NEPCON Japan顺利收官，蓉矽半导体携自主研发MOSFET加速拓展海外市场！

时间： 2023-09-20 来源：蓉矽半导体公众号

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9月15日，NEPCON Japan 2023日本国际电子展在东京幕张落下帷幕。蓉矽半导体携“NovuSiC®”“DuraSiC®”全系产品、理想硅基二极管MCR和多场景应用解决方案亮相这一亚洲领先的电子研发制造展览会，面向全球客户探讨重点合作机会。

作为一家总部设在中国、专注碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的新锐企业，蓉矽半导体的参展展品和应用一经展出，就吸引了参展观众和行业专家的浓厚兴趣和驻足咨询：“蓉矽半导体是中国的企业吗?”“碳化硅的最大优势是什么?”“除了新能源汽车外还可以应用在什么地方?”

蓉矽半导体展台前聚集着来自全球各地的伙伴，了解公司情况、产品参数、应用场景，并收获了广泛赞誉与重要合作契机。

展会现场直击，一睹为快！

参展产品，赋能绿色未来!

1200V 75/40/12mΩ NovuSiC® MOSFET

短路耐受时间>3μs

栅氧化层长期可靠

低导通电阻，低开关损耗

高雪崩耐量

应用场景

直流充电桩

20kW直流充电模块中，与硅基器件相比，蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50%;降低总损耗50%以上;提升效率约2%，峰值可达97%以上。

1200V 10/20/30A NovuSiC® EJBS™

高抗浪涌电流能力：11倍(1200V/20A)

低正向导通压降

低反向漏电流

高结温性能稳定:175℃

应用场景

1100V光伏系统Boost PFC

在11kW光伏逆变器应用中，相较FRD， NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗，分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。

MCR®

与肖特基相当的低导通压降

极低的反向漏电

低反向恢复损耗

最高30倍抗浪涌电流能力

应用场景

储能高频整流应用场景

在500W便携式储能电源应用中，相较FRD，蓉矽MCR®器件可降低18.7%的损耗和13℃的器件结温;在损耗不变的前提下，可提升50%的开关频率，缩小磁性器件体积约30%。

砥砺前行，步履不停!

蓉矽半导体自成立以来就致力于第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件设计与开发，产品关键指标可达到现今国际最先进技术标准，在新能源汽车、充电桩、电驱控制等领域应用前景广阔，拥有符合IATF 16949的完整供应链和来自台湾汉磊的坚实产能保障。

未来，我们将持续加强海内外市场联动，朝着成为中国领先的功率半导体研发和制造基地的目标加速前进，以科技创新助力国家“双碳”进程。

关于蓉矽半导体

成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET;硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。

蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。

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