长晶科技获批建设“江苏省功率器件工程技术研究中心”，积极推动半导体器件在中高端应用领域的国产化进程

长晶科技（JSCJ）分立器件/电源管理IC/频率器件选型指南

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长晶科技  -  MOSFET,充电IC,传统稳压IC,超低功耗LDO,CRYSTAL OSCILLATORS,小信号器件,晶闸管,小信号MOS,TVS,振荡器,数字管,RECTIFIERS,OSCILATORS,功率器件,LV MOS,SENSITIVE GATE SCRS,THYRISTOR,标准螺旋电缆,肖特基二极管,晶体管,OPERATIONAL AMPLIFIER,整流器,整流桥,频率器件,SPXO,RCD,谐振器,三极管,SR MOSFET,直流斩波器,稳压管,复合管,STANDARD SCRS,SMD SEAM SEALING CRYSTAL,MEMS CRYSTAL OSCILLATORS,敏感栅可控硅,低内阻MOS,高频管,DC-DC,低压MOS,SWITCH DIODES,电源管理芯片,ESD,放大器,时钟谐振器,温补振荡器,CHARGER,SMD接缝密封晶体,高压MOS,复位IC,静电管,微机电工艺振荡器,CRYSTALS,低压差线性稳压器,电池保护IC,TRANSISTOR,锂电保护MOS,DIODES,金属罐型晶体,METAL CAN TYPE CRYSTAL,转向叉晶体,晶振,HV MOS,静电保护TVS,整流管,运放,TCXO,晶体震荡器,电源管理IC,低功耗LDO,开关二极管,TURNING FORK CRYSTAL,双向可控硅,晶体,POWER DEVICES,QMEMS,TVS管,LV MOSFET,RECTIFIER,FAST RECOVERY DIODE,AMP,LITHIUM BATTERY PROTECTION MOS,中压MOS,低压MOSFET,POWER MANAGEMENT CHIPS,晶体振荡器,DISCRETE DEVICES,POWER MANAGEMENT IC,微机电系统晶体振荡器,快恢复二极管,电池保护 IC,电压检测器,CRYSTAL,MV MOS,VOLTAGE DETECTOR,EMI整流桥,双极型晶体管,SBD,刚果民盟,LDO,浪涌管,静电TVS管,TRIACS,SCHOTTKY DIODE,检测IC,BIPOLAR TRANSISTOR,开关管,复位/检测IC,SMALL SIGNAL DEVICES,充电器,FREQUENCY 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2021江苏长晶科技市场应用机会图

江苏长晶科技有限公司提供多种半导体元器件，涵盖手机、电子烟、TWS耳机、移动电源、安防监控、无刷电机、动力电池、电脑主板、扫地机器人、无线充、基站电源、快充充电器以及路由+WiFi6等多个行业应用。产品包括MOSFET、LDO、ESD保护、晶振、充电芯片等，满足不同应用场景的需求。

长晶科技  -  接口ESD防护,MOSFET,定频方案用晶振,功率MOSFET,基准稳压源,小信号MOS,TVS,USB输入控制MOSFET,辅助整流及防反二极管,MOS场效应晶体管,电源供电LDO,TVS静电及浪涌防护,通用LDO,通用二极管,MOS全桥升降压,路由器,输出接口处TVS,整流桥,SBD肖特基二极管,达林顿管,同步整流MOS,HALL霍尔,系统供电控制MOSFET,MOS控制开关,二三极管MOS,MOS驱动用自举二极管,CHARGER充电芯片,线圈切换MOSFET,桥堆,DC-DC升压,低压MOS,应用MOS,LDO,RCD吸收二极管,ESD,高压MOS,初级高压MOS,ESD接口保护,全桥逆变MOSFET,LDO低压差线性稳压器,LDO/DC-DC,通用二三极管MOS,MOS,系统供电LDO,电源上下桥应用MOS,金属氧化物半导体,晶振,BJT双极型晶体管,WIFI6,BZT52B10S,CJAC100SN08,DTC143XUA,CJ13-250000910B20,CJ75L05,ESDU5V0C2,CJAC18SN03,CJB95N07,SK510,CJAB25N04,CJB120SN08,CESD SERIES,B1040WS,CJAC40N04,CJAC40N03,MMBT3904T,ESDQ12VFD1,CJ13-260000710B20,CJAB35P03,CJB92N07,CJ431,2N7002K,1N4148WS,CJ13-400001210B20,1N4148WT,ESDBU3V3AE1,CJAC110N04,CJ9218T5,CJAC110N03,CJQ18SN06,ESDBL3V3Y1,CJ6205,CJ6206,CJAB60N03,CESD,CJPF20N65,MESDBM12VD3,BAT54C,CJBD3020,CJAC70SN15,GBJ1510,CJX3134K,CJ86L05,08N65,CJ6386 SERIES,CJBM3020,CJZ251PL,CJAC110SN10,BAT54CM,CJAC90SN03,2N7002,ABS10,CJ6211,CJ6212,CJAC80N03,CJ9220T5,CJD80SN10S,CJ13-384001010B20,CJAC130SN04,MCESD5V0D3,CJBA3139K,ESDBL5V0Y1,CJAC130SN06,CJO05-270003320B30,CJL8820,CJ1117,GBJ2510,ESDBL5V0AH1,US2D,B1040A1,CJ2321,CJAC130N04L,CJP130SN10,CJK08-327681220B20,MESDM18VD3,CD431,CJ13-260000910B20,CJ6101,UIN2803,CJAB35SN03,BT3906,CJAC110N03A,CJ16-480001108C30+1,CJCD2003,CJAB55N03,CJB150SN10,CJ3407,CJAC80SN10,CJB120SN10,CJ3401,US1D,CJ2312,CJ3400,CJU80N03,CJ6101 SERIES,CJ13-200001210B20,CJ4056,CJU80N07,CJ4054,ESDBL3V3AE1,CJMP3009G,1N4148,CJ6330B33M,SS24,CJMNT33,CJBB3134K,B5819WSZ,CJ4056 SERIES,CJAB25P03,CJ13-250002010B20,CJ3134K,M7,ABS210,CJ13-250001810B20,MMBT3904,ESDSU5V0AE1,CJAC35SN03,CJ2309,MMBT3906,CJ2305,SMAJ5.0CA,BAT54,CJ2302,CJAC200N04,CJD65SN10H,CJH1311,CJ2301,BAV99,DTC114EE,07N65,CJB85SN08C,P6KE480A,CJAB35N03,UIN2003,ESDTU5V0A1,CJ16-320000810B20,2SK3019,MMDT3904,MSB30M,CJ16-480001108C30,CJ13-250002010B30,CJAB25N04S,CJAC13TH06,CJ16-240000910B20,CJ6330B28M,CJZ253PL,B1040X,CJ16-400000910B20,CJ9340T6,CJ6367B33M,SS8050,ESDBU3V3A1,CJAC150N03,CJ8833,10N65,SMAJ20CA,CJU60SN08,1N5819,CJU80SN10,SK210,BC847T,CJU12P06,CJ40561,CJU110N03,CJ6331 SERIES,CJPF30N65,ESDBM7V0A1,CJAE35SN06,CJBB3139K,ESDTU5V0AG4B,CJ7533S,CJ16-260000910B20,SS34,CJBA3134K,CJ6206B33M,CJ3139K,CJE3134K,ESDBL5V0AE1,ESDBM12VA1,ESDBL24VA1,SMAJ24CA,GBJ3510,SS8550,CJ16-960000810C30,B5819,ESDBH24VD1,DSR1M,CJ16-500001210C30,CJAE55P03,ESD3V3AP,CJFB30H20,FFM107-M,手机,基站电源,汽车,电子烟,快充充电器,无线充,电动工具,TWS耳机,扫地机器人,电脑主板,水下机器人,安防监控,工业机器人,电踏车,无人机,个人健康护理,动力电池,泵类,路由+WIFI6,无刷电机,电动车,低压大电流场景,5G,压缩机,风机,移动电源

SOT-23半导体器件RoHS（SGS）测试报告（CANEC24021333707）

本报告为SGS对江苏长景电子科技有限公司提供的半导体器件样品进行的测试报告。报告编号为CANEC24021333707，测试日期为2024年9月25日至9月29日。测试内容包括欧盟RoHS指令2015/863规定的有害物质检测，如铅、汞、镉、六价铬等。测试结果显示，样品中所有检测物质均未检出，符合欧盟RoHS指令要求。

长晶科技  -  SEMICONDUCTOR DEVICE,半导体器件

长晶科技（JSCJ）公司介绍2020版

长晶科技  -  PLANAR SBD,霍尔IC,充电IC,电源管理IC,双向可控硅晶闸管,开关二极管,功率MOSFET,高压开关管,晶闸管,沟槽SBD,TVS,数字管,振荡器,LV MOSFET,沟槽工艺MOS,IC,CMOS LDO,功率器件,三端稳压IC,沟槽MOSFET,HV MOSFET,功率肖特基二极管,强触发电流晶闸管,TRENCH SBD,低压MOSFET,整流桥,微触发电流晶闸管,频率器件,整流桥二极管,谐振器,电源IC,达林顿管,金属封装谐振器,晶体振荡器,三极管,直流斩波器,稳压管,中压MOSFET,复合管,SJ MOSFET,SJ-MOSFET,功率SBD,低饱和压降晶体管,检测/复位IC,高压MOSFET,高频管,DC-DC,SIC SBD,功率肖特基,LDO,浪涌管,超结MOSFET,碳化硅三极管,ESD,时钟谐振器,温补振荡器,MV MOSFET,SGT MOSFET,数字晶体管,贴片封装谐振器,开关管,平面SBD,静电管,复位/检测IC,隔离栅沟槽MOSFET,肖特基三极管,PLANAR MOSFET,沟槽MOS管,肖特基管,SIC三极管,微机电工艺振荡器,低压差线性稳压器,电池保护IC,TRENCH MOSFET,集成电路,平面MOSFET,磁传感器,分立器件,金属氧化物半导体,POWER SBD,电压调整IC,低饱和压降三极管,汽车电子,整流管,二极管,运放,SBD SERIES,SMFXXCA,LMV321,CJ78XX,SMAJXXCA,1SMA47,BAS SERIES,BAV SERIES,SMBJXXA,5.0SMDJXXCA,HER SERIES,SMFXXA,CJ431,SMF47,CJ358,SMBJXXCA,CJ432,GBJ SERIES,GBP SERIES,SMAJXXA,MBR SERIES,ESD SERIES,CJ6206,1SMA59,LM317,1N SERIES,CJT1117,ABS SERIES,BAW SERIES,US SERIES,CJA1117,SBL SERIES,1SS SERIES,SS SERIES,CJDW01,SMCJXXA,CJ6330,CJ6375,CJ6211,CJ5123,CJ75XX,CJ8632,LM324,MMBD,CJ79XX,BZX584,SMCJXXCA,BZT52,CJ40561,BAT SERIS,GBU SERIES,MBS SERIES,MUR SERIES,CJ6386,CJ6101,CJ6388,CJ6300,ES SERIES,DBS SERIES,1SMB59,M1 SERIES,5.0SMDJXXA,M7 SERIES,CJ4056,DSS SERIES,CJ4054,RS SERIES,安防监控,锂电,智能仪表,安防,手机,工业控制,车载,照明,电动工具,面板,仪器仪表,家电,电源,汽车电子

SOT-23半导体器件卤素（SGS）测试报告（CANEC24021333715）

本报告为SGS对江苏长景电子科技有限公司提供的半导体器件样品进行的卤素含量测试报告。测试项目包括氟、氯、溴和碘，测试方法遵循EN 14582:2016标准。测试结果显示，样品中氯含量为93mg/kg，其他卤素未检测到。报告还包括测试流程图和样品照片。

长晶科技  -  SEMICONDUCTOR DEVICE,半导体器件

长晶科技（JSCJ）公司及电源产品介绍

本资料介绍了长晶科技（JSCJ）的企业简介、发展历程、产品介绍、行业应用、质量体系、技术及服务能力。资料详细阐述了公司的组织架构、历年销售额、产品框架、技术优势以及在不同行业中的应用案例。

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SMAG半导体器件RoHS（SGS）测试报告（CANEC24021333720）

本报告为SGS对江苏长景电子科技有限公司提供的半导体器件样品进行的测试报告。测试内容包括欧盟RoHS指令2015/863规定的有害物质限量，如铅、汞、镉、六价铬等。测试结果显示，样品符合RoHS指令要求。报告详细列出了测试方法、测试结果及数据图表。

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【视频】长晶科技推出全新CSP封装MOSFET,阻值低至1mΩ用于锂电保护

长晶科技  -  MOS,功率MOS,金属氧化物半导体,功率器件,CJ8208SP,CJ8209SP,CJ8218SP,CJ6207SP,智能手环锂电保护,蓝牙耳机锂电保护,锂电保护,手机锂电保护,智能手表锂电保护

半导体器件卤素（SGS）测试报告（SHAEC2125203509）

本报告为SGS出具的一份半导体器件测试报告，编号SHAEC2125203509，日期为2021年11月26日。报告内容包括样品提交信息、测试项目、测试结果和附件。测试项目涉及卤素含量分析，测试方法参照EN 14582: 2016标准。报告显示，样品中氟、氯、溴、碘等卤素含量均未检测到。

长晶科技  -  SEMICONDUCTOR DEVICE,半导体器件,SMAG

SMAG半导体器件范围（SVHC）（SGS）测试报告（CANEC24015183507）

本报告为SGS公司出具的一份关于半导体器件的SVHC（高度关注物质）测试报告。报告编号为CANEC24015183507，测试日期为2024年7月22日。报告内容涉及客户提交的样品，包括多种型号的半导体器件。测试结果显示，样品中检测到SVHC物质，其浓度超过0.1%（w/w）。报告详细列出了检测到的SVHC物质名称、CAS编号和浓度，并提供了测试方法和结果。

长晶科技  -  SEMICONDUCTOR DEVICE,半导体器件

江苏长晶科技有限公司介绍

江苏长晶科技有限公司总部坐落于江苏南京江北新区，荣获2019年中国半导体功率器件十强企业。该司主营通用及小信号器件、功率器件、电源管理IC、频率器件、汽车电子等，拥有15000多个产品系列和型号，产品广泛应用于消费类及工业类电子领域。

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