【经验】如何消除JEFET效应？以Trench MOSFET LR025N04T3为例说明
垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。
为了形成这种垂直沟道结构，必须在N-外延层中开沟槽，沟槽表面制作氧化层后，在沟槽内部填充多晶硅形成栅极；在沟槽氧化层外侧，通过二次扩散掺杂，形成P-体区，并在P-体区内部形成N+源极区。这种结构制作过程中，需要开沟槽（Trench），称为沟槽结构功率MOSFET管、Trench结构功率MOSFET管。
这种结构将栅极埋入基体中，形成垂直沟道，实际上就是使用内部深度来换取芯片表面面积，电流通路从下部衬底漏极，垂直流过N-外延区、沟道和N+源极区，沟道和电流方向平行，没有横向JFET寄生结构，因此，没有JFET效应和JFET电阻，导通电阻非常小；栅极水平方向截面积可以使用很小尺寸，栅极宽度远小于平面结构，寄生栅极漏极电容Cgd，即反向传输电容（米勒电容）Crss，大幅减小，开关损耗大幅降低；栅极宽度小，栅极所占用面积减小，晶胞单元尺寸（Cell Pitch）可以做得更小，芯片流过电流面积增大，芯片面积得到更为充分利用。同样芯片面积，单元尺寸更小，就可以制作更多单元，提高晶胞和沟道单位密度，进一步降低导通电阻。
沟槽结构导通电阻小，开关速度快，满足现代电力电子技术高频高效、高功率密度的要求。这种结构内部需要开挖沟槽，工艺复杂，沟槽侧壁平直度、沟槽底部表面圆滑度，都影响器件性能，所以，各个单元一致性、跨导特性和雪崩能量比平面结构差，对工艺控制的要求比平面高。沟槽结构主要适用于低压和中压功率MOSFET，如30V功率MOSFET管用于高频非隔离BUCK变换器，80V、100V器件用于通讯系统模块隔离电源，100V、150V器件用于通讯系统热插拔电路。
沟槽结构功率MOSFET管漏极和源极电压，依然由低掺杂N-外延层所承担，电压越高，外延层厚度越大，外延层电阻和器件耐压的2.5次方成正比，外延层电阻是影响总导通电阻主要因素之一。
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龙夏电子MOSFET选型表
龙夏电子提供以下参数的MOSFET：Polarity：N,N+P；Configuration：Single，Dual；Package：TO-252、TO-220F、TO-263、TO-247等多种封装；VDS(V)：20V~800V；VGS(±V)：12V~30V；ID(A)@25°C：4A~372A；RDS(ON)(mΩ)TYP@10V：0.37mΩ~780mΩ；EAS(mj)：13mj~7482.25mj；Rg(Ω)：0.37Ω~20Ω；Ciss(pF)：6pF~16974pF；Coss(pF)：41pF~4863pF;Crss(pF):2pF~723pF
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产品型号
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品类
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Polarity
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Configuration
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Package
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)@25°C
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EAS(mj)
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LR038N02T9
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MOSFET
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N
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Single
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PDFN3*3
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20V
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12V
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80A
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182.25mj
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选型表 - 龙夏电子 立即选型
龙夏电子（Long-Tek）MOSFET（成品）选型表
龙夏电子 - MOS,N沟道 SGT MOS,N沟道 TRENCH MOS,T-MOS,LM90N03T4,LM90N03T8,LR012N04T10,120N95S3,120N95S2,LR037N10S10,LR072N10SL4,LR055N95S3,LR052N10S2,LM150N03T4,LR016N95S10,80N95S4,LM150N03T8,LR022N10S1,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR022N10S0,LR025N04T3,LR062N08SL8,LR046N08SA10,LR063N08S2,LR049N08SA4,LR049N08SA3,LR016N08S10,LR053N95S3,LR072N09S8,LR072N09S3,LR022N08S3,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,LR023N04T2,80N08S4,LR027N10S2,LR038N10S2,LR060N08S3,LR012N04S10,100N08S8,LR040N10S3,LR032N08S10,LR055N10S3,LR037N10S0,LR022N04T8,LR041N08SA3,LR052N95S2,LR020N08S0,LR022N10S10,LR032N10S10,LR065N08S3,LR078N10S4,LR052N95S8,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,LR069N09S2,LR055N09S3,LR038N08S1,LR038N08S2,LR038N08SA10,LR032N08S1,LR035N08S3,LR045N10S1,90N08S8,LR032N08S0,LM80N03T4,LR045N10S3,LR018N10S10,LR042N10S2,LR067N08S8,LR032N08S2,LR067N08S4,LR074N09S4,LR020N08S10,LR051N95S2
龙夏电子-新洁能/华羿微/华润微/思开MOS对照表
描述- 龙夏电子与新洁能（NCE ）、华羿微电、华润微（CR MICRO）、思开等品牌的MOS对照表，包含SGT MOS和Trench MOS。
型号- LR012N04T10,CRTT048N08N,CRTD084N08N,CRSM053N08N,HYG011N04LS1TA,NCE016N85,NCEP40T15A,HYG063N09NS1P,NCEP026N10D,CRST025N08N,LR046N08SA2,LR030N10S3,LR025N04T3,CRST033N08N,CRTT084N08N,LR049N08SA3,LR016N08S10,LR053N95S3,LR022N08S3,HYG054N09NS1C2,CRSS023N08N,LR027N10S2,CRST065N08N,HY4008P,CRST045N10N,CRSS031N08N,LR022N04T8,NCEP023N10,LR022N10S10,CRSZ025N10N,SS023N10LS,NCEP039N10D,LR020N08S2,HY4008B,CRSS063N08N,CRST024N10N4,CRST041N08N,LR038N08S1,LR038N08S2,NCEP40T13AGU,LR035N08S3,LR032N08S1,LR032N08S0,90N08S8,CRSS046N08N,HY3708B,LR032N08S2,HY4008W,HY3708W,LR067N08S4,NCE 3080,CRST060N08N3,LR074N09S4,HYG032N08NS1B6,CRSQ036N10N,LR020N08S10,HY3708P,SS018N08LS,LR051N95S2,NCEP85T12D,120N95S3,CRSS052N08N,120N95S2,CRTT039N08N,CRST030N10N,HY4008NA2W,HY4008NA2P,CRST038N08N3,CRSS042N10N,CRSZ019N10N4,CRSS038N08N,NCEP01T15,HY4008NA2B,LR063N08S2,CRSS057N08N3,JMSH0804AE,LR072N09S3,NCEP029N10D,NCEP026N10LL,HYG032N08NS1W,NCEP023N10LL,NCEP85T11,HYG015N10NS1TA,NCEP8588,CRSS028N10N,100N08S8,CRSZ020N08N,LR041N08SA3,HYG022N10NS1TA,LR065N08S3,LR052N95S8,NCEP01T18VD,HY4008B6,NCEP01T25LL,CRTS084N08N,HYG035N08NS2P,120N08SA2,NCEP040N10D,120N08SA3,CRST055N08N,CRSS037N08N3,LR045N10S1,CRSM058N08N3,LR045N10S3,LM80N03T4,LR042N10S2,NCEP023N10D,HYG055N09NS1B,CRST049N08N
对照表 - 龙夏电子
龙夏电子40V-MOSFET选型表
龙夏电子提供如下参数的40V-MOSFET：N道沟槽，BV:40V；ID：120-320A；Vth Typ：1.6-3V；Ron typ:0.9-1.8mΩ；Ron Max：1.2-2mΩ；EAS：1190-2970mj
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产品型号
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品类
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N/P管
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状态
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BVDSS（V）
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ID（A）
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Vth Typ (V)
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Ron(mΩ) typ @ 10V(mΩ)
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Ron(mΩ) Max @ 10V(mΩ)
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EAS （mj）
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LR020N04T10
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MOSFET
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N
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MP
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40
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160
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3
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1.7
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2
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1406
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选型表 - 龙夏电子 立即选型
锐骏半导体（Ruichips）沟槽MOSFET和超结MOSFET选型指南
锐骏半导体 - HIGH-PERFORMANCE-ADVANCED TRENCH MOSFET,沟槽MOS管,超结MOSFET,TRENCH MOSFET,P-MOSFET,N-MOSFET,SUPER-JUNCTION MOSFET,N-MOSFET场效应管,高性能先进的沟槽MOSFET,P-MOSFET场效应管,RU1HE4H,RU8048S,RU1H140R,RU30E4B,RU1HE4D,RU8048R,RU4090L,RU6051K,RU140N10R,RU6099S,RU6075R,RU6051M,RU6099R,RU75110R3,RU30C30M,RU75400Q,RU70200R,RU2H35S,RU2H35Q,RU8048L,RU2H35R,RU1H130R3,RU306C,RU1HE3H,RU60E2B,RU75260Q,RU1Z150R,RU2H100Q,RU1H301Q,RU1Z150S,RU2H100R,RUH30140M,RUH3051L,RU3089L,RUH3051M,RU3089M,RU1H150S,RU3065L,RU65110R,RU1H150R,RU1H130Q,RU1H130S,RU20D40M3,RU1H130R,RU40231Q2,RU6085L,RU6085M,RU75150R,RU40130R,RU2H80R,RUH30120L,RU1H20H,RU75N08R3,RU1HT3H,RU70E4D,RU20P17M2,RU6085H,RU70E4H,RU65110R3,RU30230R,RU7088R3,RU16P8M4,RU3020H,RU1Z120R3,RU6050R,RU6050S,RU8590R,RU8590S,RU68130R,RU190N08R,RU190N08Q,RU6050L,RU190N08S,RU80N15Q,RU80N15R,RU7588R3,RU40120M,RU40S4H,RU80N15S,RU3568L,RU30231R,RU3520H,RU20P7C,RU3568R,RU80T4H,RU40E80L,RU7089R,RUH30D18H,RU30J30M,RU65R900P,RU40120S,RU40120R,RU65R900L,RU40E25L,RU30P5H,RU40121M,RU30E40L,RU1H7H,RU30C10H,RU205B,RU7088R,RU30J41M,RU40121R,RU40L10H,RU40230S,RU40230R,RU75240R,RU4089R,RUH1H20H,RU30P5D,RU2H30R,RU2H30S,RU8205G,RU4089L,RUH30120M,RU30160R,RU60120R,RU30P4H,RU3040M2,RU2H30Q,RU30D20H,RU60E25R,RU7588R,RU40C40M,RU60E25K,RU1H140R3,RU60E25L,RU40190R,RU40190S,RU30L70L,RU40231R,RU1H40L,RU70140R,RU1H40M,RUH30100M,RU30L40M2,RU1Z121R,RU20P4C6,RU40L10L,RU4068L,RU3030M2,RU30L15H,RU20P4C,RU30290R,RU8099R3,RU304B,RU1HP35L,RU207C,RU40191S,RU55110R,RU1HE3D,RU3075R,RU1HE12L,RU30J51M,RU2560L,RU40220R,RUH4020H,RU60C8H,RU6070L,RU30200M,RU2HE5L,RU7085R,RU3041M2,RU1Z120R,RU20P3B,RU65120R,RU7550R,RU30291R,RU7550S,RU3075L,RU30E60M2,RU55111R,RU6888R3,RUH40130R,RU65R580L,RU30C8H,RU3070L,RU60P50S,RU3070M,RU6580R,RU1H100R,RU1H221R,RU1H221Q,RUH3090L,RUH40130M,RU1HP60S,RU1HP60R,RU1HP60Q,RU40180M,RU65R2KL,RU65R2KP,RU1HL13L,RU20P7C6,RU1HL13R,RUH3030M2,RUH30J51M,RU30E20H,2N7002K,RU3012M4,RU1HL13K,RU65R580P,RU3582R,RU8099R,RU1H220R,RU3582S,RU1H220Q,RU6080L,RU60101R,RU6888S,RU2H50Q,RU2H50S,RU6888R,RU2H50R,RU30S15H,RU6888M,RU1H190S,RUH40130L,RU1H190R,RU40P4H,RU35122S,RU35122R,2N7002,RU60D5H,RU1H60R,RU3060K,RU3060L,RU2030M2,RU40190Q2,RU65R740P,RUH40140M,RU65R740L,RU30300R,RU75110S,RU75110Q,RU60100R,RU75110R,RU30P4B,RU30P4C,RU68130R3,RUH3020L,RU60E16R,RU1HE16L,RU20P18L,RU16P4M4,RU60E16L,RU75N08S,RU75N08R,RU60450Q,RU75230S,RU4099Q,RU75N08L,RU4099R,RU40280R,RU30P3B,RU120N15Q,RUH4080L,RU7582S,RU2HE2D,RU60190R,RU30P4C6,RU30L18H,RU6010H,RUH4080M,RU120N15R,RU30D10H,RU7570L,RU1H180S,RU7582R,RU3710S,RU1H180R,RU3560L,RU3710R,RU60E5H,RU12200R,RU3090M,RU55200Q,RU6099R3,RU30120L,RUH8080H,RU30120M,RUH60100M,RU6055S,RU60E5D,RU70190R,RU75150R3,RU6055R,RU7080L,RU1Z200Q,RU7581R,RU6055L,RUH3051M2,RU3010H,RU80190R,RU75210R3,RU60E6H,RU80100R,RU80100S,RU1Z40L,RU190N10Q,RU190N10S,RU190N10R,RU1H35R,RU3070M2,RU1H35S,RU1H35Q,RU70E15L,RU1H35L,RU30120S,RU1H35K,RUH60100R,RU7580R,RUH30D20H,RUH30J30M,RU30120R,RU65R340L,RU1H150Q,RU30L30M,RU30D8H,RU3080L,RU75170S,RU3080M,RU1H300Q,RU75170R,RU1H36S,RU6881R,RUH4040M2,RU2020H,RU1H36R,RU40150R,RU55L18L,RU40150S,RU1H36L,RU30S5H,RU60280R,RU65R340P,RU40P3C,RU2520H,RU2568L,RU1088R,RU3091M,RU6199Q,RU30D20M2,RU75210R,RU8205C6,RU75210S,RU12150R,RU60200R,RU12150Q,RU4095L,RU6199R,RU75210Q,RUH30150M,RUH4060K,RU55L18R,RUH4060L,RU40E32L,RUH6020H,RU8080S,RU30S4H,RUH3025H,RU3011H,RU1HL8L,RU602B,RU70100R,RU1H160R,RUH8015H,RU1H80R,RU60P50L
20N10 100V、20A N沟道功率Trench MOSFET
本资料介绍了20N10型100V, 20A N-channel Power Trench MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷，经过100% UIS和ΔVds测试，符合RoHS标准。
固得沃克 - N沟道功率沟槽MOSFET,N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET,20N10,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,脉宽调制,PWM,负载开关
【产品】龙夏电子推出MOS LR013N10SM10，采用低导通电阻，耐压达100V
随着TOLL封装的出现，弥补了传统TO系列封装打线数量的限制，更加极限的发挥出大芯片的性能优势，相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻，同时提升了产品电流能力。福建龙夏电子LR013N10SM10耐压100V。
JMTK3005C 30V、94A、6.0mΩN沟道功率Trench MOSFET
本资料介绍了JMTK3005C型N沟道功率 trench MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有优异的导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
捷捷微电 - N沟道功率沟槽MOSFET,N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET,JMTK3005C,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关
【IC】新洁能新品Gen.5 Trench MOSFET PMOS 30V系列：超高成度、超短沟道长度
NCE新洁能研发团队持续创新，中低压沟槽型工艺平台推出增强型MOSFET G5系列新品，电压涵盖20-60V系列产品，N型沟道和P型沟道，不同功率级别的众多封装外形系列产品，已在8英寸和12英寸产线成功量产，本次着重推介PMOS 30V产品型号。
推进BMS保护板、锂电储能、电机控制器中低压MOSFET应用，龙夏电子授权世强硬创全线代理
龙夏电子依托世强硬创平台共同为下游用户提供中低压 MOSFET、IGBT, SBD 的晶圆和成品、TMBS等全线产品。
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可定制VC厚度最薄0.25±0.03mm，Qmax 650W，0.4mmVC可设计最大散热面积6000 mm2，铜VC可采用复合毛细结构：蚀刻+铜粉烧结。
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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