CREATEK雷击浪涌防护指南——瞬态抑制二极管原理及应用

2023-11-23 CREATEKMicroelectronics公众号
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瞬态抑制二极管(TVS)器件由齐纳二极管构成,通常由硅(Si)和碳化硅(SiC)的平面工艺制造,PN结的两边由重掺杂的III/V族元素构成,制造过程主要靠外延生长、氧化、结形成、晶圆减薄、电极金属化和引线封装、测试等工艺步骤完成。


TVS也是电压敏感器件,当干扰电压超过TVS的击穿电压时,TVS开始工作,由高阻态变成低阻态,泄放浪涌电流。


瞬态抑制二极管分为两种产品,一种叫TVS,一种叫ESD,实际上两个是同一种产品,只不过是对封装、功率以及做得功能要求不同,有所区分。TVS大家认为更多是来抑制雷击浪涌,ESD更多是来抑制静电。因为静电的能量较小,所以这种小型化的TVS功率都不会太高。有一点值得说明,ESD的容值是标明的,TVS则默认不标的,一般在几nF,ESD可以集成,在一个器件上对多条线路进行防护,TVS一般都只是单路防护。


由于TVS/ESD的稳定性非常好,同时电压等级可以做得的比较低,封装类型也非常齐全,所以广泛应用在各类电子产品中,包括但不限于笔记本电脑、手机、蓝牙耳机、智能音箱、扫地机器人以及在汽车电子中都有广泛的应用。


VI特性曲线:

这是一个双向的TVS,其VI特性曲线也是不满足欧姆定律的,在达到开启电压后,就可以泄放大部分电流,电压和电流不成正比。随着电流的增大,电压只在小范围内增加。

电气参数:

我们以CREATEKSMAJ5.0CA为例,SMAJ5.0CA是双向,SMAJ5.0A是单向。后面依次是:丝印;单双向;工作电压5V;漏流1600uμA;击穿电压在6.4V~7.07V之间;IPP是43.48A;在电流达到最大时,残压是9.2V。


以上差不多就是TVS的全部参数,那我们能看到几个关于TVS的特性,首先,TVS的功率是固定的,在SMAJ这个系列是400W,那对应在SMAJ5.0CA时,能通过的浪涌电流在40多A,当对应在SMAJ8.0CA时,能通过的浪涌电流已经不足30A了,相应的残压也会高一些。所以TVS在高压时能通过的浪涌电流会随着电压的升高,越来越低,这就是为什么220V工频电做浪涌防护时,基本上不会用到TVS的特点。


其次,TVS在低压5V、6V时,漏流是很高的,所以对低功耗有要求的慎用。可以使用一些带浪涌抑制效果的ESD。


最后,由于TVS不是稳压二极管,它不能长时间导通,有一些客户用TVS来抑制长时间的直流、或者用做分压,一般是不建议这么使用的。长时间的直流可能导致TVS由于热效应最后损坏。

应用
举例:客户是DC12V供电,两线制一端正,一端负。供电电流在0.1A左右,现在要过浪涌2000V,波形是1.2/50μs组合波,问怎么做防护?怎么选择TVS管?


1、首先这种防护,要跟客户沟通,如果只用一颗TVS过这种浪涌,建议选择SMDJ15CA及这个功率以上的,选择的功率越高,TVS的残压越小,选择好以后,并联在客户的供电口,然后实际测试一下,一般来说由于客户后端的LDO也好,DC/DC也好,每一家的器件耐压不太一样,所以一般要实际测试之后才知道。


2、做组合方案的话,那可以选择用GDT做一级防护,具体参照GDT那节,然后再GDT后面并联一颗TVS,同时也是最关键的就是一定要在GDT和TVS中间串联进电路的主供电回路一颗电阻、电感或保险丝。具体如何选择退耦器件后面会有专门讲解两级防护的时候讲解,加上退耦器件的目的是推动一级器件启动,如果没有这颗退耦器件,那GDT一般来说是不会启动的。当GDT有了,退耦器件也有了,TVS就可以选择小一些,具体可以选择SMBJ15CA去测试,如果发现波形出现震荡可以在TVS后加电容滤波,同时退耦器件可以选择用阻性器件。


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产品型号
品类
Vʀᴡᴍ(V)
Iʀ Max(uA)
Vʙʀ Min(V)
Vʙʀ Max(V)
Iᴘᴘ(A)
Vᴄ Max(V)
Pᴘᴘ(W)
Package
SODJ5.0A
Power TVS
5
400
6.4
7.07
21.74
9.2
200
SOD-123FL

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