持续自主创新，纳芯微荣获“年度中国创新IC设计公司”及“最佳功率器件”奖
2021年3月18日，由ASPENCORE旗下《电子工程专辑》、《电子技术设计》和《国际电子商情》联合举办的2021年中国IC领袖峰会暨中国IC设计成就奖颁奖典礼在上海隆重举办。凭借在IC设计上的技术突破和应用创新，苏州纳芯微电子股份有限公司荣获“年度中国创新IC设计公司”奖，同时，纳芯微NSi6602高可靠性隔离式双通道栅极驱动器荣获“2021年度中国IC设计成就奖之年度最佳功率器件”奖。
自2013年成立以来，纳芯微以混合信号链技术为核心，积极推动自主创新，在隔离、信号调理与传感器等领域不断取得突破。2020年，纳芯微完成全品类数字隔离器件覆盖，并实现了增强隔离芯片的量产，这代表纳芯微在隔离技术指标上已经具备全球竞争力。与此同时，温度传感器的新兴应用在家电、智能穿戴、物联网等领域取得突破，实现了对传统NTC的革命性替代。此外，伴随着车规级隔离驱动、LIN接口信号调理芯片、MEMS压力传感器等产品的批量装车，纳芯微车规级芯片的量产能力进一步提高。
这一系列成就的取得，离不开纳芯微对技术创新的重视。在“持续学习，坚持长期价值”的企业价值观驱动下，纳芯微持续加大在新技术和新产品研发上的投入，鼓励研发人员积极求索，努力突破关键核心技术，逐渐建立起在模拟芯片领域的独有竞争力与护城河。对自主创新矢志不渝地坚持，打造了纳芯微在混合信号链技术相关领域的深厚基础，在芯片国产替代的浪潮中，纳芯微与上下游合作伙伴携手打破技术垄断，勇闯技术创新“无人区”，全力保障产业链供应安全，为我国信息技术产业的健康有序发展贡献一己之力。
此次获得功率器件奖的NSi6602高可靠性隔离式双通道栅极驱动器具有优异的抗干扰能力，其抗共模瞬态干扰度（CMTI）可达150kV/μs。NSi6602集高隔离耐压、高可靠性、高集成度、低延时、灵活封装配置等特性于一体，可应用在5G基站、数据中心、充电桩等新基建重点发展领域。
纳芯微首席执行官王升杨表示：“荣获‘2021年度中国创新IC设计公司’及‘年度最佳功率器件'奖，不仅体现了纳芯微的创新实力和技术自主性，更激励我们在日后不断进取，继续加大对研发的投入，勇挑重担敢打敢拼，积极推动国产芯片更好、更快发展！”
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