【IC】 基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片BTD3011R系列，绝缘电压高达5000Vrms
基本半导体BTD3011R是一款单通道智能带短路保护的隔离门极驱动芯片，采用磁隔离技术，集成了退饱和短路保护、软关断功能、原副边欠压保护、副边电源正压稳压器，极大地简化了外部电路设计，适用于电压等级1200V内的IGBT或碳化硅MOSFET驱动。
产品特点
采用磁隔离技术
绝缘电压高达5000Vrms
峰值输出电流可达±15A
可耐受150kV/μs CMTI
最高支持开关频率75kHz
副边电源全压最高支持30V
信号输入脚可持续耐受负电压-5V
管脚集成功率器件短路保护和短路保护后软关断功能
集成原副边电源欠压保护功能
集成副边正电源稳压器
应用领域
电机传动
新能源汽车电驱系统
光伏逆变器
储能变流器
空调压缩机
高端变频伺服器
功能框图
产品列表
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本文由玉鹤甘茗转载自基本半导体公众号，原文标题为:新品推荐 | 单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片BTD3011R系列，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
“三高一降”，光伏储能系统趋势及其模拟芯片解决方案
光储系统，又称太阳能光伏储能发电系统，由光伏设备和储能设备组成，用于发电和能量存储。在这些系统中，模拟芯片的应用和解决方案对于提升系统效率、降低成本以及增强可靠性至关重要。本文将简要介绍光储系统的基本运作原理，以及光储系统在高压化发展趋势下，模拟芯片的机会及纳芯微解决方案。
应用方案 发布时间 : 2024-09-05
华大半导体功率控制事业部
型号- HPD2136,HSA688X,HSA691X,HSA6886-S,HSA3300-Q,HSA6880-S,HSA6880-Q,HSA3300-S,HSA1311-Q,HSA13XX-S,HSA1311-S,HSA5210-S,HSA13XX-Q,HSA5210-Q,HSA5010-S,HSA5010-Q,HSA1306-Q,MPD1101,HSA1308-Q,HSA650X-Q,HSA1306-S,HSA1308-S,HSA650X-S,HSA6880,HSA6881,HSA6210-S,HSA1300-Q,HSA6210-Q,HSA1300-S,HSA691X-S,HSA6110-Q,HSA691X-Q,HSA6110-S,HSA1318-Q,HPD2106,HSA1318-S,HSA6881-S,HSA6881-Q,HSA688X SERIES,HSA6881A,HSA6881B,HSA6881C,HSA6881D,HSA6881E,HSA6881F,HSA9XXX-Q,HSA9XXX-S,HSA3311-Q,MPD1201,HSA3311-S
【经验】教你掌握IGBT双脉冲测试的方法和意义
在使用一款IGBT时，我们通常会参考datasheet中给定的参数，但实际应用中外部参数是变化的，要实际观测上述参数，最直观的方法就是双脉冲测试法。本文采用Vincotech E3半桥IGBT模块（A0-VS122PA600M7-L759F70）和PI隔离驱动芯片（SID1182K）设计一款双脉冲测试设备。教你掌握IGBT双脉冲测试的方法和意义
设计经验 发布时间 : 2019-01-28
数明半导体隔离驱动器选型表
隔离驱动，具有高可靠性及广泛兼容性的门极驱动芯片，广泛的兼容性，更高的驱动能力，更强的鲁棒性，更宽的工作温度范围
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产品型号
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品类
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Power Switch
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IOH/IOL (A)
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Output VCC/VDD (V)
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Input VCC (V)
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Prop. Delay（ns）
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Input Config
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Program Deadtime
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Overlap Protection
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CMTI (kV/μs) Min.
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VISO(Vrms)
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Operating Temp （℃）
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SLMi8230BDCG-DG
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双通道隔离驱动器
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IGBT/MOSFET/SiC/GaN
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1.0/1.5
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9-40
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3-18
|
40
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VIA/VIB
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Program Deadtime
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Overlap Protection
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100
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5000
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–40 ~ 125
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选型表 - 数明半导体 立即选型
展会前沿 | 基本半导体携多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC国际光伏展
6月13-15日，SNEC第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会在国家会展中心(上海)隆重举办。本届展会汇聚了超过3500家全球光伏产业链企业，共同展示最前沿的科技成果和技术产品，吸引逾50万专业观众参与。基本半导体携2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E1B、工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块等
原厂动态 发布时间 : 2024-06-27
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可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
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提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务，帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号，确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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