【产品】国产45V光伏旁路沟槽肖特基二极管LD30N45SLS9，连续正向电流为30A，采用JK09E封装

时间： 2023-09-26 来源：龙夏电子

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

福建龙夏电子的沟槽肖特基二极管（TMBS）LD30N45SLS9，45V电压平台，连续正向电流为30A，正向压降0.495V@30A，采用JK09E封装，符合RoHS标准。

该产品采用沟槽MOS势垒肖特基技术，正向压降低，反向漏电流低，低功耗，高效率，可用于光伏组件接线盒等应用。

龙夏电子LD30N45SLS9的非重复正向峰值浪涌电流为400A，浪涌保护性能出色。ESDrating(150pF330Ωcontact-mode):>30Kvolts。工作结温为-55~150℃。器件的热阻的典型值为1℃/W。Tj=25℃下，器件的正向压降典型值为0.495V@30A，反向电流为20μA@45V。

特点：

●沟槽MOS势垒肖特基技术

●低存储电荷多数载流子传导

●超低正向压降

●低漏电流

●低功耗，高效率

●正向浪涌容量高

优势：

●散热好

●价格低，交期短

应用：

●太阳能光伏发电

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由洛希转载自龙夏电子，原文标题为:【产品】国产45V光伏旁路沟槽肖特基二极管LD30N45SLS9，JK09E封装，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

龙夏电子国产45V光伏旁路沟槽肖特基二极管LD80N45SOD9，采用JK-09E封装，连续正向电流为80A

福建龙夏电子的沟槽肖特基二极管（TMBS）LD80N45SLS9， 45V电压平台，连续正向电流为80A，正向压降0.485V@80A，采用JK09E封装，符合RoHS标准。该产品采用沟槽MOS势垒肖特基技术，正向压降低，反向漏电流低，低功耗，高效率，可用于光伏组件接线盒等应用。

2023-11-30 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】45V/30A光伏旁路沟槽肖特基二极管LD30N45SLS6，采用R-6轴向封装，可用于高频开关电源等领域

福建龙夏电子的沟槽肖特基二极管（TMBS）LD30N45SLS6，45V电压平台，连续正向电流为30A，正向压降0.470V@30A，采用R-6轴向封装，符合RoHS标准。该产品采用沟槽MOS势垒肖特基技术，正向压降低，反向漏电流低，低功耗，高效率。

2023-10-08 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】采用TOLL封装的MOS LR028N10SM10更极限地发挥出芯片的性能优势，导通电阻低至2.35mr

随着TOLL封装的出现，弥补了传统TO系列封装打线数量的限制，更加极限的发挥出大芯片的性能优势，相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻，同时提升了产品电流能力。LR028N10SM10耐压100V,导通电阻Ron2.35mr.。

2023-09-27 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

龙夏电子（Long-Tek）是一家功率器件设计公司。产品包含中低压MOSFET和SBD晶圆和成品，核心竞争力是BMS大电流SGT MOS和光伏组件接线盒大电流LOW VF沟槽SBD（TMBS）。产品应用范围包括动力锂电池保护、电源、电动工具、太阳能组件接线盒等领域。同时也逐步开发高压VDMOS、IGBT和SIC MOS、SIC肖特基二极管。

沟槽栅功率场效应晶体管 SGT MOSFET TMBS

代理服务线上商城技术资料

LD30N45SLS9 45V Trench MOS Barrier Schottky VF 0.495V@30A 25℃

型号- LD30N45SLS9

2022-7-27 - 龙夏电子 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持现货查询批量订货

龙夏电子（Long-Tek）中低压MOSFET和TMBS（沟槽肖特基二极管）选型指南

目录- 公司简介技术路线和应用领域介绍 MOSFET/TMBS 产品技术介绍 MOSFET/TMBS 产品列表品质管理和测试设备介绍

型号- LD40N45SMS9,LR012N04T10,LR037N10S10,D10N45IG,D14N45I,LD10N4512,M17N80S,D13E45SEG,LR055N95S3,D161N45P,D16E45SEG,D10N45IU,LD40N45I2,D26E45SEG,D100N45P,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR025N04T3,M10N100SC,LR049N08SA4,M26N100S,LR049N08SA3,LR016N08S10,LR053N95S3,M28N90S,D10N45I,LR022N08S3,D74N100T,M56N40T,LR023N04T2,M36N100,LR027N10S2,M26N95SA,LR038N10S2,LD50N45SOS9,LD20N45SHS6,LR012N04S10,LD40N45SNS9,LR040N10S3,LD35N45SMS6,LR032N08S10,D45N100T,D13N45IA,LR037N10S0,LR022N04T8,D324N45P,LD50N45SLD9,LD40N45SKD2,LR020N08S0,D13N45IU,LR022N10S10,M21N95SA,LR078N10S4,LD20N45SHS2,LD20N45SHS3,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,M17N100SF,LR055N09S3,D16E45SE,D23N45IU,D19E45SEG,LR038N08S1,D19E45SE,LR038N08S2,LR038N08SA10,LD25N45SHD9,LR032N08S1,LR035N08S3,LR032N08S0,LR018N10S10,LR067N08S8,LR032N08S2,LD30N100T3,LR067N08S4,M17N100S,LR074N09S4,LR020N08S10,D13E45SD,D23N45IM,LR051N95S2,M21N80SA,M36N95S,D23N45IL,LR072N10SL4,LD45N45SOS6,D36N68TG,LD30N45SLS9,M31N80SA,D50N100S,LR052N10S2,LD50N45SKD9,LR022N10S0,LR046N08SA10,LR063N08S2,TSR40L100CTF,LR072N09S8,LR072N09S3,D23N45I,D14N45IU,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,M26N40S,M31N95SA,M28N95S,M36N68TN,LD20N100T3,LD30N45SKS6,D37N100T,LD30N45SKS2,LD30N45SKS3,LD30N45SKS9,LR055N10S3,LR041N08SA3,D11N45S,LR049W08S1,LD25N45SJS6,LR032N10S10,LR065N08S3,M36N80S,LD25N45SJS2,LR052N95S8,M10N80S,M26N80SA,LR069N09S2,LR045N10S1,D250N45P,LR045N10S3,D27N100T,LR042N10S2,D11N45SU,D13N45I,LM120N08S1,LD10N100T2,LD10N100T3

2023/4/17 - 龙夏电子 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

LD30N45SLS9 45V Trench MOS Barrier Schottky VF 0.495V@ 30A 25°C

型号- LD30N45SLS9

2022-7-27 - 龙夏电子 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持现货查询批量订货

一文介绍封装工艺

本文龙夏电子介绍封装工艺，封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。

2023-10-25 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

探讨SGT MOSFET击穿电压BV

反向击穿电压是功率器件最重要的电学参数之一，限制了器件正常工作状态下能承受的最大反向电压。与传统VDMOS相比，同等反向耐压下SGT MOSFET的外延层掺杂浓度更高，导通损耗更小。

2023-10-18 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

全球有多少座8英寸碳化硅厂？

8英寸碳化硅时代的脚步已无比临近，本文将对全球碳化硅芯片厂以及我国碳化硅产业链企业进行盘点，进一步廓清碳化硅产业未来发展趋势。

2024-11-27 - 行业资讯代理服务技术支持现货查询批量订货

SGT电容的组成部分介绍

SGT和普通MOSFET一样，其寄生电容分为三大部分：栅源电容CGS，栅漏电容CGD以及漏源电容CDS（也可分为输入电容Ciss和输出电容Coss）。栅源电容CGS分为四部分，主要由栅极与源电极之间的电容CGS1，栅极与N+源区之间的电容CGS2，栅极与P型体区之间的电容CGS3，以及栅极与屏蔽栅（与源极共端）之间的电容CGS4。

2023-11-30 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

国内实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破

松山湖材料实验室第三代半导体团队与西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队，以及广东致能科技有限公司联合攻关，成功基于2~6英寸AlN单晶复合衬底制备了高性能GaNHEMTs晶圆。

2024-11-20 - 行业资讯代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】龙夏电子推出MOS LR013N10SM10，采用低导通电阻，耐压达100V

随着TOLL封装的出现，弥补了传统TO系列封装打线数量的限制，更加极限的发挥出大芯片的性能优势，相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻，同时提升了产品电流能力。福建龙夏电子LR013N10SM10耐压100V。

2023-10-08 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

VDMOS器件介绍

VDMOS为垂直导电双扩散金属氧化物场效应晶体管。VDMOS采用的大规模集成电路的微细工艺，准确的离子注入得到理想的杂质分布，多晶硅双层布线，多单元并联结构，单元密度高达1.8×104个/厘米2。当VGS＜VT时，源漏之间隔着P区，漏结反偏，故无漏极电流。当VGS＞VT时,栅下的P型硅表面发生强反型，形成连通源区和漏区的N型沟道，产生漏极电流ID 。