【产品】采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET AM2333，漏源电压-12V、栅源电压±8V
创瑞科技（AIT）推出的AM2333是一款采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET，栅极有ESD二极管保护，漏源电压-12V，栅源电压±8V，稳定状态的漏极电流为-6A，典型漏源导通电阻为27mΩ@VGS=-4.5V、32mΩ@VGS=-2.5V、45mΩ@VGS=-1.8V。
特点
· 超低的漏源导通电阻
· 栅极有ESD二极管保护
· 采用SOT-23封装
应用
· 电池开关
· 高侧负载开关
电路图
尺寸图（单位：mm）
极限值（TA=25℃，除非另有说明）
主要电气特性
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