Micsig光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试
测试背景地点：
国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：
因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试
现场条件因该氮化镓快充PCBA设计密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最优方案的同轴延长线连接（通常推荐采用MCX母座连接，可最大限度减少引线误差）。
现场连接图如下：
▲图1：接线
现场测试步骤
1、将探头连接10X衰减器，并将衰减器插入同轴延长线；
2、将OIP探头连接示波器第4通道并开机；
3、将示波器对应通道衰减比设置10X，将输入电阻设置为50Ω；
4、给目标板上电；
▲图2：测试场景1
▲图3：测试场景2
测试结果1.Vgs控制电压5.1V左右，信号光滑无任何畸变；2.上管关断瞬间负冲0.5V左右，在氮化镓器件安全范围；3.下管关断瞬间引起的负冲在2.2V左右，在氮化镓器件安全范围；4.Vgs信号上升时间240ns左右。
（以上数据通过截屏读数）
▲图4：测试结果截屏
结论
1、目标板设计合理，Vgs控制信号近乎完美；
2、测试显示Vgs信号无任何震荡，共模干扰被完全抑制；
3、OIP系列光隔离探头测试氮化镓半桥上管Vgs，没有引起炸管。
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