【产品】龙夏电子推出MOS LR013N10SM10,采用低导通电阻,耐压达100V
随着TOLL封装的出现,弥补了传统TO系列封装打线数量的限制,更加极限的发挥出大芯片的性能优势,相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻,同时提升了产品电流能力。福建龙夏电子LR013N10SM10耐压100V,导通电阻Ron 1.1mr. BMS应用13对LR013N10S10 MOS可过200A持续电流。
特点:
SGT工艺
低导通电阻
优势:
大电流下温升低
抗冲击能力强
应用领域:
BMS
温升测试:13对MOS 200A持续电流下温度约82℃
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由洛希转载自龙夏电子,原文标题为:丘荣贵-产品推介-LR013N10SM10,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【产品】采用TOLL封装的MOS LR028N10SM10更极限地发挥出芯片的性能优势,导通电阻低至2.35mr
随着TOLL封装的出现,弥补了传统TO系列封装打线数量的限制,更加极限的发挥出大芯片的性能优势,相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻,同时提升了产品电流能力。LR028N10SM10耐压100V,导通电阻Ron2.35mr.。
最大漏源电压60V的合科泰MOS管HKTD80N06,可承受80A连续漏极电流,适用于电机驱动和电源等
合科泰电子生产的一款MOS管HKTD80N06产品采用N沟道制作,它具有很好的电气性能,其能承受的最大漏源电压60V,栅源电压20V,连续漏极电流80A,漏源导通电阻0.0065欧姆,最小栅极阈值电压2V,最小栅极阈值电压4V,耗散功率100mW。它具有超低功耗、充分表征雪崩电压、模压塑料材料温度可靠等特点。高电流承载能力,能承受高达80A的连续漏极电流,使得它非常适合于需要高电流的应用场景。
【元件】华联电子3300V光MOS继电器,覆盖125℃工作温度,使用寿命达到20年以上
华联电子超高压光MOS继电器,输出耐压覆盖1200V/1500V/1700V/3300V。具有超高的断开压。阻抗、较快的开关速度和高输入输出绝缘耐重点推荐3300V超高压光MOS继电器,主要用于800V及以上的BMS高压和绝缘检测平台,可以替代干簧继电器,其同属于车规级产品,覆盖125℃的工作温度,使用寿命达到20年以上。
【经验】BMS应用笔记:详解功率MOS管
由于锂电池的特性,在应用过程中需要对其充放电过程进行保护,避免因过充过放或过热造成电池的损坏,保证电池安全的工作。本文虹美功率半导体将介绍功率MOS管在BMS系统中的常见失效类型,以及如何预防改善。
【应用】内部集成MOS的降压DC-DC EG1198用于BMS,宽电压输入10至120V,外围电路简单
车辆的其他系统在需要使用电池包供电时,需要进行降压,推荐屹晶微电子EG1198降压DC-DC用于电动车BMS一级降压。支持范围10V至120V的宽电压输入,最大输出电流达1.5A, 外围电路结构简单,集成功率MOS管、多种保护功能。
新能源汽车电池 “爆雷” 怎么破?选对BMS的MOS管是关键
本文讲讲新能源汽车电池管理系统(BMS)里的超关键 “小角色”——MOS 管,到底是如何影响电池安全,以及怎样通过MOS管来避免电池爆炸。
【视频】华联电子车规级1700V光MOS固态继电器,应用于BMS,为汽车应用提供低功耗和高隔离
型号- HSSR-16S1A0D-2,HSSR-S1A04-2,HPL6S137,HGD341W,HSSR-S1A0D-2,HPL6S135,HPL6S157,HPL6L148P,HSSR-61A0D-2,HPC357,HPC217,HPL6M237
龙夏电子MOSFET选型表
龙夏电子提供以下参数的MOSFET:Polarity:N,N+P;Configuration:Single,Dual;Package:TO-252、TO-220F、TO-263、TO-247等多种封装;VDS(V):20V~800V;VGS(±V):12V~30V;ID(A)@25°C:4A~372A;RDS(ON)(mΩ)TYP@10V:0.37mΩ~780mΩ;EAS(mj):13mj~7482.25mj;Rg(Ω):0.37Ω~20Ω;Ciss(pF):6pF~16974pF;Coss(pF):41pF~4863pF;Crss(pF):2pF~723pF
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
Configuration
|
Package
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)@25°C
|
EAS(mj)
|
LR038N02T9
|
MOSFET
|
N
|
Single
|
PDFN3*3
|
20V
|
12V
|
80A
|
182.25mj
|
选型表 - 龙夏电子 立即选型
深鸿盛PDFN5*6 CLIP封装的30V/0.5mΩ超低内阻低压MOS,适用于无人机、BMS等领域 |视频
HI-SEMICON的PDFN5*6CLIP封装工艺30V 0.5mΩ超低内阻低压MOS管,具有以下优势:超低内阻,低导通损耗;低寄生量,低开通损耗;PDFN5X6贴片式CLIP封装,有效降低占板率,提供良好的散热通道;电路波动不易损坏。
超小体积及低内阻CSP MOS厂商创飞芯源授权世强硬创,产品用于BMS系统
产品广泛应用于手机锂电保护、PD充电器、动力BMS 、电动工具、LED电源等领域。
国内功率MOS替代提速,VOLTAIC(沃达科)授权世强硬创代理
VOLTAIC(沃达科)旗下电源芯片和功率MOS产品在消费类笔电、电机驱动、BMS、SSD、各类电源、显卡、服务器等领域得到广泛应用。
合科泰NMOS管HKTQ60N02凭借强大特性和低功耗,广泛用于电机驱动和BMS、便携式设备负载开关等
合科泰电子生产的NMOS管HKTQ60N02具有很好的电气性能,其能承受的最大漏源电压达20V,栅源电压2.5V,连续漏极电流50A,漏源导通电阻0.0075欧,最小栅极阈值电压0.5V,最大栅极阈值电压1V,耗散功率83mW。重量约0.012克,非常轻薄便捷。它作为一款低压MOS产品,具有强大特性和低功耗,适用于物联网设备、小信号驱动和通讯领域等。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论