【产品】采用TOLL封装的MOS LR028N10SM10更极限地发挥出芯片的性能优势，导通电阻低至2.35mr

时间： 2023-09-27 来源：龙夏电子

技术问答

随着TOLL封装的出现，弥补了传统TO系列封装打线数量的限制，更加极限的发挥出大芯片的性能优势，相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻，同时提升了产品电流能力。LR028N10SM10耐压100V，导通电阻Ron2.35mr。较传统TO-263封装导通电阻降低0.4mr，BMS应用10对LR028N10SM10 MOS可过150A持续电流。

特点：

SGT工艺

低导通电阻

优势：

大电流下温升低

抗冲击能力强

应用领域：BMS

温升测试：10对MOS 150A持续电流下温度约80℃

短路测试：10对MOS 16串100AH 磷酸铁锂电芯短路测试OK

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平伟实业参加2024先进热管理技术峰会！本次峰会，平伟实业携众多的产品及汽车电子解决方案，于现场为观众带来全新的产品技术理念、新能源汽车的新趋势、新发展的分享和讲解。

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产品型号	品类	封装形式	负载电压(V)	连续通态电流(A)	导通电阻(Ω)	通道数	工作温度(℃)	介质耐压(VRMS)	安规认证
HSSR-DA01	MOS继电器	DIP8/SMD8(9.6x6.4x3.6)	400V	0.1A	25Ω	2NO*	﹣40~85℃	5000Vrms	VDE、UL、CQC

选型表 - 华联电子立即选型

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