专注于碳化硅功率器件开发和设计的系统解决方案提供商——澜芯半导体

时间： 2023-10-08 来源：澜芯半导体

上海澜芯半导体有限公司是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司，团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。公司基于完整的自有设计和工艺开发经验，在一年时间内通过快速迭代开发，现已有SiC、超结Mosfet、IGBT等众多成熟产品，广泛适用于新能源汽车电驱控制器，车载充电机（OBC），车载直流变换器（DCDC），空压机电控；光伏风电逆变器；充电桩模块；储能变流器；大功率开关电源；通信电源等相关产品。

品牌官网：https://www.lxpsemi.com/

主要产品：IGBT IGBT模块分立器件 SiC碳化硅芯片 SiC MOSFET MOSFET SiC模块

主要应用：工业,光伏,储能,风电,新能源车,工程机械,消费,新能源汽车电驱控制器,车载充电机,车载直流变换器,空压机电控,光伏风电逆变器,充电桩模块,储能变流器,大功率开关电源,通信电源

产品亮点：

车规级功率器件（500V~1700V）：

包含SiC MOSFET、超结MOSFET、IGBT等，具备超低的导通电阻(导通压降)、优异的开关及频率特性，产品均通过了工业级可靠性认证（JEDEC）和车规级AECQ101认证。产品广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、工业电源、充电桩、智能电网、服务器与通讯电源等领域。

碳化硅场效应管（SiC MOSFET）：

澜芯半导体开发了SiC MOSFET全系列产品，具备业界领先的技术指标、可靠性高，产品涵盖了650V~1700V平台，导通电阻覆盖10mΩ~160mΩ，封装形式多样，包括TO247-3/4，TOLL，TO263-7，可满足工业和汽车电子等多种应用场景需求。

碳化硅功率模块（SiC功率模块）：

澜芯半导体针对工业电源、光储、新能源汽车等领域客户需求，开发了多种750V/1200V/1700V的模块产品，封装形态包括：HPD、SOT227、全塑封等模块，拓扑结构包括：单管、多管、半桥、三相全桥等类型。

高压超结功率MOSFET：

高压超结MOSFET，产品涵盖了500V~700V平台，通过采用先进的工艺技术和元胞结构设计，实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗；为了应对于高频应用，澜芯半导体提供低开关损耗的系列产品，使其有效降低了栅极电荷(Qg/Qgd)，从而在高频开关应用中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，澜芯超结MOSFET优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流(Irrm)和电压(Vrm)及恢复电荷(Qrr)。

IGBT单管：

产品涵盖了650V~1200V平台，通过小pitch及CS注入增强与场截终止技术，获得了先进的导通压降(Vce)，在导通损耗与关断损耗(Eoff)之间做了最佳平衡。优异的导通压降与极短的拖尾电流为应用工程师在优化系统效率时提供有力的保障。该产品系列封装齐全，产品具备良好的短路性能及EMI表现，广泛应用于光伏逆变器、变频器、不间断UPS电源、电动工具、电磁加热、工业缝纫、电焊机等领域。

IGBT功率模块：

产品涵盖了650V~1200V平台，该系列产品包括750V、1200V产品，可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。产品广泛应用于工业变频、工业逆变、光伏、新能源汽车等领域。