【产品】阻断电压BV>770V的ACP-2 I型高效三电平功率模块,助力储能产品实现更高功率密度和效率
更高功率密度,更高效率,更高可靠性是目前储能PCS的市场趋势。随着储能系统成本的下降,政策的支持及清洁能源发展的需求,全球储能市场已经迎来了高速增长。工商业储能,户用储能的应用场景也逐步的扩大,未来具有极广阔的发展前景。为此阿基米德半导体推出了系列化三电平IGBT功率模块助力工商业储能产品实现更高的功率密度,更高的充放电效率。
产品简介
兼容市场主流Easy2B封装,主要有三个规格:
650V/100A——AMG100L65P2H3RA,
650V/150A——AMG150L65P2H3RA,
700V/150A——AMG150L70P2H3RA,
其封装及拓扑如下:
产品概要
基本参数及拓扑图
阿基米德半导体ACP-2系列产品为了满足储能系统的要求,在IGBT和匹配FRD的性能上做了一系列的优化,目前在静态性能上该产品阻断电压BV>770V, VCEsat值低至1.35V,而行业一般在1.7V,优化后导通损耗降低近21%。同时相同测试条件下,动态性能Eon比行业低30%以上,Eoff比行业低50%以上,热阻Rth也比行业低近20%。FRD具备较低VF且超快恢复的性能。这样优化后在产品的功率损耗上远低于行业其他产品,为储能产品带来了更高的效率,客户端实际评测满载效率提升0.35%左右。
同时,该产品也特别适合APF,SVG应用,优化损耗的同时,关断电压应力也做了优化处理,方便客户工程师调试。
拓扑图
阿基米德半导体ACP-2系列产品经过多家客户评测,性能及稳定性名列前茅,主要特性如下:
低Vcesat 650V TS IGBT
低开关损耗及关断电压应力优化
低电磁干扰
内置NTC
低热阻氧化铝(Al2O3)衬底
紧凑型设计
集成的安装夹使安装坚固
该产品市场应用广泛,已经扩展到储能PCS,不间断电源UPS ,太阳能系统Solar Inverter,电能质量APF/SVG等行业。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由上山打老虎转载自阿基米德半导体公众号,原文标题为:阿基米德半导体发布ACP-2 I型高效三电平功率模块,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
华太产品超级结IGBT产品与应用解读
为了满足高开关频率的需求,华太电子在超结IGBT一代的基础上研发出650V和1200V的超级结IGBT第二代(以下简称:SJ-IGBT G2)系列产品。与场截止型IGBT相比,SJ-IGBT G2充分发挥了超级结的优势,显著提升了器件的正向导通能力和开关特性。
【IC】南芯科技推出80V升降压转换器SC8708,持续深耕宽压大功率工业储能市场
南芯科技宣布推出全新80V升降压转换器SC8708,配合专为工业及储能市场打造的升降压充电芯片SHP8808,适用于通信基站备电、医疗设备备电、工业电脑、电力备电等领域的大功率工业应用,标志南芯科技对宽压大功率储能应用领域的持续拓展与深耕。
【元件】阿基米德半导体推出单面水冷塑封SiC模块,全面迎接电动汽车800V高压平台时代的到来
针对高端电动车的系统需求,阿基米德半导体重点推出了电流密度更高、满足800V高压平台的ACD模块(单面水冷塑封SiC模块)。该模块融合了尖端技术,内置先进的SiC芯片,采用有压型银烧结互连工艺和Cu Clip键合技术,确保了卓越的电气连接性能和热管理。使用的Si3N4 AMB陶瓷基板不仅增强了机械强度和热导性,还提高了整体的耐用性和可靠性。
阿基米德半导体IGBT功率模块/IGBT分立器件选型表
阿基米德半导体推出高性能MOSFET/IGBT、Hybrid/ SiC SBD/MOSFET功率模块、分立器件产品,涵盖650V~1700V电压等级,产品主要应用于新能源汽车/光伏/储能/充电桩/数据中心/电能质量等领域。
产品型号
|
品类
|
Package
|
VCE(V)
|
IC(A)
|
AMG200L12L1H3RB
|
IGBT功率模块
|
ACL
|
1200
|
200
|
选型表 - 阿基米德半导体 立即选型
阿基米德半导体ACP-2高效三电平功率模块获得市场认可:预计2024全年出货量有望突破20万只
阿基米德半导体推出的第一代适用于105kw功率段的三电平模块ACP-2系列,一经推出就获得行业同类模块效率领先地位,阿基米德紧跟行业步伐,在此基础上进一步推出了更高效率的针对125-150kw功率段的ACP-3S功率模块,并处于持续放量中。
【选型】适用于50KW储能的1200V/200A的I型三电平IGBT模块
目前市场上50KW的储能产品,基于高效理念,通常需提高整机的开关频率(最高可达50kHz),主功率电路多采用I型三电平拓扑。Vincotech高集成度I型三电平的NPC IGBT模块10-FY07NPA200SM02-L366F08(1200V/200A)的IGBT模块,已经成功的助力50KW高效储能产品的设计。
阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会!
6月13至15日,阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相,阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管,半桥IGBT模块,三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充,工业电源,感应加热,光伏逆变器,储能PCS,新能源汽车等领域,为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。
森未科技1200V S3L300R12D6S/L IGBT模块在200kw工商业储能的应用,开关损耗低
介绍SEMI-FUTURE(森未科技)S3L300R12D6S、S3L300R12D6L模块在工商业储能的应用。
车规级SiC/IGBT厂商阿基米德半导体授权世强硬创代理,助力碳中和
阿基米德半导体1200V 75A IGBT芯片综合损耗超过国际友商IFX3代产品20%、6代产品15%;1200V 60A FRD芯片的反向恢复特性优于国内友商20%。
阿基米德半导体首席科学家刘胜院士一行拜访重点客户!
2024年2月27至3月1日,阿基米德半导体公司首席科学家刘胜院士、CEO、CTO等核心团队拜访公司重点客户深圳麦格米特电气股份有限公司(SZ:002851)、深圳市盛弘电气股份有限公司(SZ:300693)、深圳市英威腾电气股份有限公司(SZ:002334),并前往广州拜访新能源汽车领先厂商广汽集团(SZ:601238)和小鹏汽车(HK:09868)并与上述企业主要负责人进行深入交流。
阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展,共襄科技盛宴!
日前,阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管,半桥IGBT模块,三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充,工业电源,感应加热,光伏逆变器,储能PCS,新能源汽车等领域。
世强硬创获索力德普授权代理,大功率IGBT模块实现10PCS+并联使用
索力德普产品广泛应用于电焊机、感应加热、光伏领域、光伏逆变器、储能变流器、大功率变流器、电机/伺服驱动器、不间断电源、高频开关应用、风电变流器、新能源汽车等领域。
电子商城
服务
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供电子电气产品的辐射骚扰测试、辐射抗干扰测试,以及RFID,SRD,2G,3G,4G等无线产品的辐射骚扰测试、辐射杂散测试、辐射功率测试以及辐射抗干扰测试。测试频率可覆盖9KHz-26.5GHz。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论