【元件】 扬杰科技推出用于散热风扇控制的N+P双芯片合封MOSFET,适合对尺寸有极高要求的小型风扇

2023-09-19 扬杰科技
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近年来服务器电源的功率要求不断提升,产品体积小型化的趋势下,对散热的要求带来更加严苛的挑战。扬杰科技近日推出采用TSMT8封装的N+P双芯片合封MOSFET,简化产品电路桥接结构的同时保留了工程师应用的灵活性,并可较大限度节省PCB尺寸面积,适用于内部空间狭小的各类散热风扇产品。



产品特点

1、产品采用PDFN3030-8L(TSMT8)N+P双芯框架合封的产品,相对DFN3333(3.3X3.3mm)同类封装,具有更小的尺寸(2.8X2.9mm),更适用于对于尺寸有极高要求的小型风扇;

2、产品具有过流能力强,热阻低,更宽范围的SOA的特点;

3、NMOS与PMOS合封,简化电路桥接结构的同时保留工程师应用的灵活性;


电性参数


应用领域


■直流(DC)风扇

■节能(EC)风扇

■薄型离心扇

■热插入风扇

■风扇模块

■风扇数组





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本文由星晴123转载自扬杰科技,原文标题为:用于散热风扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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扬杰科技IGBT模块/单管选型表

扬杰科技提供IGBT模块、IGBT单管产品,提供如下参数产品:IGBT模块:集电极-发射极电压1200V,直流集电极电流10A~450A,集电极-发射极饱和电压1.75V~3V,开启开关损耗1.53mJ~91mJ;IGBT单管:集电极-发射极电压650V~1200V,直流集电极电流10A~160A,集电极-发射极饱和电压1.25V~2.1V,开启开关损耗0.65mJ~8.62mJ。

产品型号
品类
Package
VCES_Min(V)
IC@TC=80℃(A)
VCE(sat)_Typ(V)
Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ)
Rth(j-c)_Max((℃/W)
MG100HF12LEC1
IGBT模块
C1
1200
100
3
19.4
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