就来说说使用这颗芯片需要注意的问题。
首先由于这颗芯片支持8位和16位两种方式操作，把Pin6 “ORG”引脚拉高或者浮空就是16位操作模式，如果拉低则是8位模式。那么我们就以16位操作模式先看下这段抽象代码：
u16 GT93C86_WEN(void)
{
u16 data =0x1300,ret =0,i;
GT93C86_SCK_0;
GT93C86_CS_1
for(i=13; i>=1; --i)
{
GT93C86_MOSI =(data >> (i-1)) & 0x01;// 从高位到低位进行串行写入
GT93C86_SCK_1;
delay_us(20);
ret <<=1;
if(GT93C86_MISO == 1)
ret |= 0x01;
GT93C86_SCK_0;
delay_us(20);
}
GT93C86_CS_0
return ret;
}
这段代码乍一看没有问题，但是我们看下手册中如下的时序图就可以发现问题：
我们可以看出上面的代码中其实并没有留出Tcss时间和Tdis时间。所以造成了读写失败。知道了原因其实代码的修改就很简单了。如下修改代码，问题既可以解决：
u16 GT93C86_WEN(void)
{
u16 data =0x1300,ret =0,i;
GT93C86_SCK_0;
GT93C86_CS_1//首先使能片选信号
for(i=13; i>=1; --i)
{
GT93C86_MOSI =(data >> (i-1)) & 0x01;// 依然先准备好数据
delay_us(20);//先留出Tcss和Tdis时间
GT93C86_SCK_1;
delay_us(20);
ret <<=1;
if(GT93C86_MISO == 1)
ret |= 0x01;
GT93C86_SCK_0;
}//更改后的代码最后一次循环SCK拉低后没有留出Tcsh
delay_us(20);//增加留出Tcsh时间延时
GT93C86_CS_0
return ret;
}
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产品型号
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品类
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Density
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Memory organization
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Vcc(V)
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Speed(Hz)
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封装
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GT24C02-3GLA2-TR
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EEPROM
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2K
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256 x 8
|
2.5V~5.5V
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1M
|
SOP
|
选型表 - 聚辰 立即选型
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