【产品】杜因特推出的P沟道MOSFET DC020PG，采用先进的沟槽技术和设计，具有良好的散热性能
杜因特推出型号为DC020PG的P沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(on)和低栅极电荷特性。该器件适用于多种应用。
特点:
VDS=-30V，ID=-35A，RDS(ON)＜20mΩ@VGS=-10V
低栅极电荷
提供绿色环保器件
采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低的RDS(ON)
采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能
封装图和示意图：
绝对最大额定值（除非另有说明，否则TC=25℃）：
热性能：
封装标记和订购信息：
电气特性（除非另有说明，否则TC=25℃）：
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制
2.数据经脉冲测试所得，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
3.基本与工作温度无关
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