【应用】P沟道MOSFET DI077P06D1可保护机器人整个电路免受反相电压的影响，实现更精确的电机控制
精准的机器人工业制造提高了生产质量, 也大大降低了成本。它们有能力处理实时数据、调节电机和确保安全措施正常, 这个也是那些能轻易提起3吨重的机械人不可或缺的原因。现在不仅改变了我们处理复杂任务的方式，也不单单在汽车机械领域，在其他行业，如建筑材料或铸造行业也同一情况。如半导体部件的复杂组装程序，仪器就能够处理来自传感器和摄像头的稳定信息流来管理整个过程，使机器人能够感知其周围环境，识别物体，并计算其需要提升的负载的确切位置和重量。因此，机器人系统可以精确安全地处理重型零件和组件。
此外，极性保护也是一个最重要的问题。德欧泰克的TO-252AA （D-PAK）P沟道MOSFET DI077P06D1可用于电源路径上，从而保护整个电路免受反相电压的影响。还有是DI077P06D1的最大漏极电流 ID为77A，最大导通电阻RDS（on）为 13.5mΩ，也适用于H桥电机控制器，可以令直流电机向前或向后运行。在阈值电压为-1.3 V至-2.6 V的范围下，DI077P06D1也可以由微控器轻松驱动，以实现更精确的电机控制。
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H桥电机控制器允许机器人的直流电机向前或向后运行，配备了N沟道和P沟道MOSFET的组合。DIOTEC的P沟道MOSFET DI077P06D1采用TO-252AA（D-PAK）封装，在100℃时提供了45A的连续漏极电流和328A的峰值电流。典型的导通状态电阻为11.5mΩ，有助于节省能源，从而延长电池使用时间。
德欧泰克的P沟道MOSFET MD06P115用于反向电池极性保护，采用小型的SOT-26封装，应用于太阳能移动电源
DIOTEC德欧泰克的P沟道MOSFET MD06P115用于反向电池极性保护。采用小型的SOT-26封装，它提供-3.1A的连续漏极电流额定值和最大115mΩ的导通状态电阻。由于其逻辑电平门栅极阈值，它可以在USB电压水平下工作，通常为5V。
【经验】N沟道MOSFET和P沟道MOSFET在防反接电路该如何进行设计
在一些较大负载电流的应用中，采用传统二极管做防反接电路，会因较高的正向压降产生较高的能耗，此时一般采用内阻较低的MOS管来替代二极管做防反接电路。然而在实际应用中，是选NMOS还是PMOS来设计防反接电路是比较棘手的问题，本文将讨论一下NMOS和PMOS在防反接电路该如何进行设计以及两者间的区别，并推荐Diotec的NMOS产品DIT150N03。
DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI035P04PT P沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI035P04PT型P沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。产品适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。
型号- DI035P04PT,DI035P04PT-AQ
DI070P04PQ P沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI070P04PQ型号的P沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。此外，还提供了产品的应用领域、最大额定值、标记代码、机械数据等信息。
型号- DI070P04PQ-AQ,DI070P04PQ
DI050P04D1 P沟道功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了DI050P04D1型号的P沟道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。该产品适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动器、同步整流器等应用领域。
型号- DI050P04D1
DI043P04PT-AQ P沟道功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了DI043P04PT-AQ型号的P-Channel Power MOSFET，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸、应用领域等。该产品适用于电源管理单元、电流检测单元、负载开关和极性保护等应用。
型号- DI043P04PT-AQ
【产品】-50A/-30V的P沟道功率MOSFET DI050P03PT, 采用QFN3×3封装
Diotec推出的商用级P沟道功率MOSFET DI050P03PT，采用QFN3×3封装，尺寸小，剖面低，节省空间，具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为-30 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为40 W，允许通过的漏极持续电流为-50 A（TC = 25°C ），漏极峰值电流为-200 A。工作结温和存储温度范围-55~+150︒C。
DI006P02PW P沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI006P02PW型号的P沟道功率MOSFET的特性、应用领域和相关数据。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于直流转换器、电源供应、直流驱动、电动工具和同步整流器等领域。
型号- DI006P02PW
60V互补增强型MOSFET H桥（N沟道/P沟道2NNPP06功率MOSFET
描述- UTC 2NNPP06 是一款互补增强型 MOSFET 桥，采用 UTC 先进技术提供低电阻、低栅极电荷和低阈值电压。适用于直流-交流逆变器（DC-AC Inverter）和直流电机控制。
型号- 2NNPP06G-S08-R,2NNPP06
DI040P04D1 P沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI040P04D1型号的P沟道功率MOSFET的特性。它具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI040P04D1,DI040P04D1-AQ,DI040P04D1-Q
DI040P04PT P沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI040P04PT型号的P沟道功率MOSFET的特性。它是一种低导通电阻、快速开关时间的器件，适用于电源管理单元和电流检测设备。资料提供了详细的静态和动态特性数据，包括最大额定值、热阻、封装尺寸和应用领域。
型号- DI040P04PT-AQ,DI040P04PT
DI050P03PT P沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI050P03PT型功率MOSFET的特性、规格和应用。它是一种低导通电阻、快速开关时间的P沟道功率MOSFET，适用于电源管理单元、电池供电设备和负载开关等领域。
型号- DI050P03PT-AQ,DI050P03PT
DI017P03PT2双通道P沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI017P03PT2型双通道功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间等特点，适用于电源管理单元、电池供电设备等领域。
型号- DI017P03PT2-AQ,DI017P03PT2
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