电容容量的测定方法有什么？
电容测量是分析半导体、元器件、材料等器件及各种电子设备特征的一项基础且十分重要的测量。通常，使用电容表/LCR 表可在高达几 MHz 的多个频率范围内执行电容-电压测量（CV测试），对器件进行表征。电容测量是一种极为常见的测量，但也是一个明明可以预防但还是非常容易出现测量错误的测试领域。
执行精确的电容测量时必须注意以下几点：
对电缆和夹具的寄生电感和电容进行补偿。
适合的连接，考虑到电流流动，使电容表的测量电流达到平衡。
使用晶圆探头的连接（适用于半导体晶圆测量）
要实现精确的器件表征，必须了解电容测量的理论知识以及先进的电容测量方法。
可满足 MOS 器件表征需求的准静态电容电压QS‐CV测试及其挑战
对于 MOS 器件表征来说，除了交流阻抗电容测量外，利用准静态 CV（QS-CV）方法测量电容与电压CV特征也是特别重要的。高频 CV（HF‐CV）曲线无法展示重要反相系统中的 MOS 氧化物的特性，只有 QS-CV 曲线才能显示这一信息。因此，QSCV测试对超薄氧化物 MOS 器件表征的表面状态分析至关重要。大多数情况下，都必须进行 QS-CV测试以及 HF-CV测试和基础的电压-电流测量。
QS-CV 可根据方程式 Q=CV 或 C=I/(dV/dt) 计算电容，前提是需要通过对电压/电流源和测量进行专门控制来获得线性斜率或电压步进。不过，LCR 表和电源/测量单元（SMU）等传统仪器不支持 QS-CV测试，需要使用专门的仪器。因此，尽管工程师们迫切需要 QS-CV测试，但 IV（电流-电压）、HF-CV 和 QS-CV测试的集成和执行一直非常困难。
全方位综合解决方案提供轻松和准确的 IV 和 CV测试 （ QSCV / HFCV测试）
为应对上述测量挑战， B1500A 半导体器件分析仪可以配置 SMU 进行 IV测试，也可配置多频率电容单元（MFCMU），在单一设备上进行 CV、C-t 和 C-f 测量。B1500A 的 SMU 还支持 QS‐CV 测量，这是传统 SMU 不具备的功能。
此外，KEYSIGHT B1500A 还支持 SMU CMU统一单元（SCUU），能够在 IV 测量和 CV 测量之间轻松切换，而集成多种测量的配置往往很难实现这一功能。而且，SCUU 可使用 SMU 将直流偏置扩大至 100V。上述功能使 Keysight B1500A 成为能够轻松、快速且准确执行 IV、HF-CV 和 QS-CV测试的完整解决方案。
通过集成电流-电压（IV）和CV测试，可让您对电容-电压CV测试结果充满信心
Keysight B1520A 多频率电容测量单元（MFCMU）拥有是德多年以来的 LCR 仪表技术和知识作为后盾, 进一步扩展 Keysight B1500A 半导体器件分析仪的精确电容测量功能。它集成了 MFCMU 和电源/测量单元（SMU）的功能，能够执行基本的 IV测试和多种电容测量，例如 CV、C-t、C-f 和准静态 CV（QS-CV），因而是一款综合的 IV 和CV测试解决方案。对于要求进行精密 IV 和CV测试的半导体、碳纳米管（CNT）、碳纳米线（CNW）、有源/无源元件、材料以及任意电气器件，B1520A 结合使用 EasyEXPERT 软件的分析和数据管理能力，非常适合对这些器件进行 IV 和 CV 表征。
通过自动更改连接，可以进行快速、精确的 IV 和CV测试
此外，选件 SMU CMU 统一单元（SCUU）允许您方便快捷地切换 IV 和 CV测试，并且不会影响测量精度。除了测量切换和测量精度这两个方面，B1500A 和 SCUU 组合还能处理 CV测试补偿、连接和返回路径问题。您无需对CV测试原理详加了解，仪器能够自动完成上述操作。
使用集成了偏置 T 型接头的 SCUU，可在高达100 V偏置时进行电容测量
MFCMU 内置有高达25 V的直流偏置电源，无需使用外部仪器即可实现偏压。利用 SCUU 中的偏置T型接头，SMU 可将直流偏置扩展到 100V，以满足更高的直流电压需求。直流偏置具有灵活的可扩展性，可以快速、精确地对各种器件进行 IV 和 CV测试。
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