N沟道超级沟槽功率MOSFNCEP15T14D用于电机控制器中,可在69V的电压5KW平台车型上使用
极核AE8为春风旗下的高端电动品牌“ZEEHO极核”的首款高性能电动摩托车产品。近日,在极核AE8电机控制器拆解分析报告中提出,电控PCBA由控制和MOS板构成,其中MOS板为铝基板,采用48颗新洁能的产品,型号为NCEP15T14D。
新洁能NCEP15T14D是150V的耐压、典型内阻5.6mR、单相8颗并联,在69V的电压5KW平台车型上使用,设计裕量非常充分,还配上了水冷散热。
新洁能产品介绍
NCEP15T14D为新洁能Super Trench系列产品,该系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Super Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。
Super Trench技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,以100V产品为例,对比普通沟槽型MOSFET产品,Super Trench技术将器件175度下的导通电阻倍增因子(Rdson@Tc=175℃/Rdson@Tc=25℃)由原有的2.29降低为2.09,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。Super Trench MOSFET产品将更适宜于高温严酷环境下的应用!
目前,新洁能正在陆续推出第三代Super Trench MOSFET系列产品,相比于上一代产品,第三代产品特征导通电阻降低20%以上,ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上,同时具有更优的EMI特性,可以满足客户更高能效、更高可靠性的需求,产品性能及竞争力进一步提升。
配合先进的封装技术,Super Trench技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。
无锡新洁能股份有限公司(股票代码:605111)成立于2013年1月,专注于功率半导体芯片和器件的研发、设计及销售,是国内功率器件技术引领者。
公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品,为国内中高端IGBT、MOSFET、集成功率器件等领域的领军企业。公司与国际一流代工厂常年紧密合作,为客户持续稳定供应高性能、高质量、高可靠性的“硅基、化合物”功率器件、集成电路及模块产品。
公司产品优质且系列齐全,广泛应用于新能源汽车及充电桩、光伏储能、算力服务器和数据中心、工业自动化、消费电子、5G通讯、机器人等领域。
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NCE(新洁能)MOSFET 选型表
NCE(新洁能)为电路设计师们提供全面的产品选择,击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品(产品名称后加标C)其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端,新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode,在提高和加快反向续流能力的同时,降低反向恢复过程中的峰值电流(Irm)和电压(Vrm)。推出的TO-220H封装外形(产品名称后加标H),有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率,并大大降低成本,可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。
产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
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VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
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工业级
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Trench
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P
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-12
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-9
|
-0.7
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11.5
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18
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14
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22
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±12
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2700
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35
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2.5
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选型表 - NCE 立即选型
NCEP6090AGU NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP6090AGU这款N沟道超深槽功率MOSFET。它采用独特的Super Trench技术,提供高效的开关性能,具有极低的导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP6090AGU
NCEP15T14 NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- NCEP15T14是一款采用Super Trench技术的N-Channel Super Trench Power MOSFET,具有低导通电阻和低栅极电荷,适用于高频开关和同步整流应用。该器件具有150V的漏源电压、140A的连续漏极电流和5.8mΩ的典型RDS(ON)值,适用于DC/DC转换器等应用。
型号- NCEP15T14
NCEP30T17GU NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP30T17GU这款N沟道超深槽功率MOSFET的特性。它采用Super Trench技术,提供高效的开关性能,具有低导通电阻和栅极电荷,适用于高频切换和同步整流。
型号- NCEP30T17GU
NCEP85T11 NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP85T11这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,提供高效的开关性能,具有低导通电阻和栅极电荷,适用于高频切换和同步整流。
型号- NCEP85T11
NCEP0210Q NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- NCEP0210Q是一款采用Super Trench技术的N-Channel Super Trench Power MOSFET,具有低导通和开关损耗,适用于高频开关和同步整流。该器件具有200V的VDS、10A的ID和145mΩ的RDS(ON),适用于DC/DC转换器等应用。
型号- NCE,NCEP0210Q
NCEP30T15GUNCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP30T15GU这款N沟道超深槽功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,提供高效的开关性能,具有低导通电阻和栅极电荷,适用于高频切换和同步整流。
型号- NCEP30T15GU
NCEP0178AK NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP0178AK型N通道超深沟槽功率MOSFET的特性。这款器件采用独特的Super Trench技术,优化了高频开关性能,具有低导通和切换损耗。其主要特点是低RDS(ON)、高频率开关和同步整流能力。
型号- NCEP0178AK
NCEP15T10V N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP15T10V这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,优化了高频开关性能,具有极低的导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP15T10V
NCEP85T14 NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP85T14这款N通道超级沟槽功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,提供高效的开关性能,具有低导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP85T14
NCEP0135AK NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP0135AK型N通道超深沟槽功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,提供高效的开关性能,具有低导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP0135AK
NCEP15T18T NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE公司的NCEP15T18T型号N-通道超深沟槽功率MOSFET。这款器件采用独特的Super Trench技术,优化了高频开关性能,具有极低的导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP15T18T
NCEP15T14D NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP15T14D型N通道超深沟槽功率MOSFET的特性。这款器件采用独特的Super Trench技术,优化了高频开关性能,具有低导通电阻RDS(ON)和高频切换效率。适用于高频率开关和同步整流。
型号- NCEP15T14D
NCEP02590T NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP02590T型N通道超深沟槽功率MOSFET。这款器件采用独特的Super Trench技术,优化了高频开关性能,具有极低的导通和切换损耗。其主要特点是低RDS(ON)和高Qg组合,适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP02590T
NCEP025F90D NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP025F90D这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,提供高效的开关性能,具有低导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP025F90D
电子商城
品牌:NCE
品类:Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET
价格:
现货: 0
品牌:NCE
品类:Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET
价格:
现货: 0
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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