2025年全球户用光储新增装机需求预计可达80GWh，维安可提供逆变和储能部分的多种物料
为什么会发展户用光储？
一、能源危机下，全球用电成本不断上涨
近年来各国用电压力增加导致电价都在逐年攀升，尤其是欧洲方面，受到俄乌冲突等事件影响，天然气成本飙升，电价成本短期内快速上涨，欧洲现货市场均价由2019年年底的约50欧元/MWh涨至最高300欧元/MWh以上，欧洲各国2022年5月的电价较2021年初上涨100-330%。欧盟统计局近日发布数据显示，2022年下半年，欧盟平均家庭电价同比继续大幅上涨，从每百度23.5欧元涨至28.4欧元，天然气平均价格也从每100度7.8欧元上涨到11.4欧元，均创历史新高。
二、电网供电困难，有些地区难以普及
在国内，虽然电网建设已经非常成熟，但是偏远地区还存在一些电网供电不足的情况。国外像美国、英国等地，因为电网系统较为老化，有时出现故障，会造成高峰时段交通堵塞，火车停运航班停飞等情况，户储可在电厂事故或者极端自然灾害事件中提供应急电源，提高用电稳定性。
三、各国税收减免或直接补贴等政策在逐步落地
相关政策主要可以分为两类，一类是实行相关税收的减免，如德国减免户用储能增值税、意大利储能税收抵免额度退坡，美国通过IRA法案将ITC补贴有效期延期到2033年，并将抵免划分为基础抵免+额外抵免。其中基础抵免额度由之前的26%上升至30%；另一类则是实施资金补贴，如日本为装设锂电子电池的家庭和商户提供66%的费用补贴，德国巴伐利亚州为每个容量3kWh以上的储能系统提供500欧元（550美元）补贴。
户用光储的组成
户用光储系统的核心为光伏逆变器+储能电池+储能变流器（PCS）。户用储能与户用光伏搭配成户用光储系统，可以分为两种电路结构模式：接入电网和不接入网，光储系统主要包括电芯、储能变流器(PCS)、组件系统等多个部分，典型的系统一般是5KW(组件+逆变器)配10KWH(储能电池)或者10KW+10KWH。
户用光储的规模
全球户储新增装机规模过去几年持续保持着50%以上的高速增长。欧、美、日、澳是现阶段全球户储主要市场。根据相关机构测算，2025年欧、美户储市场空间分别将达27.9GWh、13.3GWh；考虑户储在全球其它地区的渗透，假设2025年欧、美户储市场占全球的50%，则2025年全球户储新增装机需求可达80GWh。
户用光储的发展
户用光储系统当前有两种典型模式
a.光储一体机
将光伏逆变器和双向变流器整合在一起，实现“光+储能”的一体化解决方案，适用于同步安装户用光伏与储能系统的增量市场。
b.储能分体机
适用于已安装户用光伏的存量市场，内部通常采用交流耦合模式，便于与原有光伏系统的光伏逆变器进行衔接。
目前，分体式与一体式市面上占比接近1:1，各具优势。发展以光伏为代表的可再生能源已成为全球共识，随着市场的增量增加，与之相关的电力电子元器件也随之稳定增长。维安的产品线同时包含功率控制和电路保护，特别是功率控制产品是决定光伏和储能系统能效的核心半导体部件。维安研发并生产适用于光伏及储能的多种产品，例如全电压段的MOSFET，PTVS，SiC等产品，拥有成熟的应用方案，覆盖功率400W~360KW的光伏逆变器和储能变流器等产品，性能优势明显。
分体式光伏储能系统
一体式光伏储能系统
维安户用光储一体的逆变部分推荐物料
维安户用光储一体的储能部分推荐物料
在未来，维安会继续拓展产品线，不断为光伏领域的多家领先能源基础设施企业提供高性能的产品解决方案，共同推进光储一体化趋势。
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WAYON power MOSFET选型表
WAYON（维安半导体）提供 Trench P Channel Power MOSFET（沟槽P沟道功率MOSFET）/SGT P Channel Power MOSFET（SGT P沟道功率MOSFET）/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET（SGT N沟道功率MOSFET）/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型，Type：N/P，ESD：NO/YES，VDS(V)：-150~300V，Vgs Max(v)：±10~±20V，VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.
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产品型号
|
品类
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Package
|
Configuration
|
Type
|
ESD
|
VDS(V)
|
Vgs Max(V)
|
ID at 25℃(A)Max.
|
VGS(th)(V)-Typ.
|
Rds(on)Vgs=10V
|
Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
|
Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
|
Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
|
Ciss (pF)Typ.
|
Coss (pF)Typ.
|
Crss (pF)Typ.
|
|
WMB70P02TS
|
Trench P Channel Power MOSFET
|
PDFN5*6-8L
|
Single
|
P
|
NO
|
-20
|
±12
|
-70
|
-0.65
|
3.1
|
4.1
|
3.5
|
4.8
|
4599
|
668
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577
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选型表 - WAYON 立即选型
WAYON自恢复保险丝选型表
WAYON（维安半导体）提供自恢复保险丝选型：IH @25℃（A）:0.01-14，IT @25℃（A）：0.05-23.8，Vmax（V）：6-600，Imax（A）：1-100，Rmin（Ω）：0.0005-70，Pd Typ（W）：0.26-4.6.
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产品型号
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品类
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IH @25℃（A）
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IT @25℃（A）
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Vmax（V）
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Imax（A）
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Max Time to Trip Current（A）
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Max Time to Trip Time （S）
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Pd Typ（W）
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Rmin（Ω）
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R1 max（Ω）
|
UL
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TUV
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Package
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LP-TSM001/60
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自恢复保险丝
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0.01
|
0.05
|
60
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10
|
0.20
|
1.00
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0.5
|
15.000
|
200.000
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×
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×
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0603
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选型表 - WAYON 立即选型
基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
WAYON Company Profile
型号- WMK043N10HGS,WMM80R1K0S,WMB190DN10LG2,WMO08N70EM,WMN26N65C4,WMK071N15HG2,WML25N50C4,WMO15N65F2,WMJ53N60F2,WMLL017N10HGS,WMJ30N80M3,WML26N65SR,WML10N70EM,WMB81N03T1,WMN10N65C4,WMO6N80D1,WMX10N80D1,WMJ13N80M3,WMN90R830S,WMM26N60C4,WMM12N80M3,WMM13N65EM,WMP08N95C2,WMQ50P03T1,WML10N70C4,WMJ12N105C2,WMM90R360S,WMK36N65F2,WM02DN560Q,WMX115N15HG2,WMK05N70MM,WMM3N150D1,WMO15N65C4,WMB076N06LG2,WMN18N50C4,WMP08N60C4,WMR050N03LG4,WMJ40N50D1,WMM6N90D1,EM 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WAYON SMD CHIP FUSE/SELF CONTROL FUSE选型表
WAYON（维安半导体）提供SMD CHIP FUSE（贴片熔断器）/SELF CONTROL FUSE（自恢复熔断器）选型：Rated Current(A)：0.25-60，Rated Voltage (V)DC：24-400，Fuse DCR(mΩ)：0.003-3600，Breaking(A)：25-500.
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产品型号
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品类
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Rated Current(A)
|
Rated Voltage(V)
|
Fuse DCR(mΩ)
|
Breaking(A)
|
Operating Voltage(V)
|
Heater DCR(Ω)
|
Applicable Cells in sreies(cell)
|
|
WPF30A1K
|
SELF CONTROL FUSE
|
30
|
62
|
1.0-2.5
|
80
|
4.0-6.6
|
0.8-1.2
|
1
|
选型表 - WAYON 立即选型
WAYON Zener diode选型表
WAYON 提供Zener diode(齐纳二极管)选型：VZ@IZT Nom(V)：2-75，VZ@IZT Min(V)：1.9-37.5，IZT(mA)：2-20，Current IR(μA)：0.05-120，Current VR (V)：1-56.
|
产品型号
|
品类
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VZ@IZT Nom(V)
|
VZ@IZT Min(V)
|
VZ@IZT Max(V)
|
IZT(mA)
|
ZZT@IZT(Ω)
|
ZZK@IZK(Ω)
|
IZK(mA)
|
Current IR(μA)
|
Current VR (V)
|
Package
|
|
WZ5C2V4D1
|
Zener diode
|
2.4
|
2.28
|
2.52
|
5
|
100
|
600
|
1
|
50
|
1
|
SOD-123
|
选型表 - WAYON 立即选型
WAYON 车规级MOSFET选型表
WAYON 提供车规级MOSFET选型：VDS(V)：20-100，ID(A)@TA=25℃(Max.)：0.13-200，Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：1-500.
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产品型号
|
品类
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Package
|
type
|
VDS(V)
|
ID(A)@TA=25℃(Max.)
|
Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)
|
Tch（°C）
|
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WMB26N06TS-AT
|
车规级MOSFET
|
DFN5*6
|
N-ch
|
60 V
|
26 A
|
32 mΩ max
|
150°C
|
选型表 - WAYON 立即选型
WAYON Super Junction Power MOSFET选型表
WAYON （维安半导体）提供Super Junction Power MOSFET（超级结功率场效应管/超级结功率MOSFET）选型：VDS (V)：500-1050，RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.) ：0.0205-7，ID (A) @TA=25℃：1.5-99，VGS (V)：30.
|
产品型号
|
品类
|
Description
|
Package
|
VDS(V)
|
RDS(on)(Ω)@VGS=10V(max.)
|
ID(A)@TA=25℃
|
PD(W)@TA=25℃
|
VGS(V)
|
VGS(th)(V)-Typ.
|
|
WMK07N60C4
|
Super Junction Power MOSFET
|
N-Channel SJ-MOS C4
|
TO-220
|
600
|
1.14
|
5
|
42
|
30
|
3
|
选型表 - WAYON 立即选型
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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