中科汉韵成功交付超500片新能源车用主驱SiC MOSFET晶圆,良率达到70%以上,将持续用于车辆测试
2023年9月20日,江苏中科汉韵半导体有限公司(以下简称“中科汉韵”)已成功交付超500片新能源车用车规级SiC MOSFET晶圆。该产品包括1200V/17mohm、750V/13mohm两种型号产品,主要应用于电动汽车的主驱系统。
中科汉韵制造晶圆
中科汉韵致力于为市场提供高可靠碳化硅MOSFET及JBS系列产品,在研发、制造领域有多年技术积累及人才储备。去年,中科汉韵与客户开展系列合作研发与量产推进工作,围绕着SiC MOSFET在电动汽车主驱上的应用需求进行交流和讨论。
经过了工程批工艺开发、工艺平台逐步稳定、小批量交付客户、器件参数稳定以及客户模块参数验证和模块产品可靠性验证等一系列的验证后,中科汉韵于今年开始批量交付车规级SiC MOSFET晶圆产品,良率达到70%以上。
据客户反馈,中科汉韵交付产品的各项参数符合车用终端客户的验收和使用标准,该产品将持续应用于车辆测试中,目前已完成了近百天的极端气候条件测试(地面温度达到70摄氏度),无任何不良反馈。
N5模块&电动汽车主驱
中科汉韵将继续稳定产能,持续供应高品质产品、高质量服务,为国产碳化硅器件制造与研发贡献力量。
亮点摘要
1.中科汉韵成功交付超500片车规级SiC MOSFET晶圆,包括1200V/17mohm、750V/13mohm两种型号产品。
2.该产品应用在电动汽车的主驱系统,已完成了近百天的极端气候条件测试,无任何不良反馈。
3.中科汉韵将继续稳定产能,持续供应高品质产品、高质量服务。
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中电国基南方SiC MOSFET选型表
中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型,VDSS(V):650V~1700V,RDS(on):11mΩ~1000mΩ,ID:5~150A,有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。
产品型号
|
品类
|
VDSS(V)
|
RDS(on)(mΩ)
|
GEN
|
Drain Current(A) TC=25℃
|
VGS(th)(V) (Typ.)
|
Gate Charge Total(Qg)(nc)
|
Total Power Dissipation(PTOT)(W)
|
Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
|
Package
|
质量等级
|
WM2V020065K
|
SiC MOSFET
|
650V
|
20mΩ
|
G2
|
92A
|
2.6V
|
187nc
|
312W
|
175℃
|
TO-247-3
|
车规级
|
选型表 - 中电国基南方 立即选型
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电子商城
现货市场
品牌:CALY Technologies
品类:COMMON CATHODE SILICON CARBIDE SICSCHOTTKY DIODE
价格:¥53.3565
现货:30
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
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