【产品】ROHM推出RGWXXTS65(D)系列绝缘栅双极晶体管，具有更低的饱和压降和开关损耗

时间： 2018-12-22 来源：ROHM

技术问答

ROHM(罗姆)是全球著名的半导体和电子零部件的解决方案主要供应商，近期罗姆推出了一批TO-247N封装的RGWXXTS65(D)系列绝缘栅双极晶体管（IGBT）——RGW80TS65、RGW60TS65 、RGW00TS65、RGW60TS65D、RGW80TS65D、RGW00TS65D。晶体管具有更低饱和压降、低开关损耗、高速切换和软切换等特点，且符合无铅标准、通过了RoHS认证，是绿色环保电子元器件，可应用于IH、PFC、UPS、焊接和太阳能逆变器等领域。

图1 RGWXXTS65(D)系列绝缘栅双极型晶体管产品图

RGWXXTS65(D)系列绝缘栅双极晶体管的集电极-发射极电压V_CES额定值均为650V，集电极-射极饱和压降V_CE（sat）的典型值均为1.5V。在25℃时，集电极电流I_C的额定值分别60/78/96A，100℃时，集电极电流I_C的额定值分别为30/40/50A；在25℃下的功耗P_D的额定值分别为223/272/326W，在100℃下的功耗P_D的额定值分别为178/214/254W。另外，其工作结温范围为-40℃~+175℃，存储温度范围在-55℃~+175℃。三款IGBT的结壳热阻R_θ(j-c)最大值分别为0.84、0.70、0.59℃/W。产品的散热性能好，且能够适应在高低温苛刻的工作环境，可应用高压大电流的电力系统，具有更高的电气可靠性、稳定性和安全性。

RGWXXTS65(D)系列绝缘栅双极晶体管在I_C=30/40/50A，V_CC=400V，V_GE=15V，R_G=10Ω，T_j=25℃情况下，开通延迟时间t_d(on)典型值分别为37/44/52ns，上升时间t_r典型值为13/17/21ns，关断延迟时间t_d(off)典型值为114/143/180ns，下降时间t_f典型值为35/34/33ns，其开通能量损耗E_on典型值仅为0.48/0.76/1.18mJ，关断能量损耗E_off典型值为0.49/0.72/0.96mJ。另外，在V_CE=400V，I_C=30/40/50A，V_GE=15V情况下，三款产品的栅极电荷总量Q_g典型值为84/110/141nC，栅极-发射极电荷Q_ge典型值为17/23/30nC，栅极-集电极电荷Q_gc典型值为31/41/52nC，。由此可见，RGWXXTS65(D)系列绝缘栅双极型晶体管的开关充放电时间短、损耗小、在切换过程中具有产热少、能量利用率高、开关切换速度快等优势，可用于高速开关切换的应用中。

RGWXXTS65(D)系列绝缘栅双极型晶体管中，RGW60TS65D、RGW80TS65D、RGW00TS65D型号的电气参数与RGW00TS65、RGW80TS65、RGW60TS65对应一致，区别在于RGW60TS65D、RGW80TS65D、RGW00TS65D晶体管内置快恢复二极管，具有软恢复功能，RGW00TS65、RGW80TS65、RGW60TS65绝缘栅双极型晶体管电气原理图如图2，RGW60TS65D、RGW80TS65D、RGW00TS65D晶体管电气原理图如图3。

图2 RGW60TS65 、RGW80TS65、RGW00TS65绝缘栅双极型晶体管电气原理图

图3 RGW60TS65D、RGW80TS65D、RGW00TS65D绝缘栅双极型晶体管电气原理图

RGWXXTS65(D)系列绝缘栅双极型晶体管的产品特点：

·高速切换开关

·低开关损耗和软切换

·低集电极-射极饱和压降

·符合无铅标准，通过了RoHS认证

·内置快速、软恢复FRD（RGW60TS65D、RGW80TS65D、RGW00TS65D特有）

RGWXXTS65(D)系列绝缘栅双极型晶体管的市场应用：

·IH

·PFC

·UPS

·焊接

·太阳能逆变器

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全部评论（2）

小莫 Lv3 高级工程师 2022-11-17

ROHM 有没有1200V 75A的低损耗高速管？
- johnz回复： ROHM的IGBT暂时没有1200V 75A，目前最大是40A的，型号：RGS80TSX2DGC11
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小莫 Lv3. 高级工程师 2022-11-17

有没有1200V 75A的低损耗高速管？

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