【产品】采用TOLL封装的MOS LR028N10SM10更极限地发挥出芯片的性能优势，导通电阻低至2.35mr

时间： 2023-09-27 来源：龙夏电子

技术问答

随着TOLL封装的出现，弥补了传统TO系列封装打线数量的限制，更加极限的发挥出大芯片的性能优势，相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻，同时提升了产品电流能力。LR028N10SM10耐压100V，导通电阻Ron2.35mr。较传统TO-263封装导通电阻降低0.4mr，BMS应用10对LR028N10SM10 MOS可过150A持续电流。

特点：

SGT工艺

低导通电阻

优势：

大电流下温升低

抗冲击能力强

应用领域：BMS

温升测试：10对MOS 150A持续电流下温度约80℃

短路测试：10对MOS 16串100AH 磷酸铁锂电芯短路测试OK

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