达晶微电子针对高频感应加热领域应用的IGBT模块,耐压及动态特性部分参数性能优秀
CREATEK达晶微电子有限公司推出针对高频感应加热领域的系列模块,包括1200V50A~1200V100A半桥34mm模块,1200V100A~1200V300A半桥62mm模块和1200V400A/600A单颗62mm IGBT模块。经过长时间的市场检验,我司产品已广泛应用于管道加热、商用电磁炉和表面淬火等多种感应加热领域。
下面是针对CREATEK GPU200HF120D2产品与友商产品的对比测试结果,友商产品模块在感应加热领域具有广泛的应用,内部芯片采用IGBT第二代技术NPT技术,具有开关速度快,可靠性高的特点,尤其适合表面淬火的应用。我司产品采用与友商产品同种技术,做到了各项参数的完美匹配,部分参数性能优秀。
产品信息:
GPU200HF120D2:达晶 U-D2系列1200V200A产品
友商产品1200V200A产品
对比测试:
1、静态对比测试结果
结果说明:
1)静态对比达晶产品耐压(BVCES)在1400V以上,友商产品为1346V。达晶产品具有更高的耐压。
2)达晶微产品的导通压降(VCESAT)与友商产品基本一致。
2、电容、Rg对比测试结果
结果说明:
1) 电容与栅极电阻是器件的重要参数,在IGBT应用时外围电路需要根据选型的IGBT器件进行匹配性设计。
3、 动态对比测试结果:
测试条件:VDD=600V,IC=200A,Rg=10Ω,L=500μH,VGE=+15/-15V
结果说明:
1) IGBT作为开关器件,动态参数是最重要的指标,主要包括开通的延迟时间(tdon)和上升时间(tr),关断的延迟时间(tdoff)和下降时间(tf),开通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff)。
2) 达晶微产品的开通和关断损耗均低于友商产品。达晶产品可以工作在不低于友商产品的开关频率下。
4、动态测试波形对比:
结果说明:
1) 前面列出了动态测试的相关数据指标,但是对器件应用中,动态测试过冲中开通和关断的波形极其重要,电流和电压波形如果出现震荡会带来可靠性的风险。
2) 达晶微产品与友商产品波形极其相似,但是从参数上我们可以看出达晶产品具有更低的开关损耗。
5、 短路测试波形对比
测试目的:高压情况下将器件短路,考验器件在短时间内承受高压大电流冲击的能力。
测试条件:VDD=600V,VGE=+15V /-15V,Rg=10Ω,ts=10μs
(黄色为电流IC,红色为电压VDD,蓝色为栅极驱动电压VGE)
结果说明:
1) 达晶产品短路电流略高于友商产品。但是总体短路波形震荡情况差异不大。
2) 经过极限测试时间测试,在该测试条件下两器件的短路时间均可达到50μs以上。
总体而言,达晶产品具有与友商产品基本一致的静态特性,而达晶微产品具有更优的动态特性,这在客户应用中会有更高的效率,各项参数评估符合市场需求,经过客户一年多的批量验证,满足市场的需求,尤其在表面淬火领域。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由ll转载自CREATEKMicroelectronics公众号,原文标题为:CREATEK达晶微电子针对高频感应加热领域应用的IGBT模块部分参数性能超越英飞凌,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【选型】2.2KW变频器设计推荐1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28
Vincotech旗下1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28采用Flow0封装,集成整流桥+制动+逆变拓扑,是2.2KW变频器主拓扑的优选,目前已经成熟应用于该类变频市场,性价比高。
【选型】为2.2KW变频器推荐1200V/25A的IGBT模块10-E212PMA025M7-L187A78Z
目前变频器2.2KW的功率段主要是对应适配的电机功率。采用三相380V输入,2.2KW的变频器的电源容量大约会设计在4.0KVA,选型时推荐1200V/25A的PIM(集成整流+刹车+逆变)类型的IGBT模块。因此本文推荐使用Vincotech的IGBT模块10-E212PMA025M7-L187A78Z。
阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会!
6月13至15日,阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相,阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管,半桥IGBT模块,三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充,工业电源,感应加热,光伏逆变器,储能PCS,新能源汽车等领域,为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。
阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展,共襄科技盛宴!
日前,阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管,半桥IGBT模块,三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充,工业电源,感应加热,光伏逆变器,储能PCS,新能源汽车等领域。
DIW100S065 IGBT,带反向二极管,用于谐振开关
描述- 该资料详细介绍了DIW100S065型IGBT模块,包括其电气特性、机械数据、应用领域和关键参数。该模块适用于谐振开关,具有高集电极-发射极电压、低饱和电压和短路保护等特点,适用于感应加热、微波炉等商业和工业应用。
型号- DIW100S065
达晶微授权世强硬创代理,超3000个功率器件型号全方位覆盖用户需求
达晶微产品拥有3000多个产品型号,在手机、电脑、电视、通讯、安防、车载、穿戴、医疗、新能源汽车、光伏、储能等领域得到广泛应用。
SF75R12A6H 34mm半桥IGBT模块
描述- 本资料详细介绍了SF75R12A6H型34mm半桥IGBT模块的电气特性、最大额定值、特征值和应用领域。该模块采用1200V沟槽栅/场终止工艺,具有低开关损耗和正温度系数等特点,适用于逆变焊机和感应加热等应用。
型号- SF75R12A6H
世强硬创获索力德普授权代理,大功率IGBT模块实现10PCS+并联使用
索力德普产品广泛应用于电焊机、感应加热、光伏领域、光伏逆变器、储能变流器、大功率变流器、电机/伺服驱动器、不间断电源、高频开关应用、风电变流器、新能源汽车等领域。
GSF200HF65D1 IGBT模块
描述- 本资料介绍了CREATEK Microelectronics生产的GSF200HF65D1型650V 200A IGBT模块。该模块采用低电感设计,具有较低的损耗和高能量效率。它采用了场截止IGBT技术,并具有良好的短路耐久性。资料还提供了详细的电气特性、开关特性、最大额定值和应用领域。
型号- GSF200HF65D1
SF50R12A6H 34mm半桥IGBT模块
描述- 本资料详细介绍了SF50R12A6H型34mm半桥IGBT模块的电气特性、应用领域和最大额定值。该模块适用于逆变焊机和感应加热等应用,具有低开关损耗和正温度系数等特点。
型号- SF50R12A6H
GSK40PI120D5 PIM-D5模块
描述- 本资料介绍了CREATEK Microelectronics生产的GSK40PI120D5模块,这是一种采用SPT技术的IGBT模块。该模块具有高耐压(1200V)、大电流(40A)的特点,适用于电机驱动、逆变器和其他软开关应用。资料详细列出了模块的电学特性、机械数据、封装尺寸和应用信息。
型号- GSK40PI120D5
森未科技授权世强硬创代理全线100+产品,涵盖IGBT晶圆/模块/单管
产品已广泛应用于工业变频、光伏/储能、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。
SF100R12A6H 34mm半桥IGBT模块
描述- 本资料详细介绍了SF100R12A6H型34mm半桥IGBT模块的电气特性、应用领域和最大额定值。该模块采用1200V沟槽栅/场终止工艺,具有低开关损耗和正温度系数等特点,适用于逆变焊机和感应加热等应用。
型号- SF100R12A6H
【产品】具备30kHz切换频率的双通道IGBT(NPT)模块,隔离电压高达3600V
IXYS推出的MII145-12A3系列IGBT(NPT)模块,采用NPT IGBT技术和DCB陶瓷基座,以及3600V隔离电压(t=1s),具有高电源循环能力、较低的切换损失和高短路能力等优势。符合行业标准大纲和RoHS标准,适用于交流电动机驱动、太阳能逆变器、医疗设备、不间断电源、空调系统、焊接设备、开关模式和共振模式电源、感应加热、炊具、泵、风机等领域。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论