SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的区别
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势如：低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。
* 批量交付的SiC MOS型号
SiC-MOSFET的特征
SiC-SBD的章节中也使用了类似的图介绍了耐压覆盖范围。本图也同样，通过与Si功率元器件的比较，来表示SiC-MOSFET的耐压范围。
目前SiC-MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关于优势，现将1kV以上的产品与当前主流的Si-IGBT来比较一下看看。相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET(超级结MOSFET)，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
下表是600V～2000V耐压的功率元器件的特征汇总。
雷达图的RonA为单位面积的导通电阻(表示传导时损耗的参数)，BV为元器件耐压，Err为恢复损耗，Eoff为关断开关的损耗。SiC已经很完美，在目前情况的比较中绝非高估。
下一篇将结合与SJ-MOSFET和IGBT的比较，更详细地介绍SiC-MOSFET的特征。
功率晶体管的结构与特征比较
下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。
使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结(Super Junction)结构的MOSFET(以下简称“SJ-MOSFET”)应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。
在特征方面，Si-DMOS存在导通电阻方面的课题，如前所述通过采用SJ-MOSFET结构来改善导通电阻。IGBT在导通电阻和耐压方面表现优异，但存在开关速度方面的课题。SiC- DMOS在耐压、导通电阻、开关速度方面表现都很优异，而且在高温条件下的工作也表现良好，可以说是具有极大优势的开关元件。
这张图是各晶体管标准化的导通电阻和耐压图表。从图中可以看出，理论上SiC-DMOS的耐压能力更高，可制作低导通电阻的晶体管。目前SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。
MOSFET-与Si-MOSFET的区别
尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si- MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
与Si-MOSFET的区别:驱动电压
SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，由于漂移层电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。
导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近最小值。一般的IGBT和Si- MOSFET的驱动电压为Vgs=10~15V，而siC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动，以充分获得低导通电阻。也就是说，两者的区别之一是驱动电压要比Si-MOSFET高。与Si- MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。
与Si-MOSFET的区别:内部栅极电阻
SiC-MOSFET元件本身(芯片)的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC- MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品(S2301为裸芯片产品)的内部栅极电阻约为6.3Ω。
这不仅局限于SiC-MOSFET,MOSFET的开关时间依赖于外置栅极电阻和上面介绍的内部栅极电阻合在一起的综合栅极电阻值。SiC-MOSFET的内部栅极电阻比Si-MOSFET大，因此要想实现高速开关，需要使外置栅极电阻尽量小，小到几Ω左右。
但是，外置栅极电阻还承担着对抗施加于栅极的浪涌的任务，因此必须注意与浪涌保护之间的良好平衡。
与IGBT的区别:Vd-Id特性
Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。下面是25℃和150℃时的Vd-Id特性。
请看25℃时的特性图表。SiC及SiMOSFET的Id相对Vd(Vds)呈线性增加，但由于IGBT有上升电压，因此在低电流范围MOSFET元器件的Vds更低(对于IGBT来说是集电极电流、集电极-发射极间电压)。不言而喻，Vd-Id特性也是导通电阻特性。根据欧姆定律，相对Id， Vd越低导通电阻越小，特性曲线的斜率越陡，导通电阻越低。
IGBT的低Vd(或低Id)范围(在本例中是Vd到1V左右的范围)，在IGBT中是可忽略不计的范围。这在高电压大电流应用中不会构成问题，但当用电设备的电力需求从低功率到高功率范围较宽时，低功率范围的效率并不高。
相比之下，SiC MOSFET可在更宽的范围内保持低导通电阻。此外，可以看到，与150℃时的SiMOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓，因而导通电阻增加。但是，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。
与IGBT的区别:关断损耗特性
前面多次提到过，SiC功率元器件的开关特性优异，可处理大功率并高速开关。在此具体就与 IGBT开关损耗特性的区别进行说明。
众所周知，当IGBT的开关OFF时，会流过元器件结构引起的尾(tail)电流,因此开关损耗增加是IGBT的基本特性。
比较开关OFF时的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流过尾电流，因此相应的开关损耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET+SBD(肖特基势垒二极管)的组合与IGBT+FRD(快速恢复二极管)的关断损耗Eoff相比，降低了88%。
还有重要的一点是IGBT的尾电流随温度升高而增加。顺便提一下，SiC-MOSFET的高速驱动需要适当调整外置的栅极电阻Rg。这在前文“与Si-MOSFET的区别”中也提到过。
与IGBT的区别:导通损耗特性
IGBT在开关导通时，流过Ic(蓝色曲线)用红色虚线圈起来部分的电流。这多半是二极管的恢复电流带来的，是开关导通时的一大损耗。请记住:在并联使用SiC-SBC时，加上恢复特性的快速性，MOSFET开关导通时的损耗减少;FRD成对时的开关导通损耗与IGBT的尾电流一样随温度升高而增加。
总之，关于开关损耗特性可以明确的是:SiC-MOSFET优于IGBT。另外，这里提供的数据是在ROHM试验环境下的结果。驱动电路等条件不同，结果也可能不同。
体二极管的特性
如图所示，MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲，体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说，体二极管的性能是重要的参数之一，在应用中使用时,其性能发挥着至关重要的作用。
SiC-MOSFET体二极管的正向特性
下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源极为基准向漏极施加负电压，体二极管为正向偏置状态。该图中Vgs=0V的绿色曲线基本上表示体二极管的Vf特性。 Vgs为0V即MOSFET在关断状态下，没有通道电流，因此该条件下的Vd-Id特性可以说是体二极管的Vf-If特性。
在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下，电阻更小的通道部分(而非体二极管部分)流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态，下面还给出了MOSFET的截面图。
SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性
MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间(trr)。trr是二极管开关特性相关的重要参数。MOSFET的体二极管是具有pn结的二极管，因而存在反向恢复现象，其特性表现为反向恢复时间(trr)。下面是1000V耐压的Si-MOSFET和SiC-MOSFET 的trr特性比较。
如图所示，示例的Si-MOSFET的trr较慢，流过较大的Irr。而SiC-MOSFET的体二极管速度则非常快。trr、Irr均为几乎可忽略的水平，恢复损耗Err已经大幅降低。
SiC-MOSFET体二极管的应用实例
介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了 SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
SiC-MOSFET应用实例1:移相DC/DC转换器
下面是演示机，是与功率Power Assist Technology Ltd.联合制作的。
全桥式逆变器部分使用了3种晶体管(SiIGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介绍的第三代沟槽结构SiC-MOSFET)，组成相同尺寸的移相DCDC转换器，就是用来比较各产品效率的演示机。
首先，在SiC-MOSFET的组成中，发挥了开关性能的优势实现了SiIGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外，第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2个晶体管并联组成了1个开关，但由于第三代(3G) SiC-MOSFET导通电阻更低，晶体管数得以从8个减少到4个。关于效率，采用第三代(3G) SiC-MOSFET时的结果最理想，无论哪种SiC-MOSFET的效率均超过Si IGBT。
SiC-MOSFET应用实例2:脉冲电源
脉冲电源是在短时间内瞬时供电的系统，应用例有气体激光器、加速器、X射线、等离子电源等。作为现有的解决方案有晶闸管等真空管和Si开关，但市场需要更高耐压更高速的开关。针对这种市场需求，利用SiC的高耐压和高速性能，实现了超高电压高速开关。从高速性的角度看这是SiIGBT很难实现的。
超高压脉冲电源
特征:(1)超高耐压为N通道SiCMOSFET;(2)低导通电阻(以往产品的1/100以下);(3)高重复频率。
应用案例:(1)荷电粒子加速器;(2)医疗用设备电源;(3)等离子发生器。
1～10kV随机脉冲发生器：13.2kV SiC开关
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HI-SEMICON（深鸿盛）MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装
型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T
GSA100AA60 (100A 600V) IGBT 模块
描述- 本资料介绍了GSA100AA60 IGBT模块，这是一种适用于工业应用的功率半导体器件。该模块具有低损耗、小型化和高可靠性的特点，适用于AC/DC TIG焊接机、UPS旁路AC开关和表面处理用正反向脉冲电源等领域。
型号- GSA100AA60
中电国基南方（CETC）SiC电力电子器件选型指南
描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题；申请发明专利超过200多项，其中PCT10项，已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V，电流覆盖2A-150A，产品性能和可靠性满足多种应用需求，已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。
型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
SILM534XAT 5.0kVRMS光兼容单通道隔离式栅极驱动器
描述- SiLM534xAT是一款单通道光耦兼容隔离栅极驱动器，适用于MOSFET和IGBT。它具有1.0A至4.0A的峰值输出电流能力，并支持宽范围的栅极驱动电源电压（10V至40V）。该产品具备高共模瞬态免疫性、低传播延迟和小脉冲宽度失真等特点，适用于各种电机驱动、太阳能逆变器、工业电源和家用电器。
型号- SILM5341ATCR-DG,SILM5343ATCR-DG,SILM5346ATCR-DG,SILM5343AT,SILM5340ATCR-DG,SILM5340AT,SILM5341AT,SILM5346AT,SILM5345ATCR-DG,SILM5345AT,SILM534XAT
Littelfuse（力特）功率半导体和IC选型指南
目录- Nomenclature Featured Packages IGBT Discretes IGBT Modules Power MOSFET Diodes Breakover Diodes Thyristors Rectifier Modules Solid State Relays Gate Driver ICs High Power Devices Stacks and Accessories Outline Drawings Alphanumeric Index
型号- IXTR20P50P,IXFX 180N10,IXXH80N65B4H1,IXFA14N60P,IXTA8N65X2,IXFH16N60P3,DSP8-12A,IXTH440N055T2,DSS16-01AS,IXFK48N60Q3,DSEP...,IXFN360N15T2,MIXG240RF1200PTED,IXYH24N90C3,IXFB210N30P3,IXFP12N65X2,DSP8-12S,IXTP08N50D2,IXTY32P05T,MUBW50-17T8,IXFK160N30T,IXFH50N60P3,IXFT96N20P,DPG30P300PJ,LSIC2SD065E40CCA,X014A,IXTT500N04T2,IXTH1N170DHV,IXYH30N170C,DSEP30-06BR,IXEL40N400,IXTP6N100D2,IXFH170N10P,IXFR16N120P,MBR10200CT,DSEI2X30-06C,IXTQ64N25P,IXTP16N50P,DSA20C200PB,DST2045AX,IXTX240N075L2,IXTA76N25T,IXTQ22N50P,IXFT14N80P,IXTY44N10T,IXFP12N65X2M,IXYP8N90C3,DSB60C30PB,DSEP2X91-03A,IXBOD 2-17RD,S802XSX,IXTT52N30P,DSA70C100HB,CMA30E1600PB,IXTA3N100P,IXFR64N50Q3,IXTA70N075T2,IXTX32P60P,IXTX600N04T2,IXTA100N04T2,CMA30E1600PN,CLA5E1200PZ,DST1045S,DMA10P1200HR,IXGH12N120A3,IXTX4N300P3HV,IXTH04N300P3HV,IXFK44N50P,IXTP44P15T,IXXN200N65A4,IXFH96N15P,IXFP4N100P,IXTP120P065T,IXFH86N30T,IXTP3N100P,IXTH20P50P,FMD15-06KC5,IXFX78N50P3,IXBOD 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2X...1-...,IXFH52N30P,IXFN26N120P,DSA15IM45UC,IXTJ6N150,IXYP15N65C3,DSEI12-06AS,MBRF10200CT,IXFK520N075T2,IXTH64N10L2,IXXK300N60C3,IXTT140N10P,IXFH26N60P,DSA30C150HB,DSSK50-01A,IXFK140N20P,IXFK230N20T,IXFX64N60P3,IXFB132N50P3,DMA50I1200HA,IXBOD2-42RD,IXTT82N25P,IXFR24N90P,IXFH72N30X3,MMIX1H60N150V1,IXFK64N50P,IXTT80N20L,IXTH44P15T,IXTY18P10T,DST20100C,IXYX120N120B3,IXFN140N25T,IXTH12N65X2,DSSK20-0045B,IXFH14N60P3,IXFN52N100X,IXBT32N300HV,IXTH3N150,IXYH55N120C4,IXFH120N25T,IXXK300N60B3,IXFX64N60Q3,IXFK120N30P3,IXFK80N60P3,DSEI20-12A,DSEI30-06A,DCG10P1200HR,IXYF20N400C,IXTH50N25T,DSI30-08A,DSA120X150LB,DSEI19-06AS,IXYL60N450,DPF60C200HJ,DSSK70-003B,MCL10P1200LB,SXX40X,IXGT32N100A3,IXBOD 1-23RD,DSSK28-0045BS,CS30-16IO1,IXBN75N170,MBRF20200CTR,IXFR32N100Q3,IXTH180N10T,MTC120WX55GD,IXXN200N60C3H1,IXGT25N250,IXFH18N65X2,IXGX82N120A3,DSA60C45PB,IXBOD 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【产品】耐压可达600V的高性价比MOS管驱动芯片EG2106
屹晶微电子的EG2106是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。
SILM27273单通道、高速、低端栅极驱动器
描述- SiLM27273是一款单通道、高速、低边门极驱动器，适用于MOSFET和IGBT功率开关。该器件设计用于最小化闩锁电流，能够在电容负载中提供高峰值脉冲电流，具有轨到轨驱动能力和极小的传播延迟（典型值为18ns）。它能在12V电源电压下提供4A源极和5A漏极峰值驱动电流。
型号- SILM27273,SILM27273AD-7G
【产品】大功率MOS/IGBT管驱动芯片EG2132，电源电压范围宽8V～20V，静态功耗低
屹晶微电子的EG2132是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
【产品】带SD功能MOS管驱动EG2104，静态功耗小于1uA
屹晶微电子的EG2104是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。
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型号- SCP65R090CF,SFS3401,SC3D40065D,SC3D40120D,SFS3400,SC3D40065I,SC3D40065H,SC3D15120H,SC3D40065G,SGP104R5T,SFS2N7002,SFS3407,SC3D10120H,SCW65R075CF,S3M040120K3,SCW65R050CF,SFD3009T,SGA104R5T,SC3D40065A,SFA10015T,SFS2301,SC3D30065I,SFS3415,SCW65R090CF,SC3D30065G,SFD50N06,SC3D30065H,SC3D30120H,SGD105R5T,SGP104R0T,SC3D30065D,SC3D30120D,SC3D30065A,SFD6008T,SCW65R041CF,S3M075120K3,SC3D20065I,SC3D20065H,SC3D20120H,SC3D20065A,SGA105R5T,SGA104R0T,SC3D20065D,SC3D20065G,SC3D20120D
SILM5350单通道10A隔离式栅极驱动器
描述- SiLM5350是一款单通道隔离栅极驱动器，适用于IGBT和MOSFET。它提供10A源电流和10A吸收电流，具有分立输出以独立控制上升和下降时间。该产品具备高共模瞬态免疫力（CMTI）、低传播延迟、小脉冲宽度失真和高工作温度等特点，适用于各种电机驱动、太阳能逆变器、工业电源和家用电器。
型号- SILM5350SABCA-DG,SILM5350RABCA-DG,SILM5350HGDCM-DG,SILM5350FGDCM-DG,SILM5350SDBCA-DG,SILM5350MGDCM-DG,SILM5350RDBCA-DG,SILM5350PABCA-DG,SILM5350HABCA-DG,SILM5350MABCA-DG,SILM5350RBDCM-DG,SILM5350MDDCM-DG,SILM5350FABCA-DG,SILM5350SGDCM-DG,SILM5350PBDCM-DG,SILM5350RGBCA-DG,SILM5350PGBCA-DG,SILM5350HDBCA-DG,SILM5350PDBCA-DG,SILM5350FDBCA-DG,SILM5350MADCM-DG,SILM5350SDDCM-DG,SILM5350HGBCA-DG,SILM5350SBBCA-DG,SILM5350MBBCA-DG,SILM5350SADCM-DG,SILM5350FGBCA-DG,SILM5350,SILM5350M,SILM5350H,SILM5350F,SILM5350MBDCM-DG,SILM5350HBDCM-DG,SILM5350FBDCM-DG,SILM5350SGBCA-DG,SILM5350FADCM-DG,SILM5350PBBCA-DG,SILM5350RBBCA-DG,SILM5350SBDCM-DG,SILM5350RGDCM-DG,SILM5350PGDCM-DG,SILM5350HDDCM-DG,SILM5350RDDCM-DG,SILM5350PDDCM-DG,SILM5350P,SILM5350MDBCA-DG,SILM5350R,SILM5350S,SILM5350FDDCM-DG,SILM5350HBBCA-DG,SILM5350MGBCA-DG,SILM5350 FAMILY,SILM5350PADCM-DG,SILM5350HADCM-DG,SILM5350FBBCA-DG,SILM5350RADCM-DG
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