【产品】龙夏电子推出MOS LR013N10SM10，采用低导通电阻，耐压达100V

时间： 2023-10-08 来源：龙夏电子

技术问答

随着TOLL封装的出现，弥补了传统TO系列封装打线数量的限制，更加极限的发挥出大芯片的性能优势，相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻，同时提升了产品电流能力。福建龙夏电子 LR013N10SM10耐压100V，导通电阻Ron 1.1mr. BMS应用13对LR013N10S10 MOS可过200A持续电流。

特点：

SGT工艺
低导通电阻

优势：

大电流下温升低
抗冲击能力强

应用领域：

温升测试：13对MOS 200A持续电流下温度约82℃

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HSSR-DA01	MOS继电器	DIP8/SMD8(9.6x6.4x3.6)	400V	0.1A	25Ω	2NO*	﹣40~85℃	5000Vrms	VDE、UL、CQC