【IC】 英诺赛科全链路氮化镓方案发布,从前端PSU电源到主板DC/DC模块,助力数据中心系统损耗减少50%

2023-10-08 英诺赛科公众号
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双碳目标持续发酵,数据中心这个“能耗大户”,早已得到各方面的关注。数据显示,2022年全国数据中心总耗电量约2700亿千瓦时,占全社会用电量的3.1%,超过2座三峡水电站年发电量。


Yole最新报告指出,GaN器件市场在2022年增长了44%,预计2022年至2028年的复合年增长率约为52%。其中,通信与基础设施的复合增长率达到50%,这表明GaN正在加快向数据通信与高功率领域渗透。


为满足数据中心绿色化转型的需求,英诺赛科推出了全链路氮化镓方案,从前端PSU电源主板DC/DC模块,以及芯片的直接供电,全面提升数据中心效率,加速数据中心技术迭代。


前端PSU电源:符合钛金级能效标准

英诺赛科SVP产品负责人孙毅表示:“服务器电源的功率等级已从800W提升到1.3kW,甚至4kW,因此对功率密度以及效率提出了非常高的要求。氮化镓的开通与关断损耗与碳化硅、硅器件相比下降了50%以上,并且没有反向恢复损耗,可以轻松满足钛金级效率需求。”


英诺赛科推出2kW PSU参考设计,采用图腾柱无桥PFC+LLC结构,效率高达96.5%,体积仅为185*65*35(mm³),完美符合80 Plus钛金级能效。



设计亮点

1U标准尺寸,整机峰值效率96.5%,满足钛金能效标准;

PFC级采用工作在连续模式的图腾柱无桥PFC,峰值效率99%;

LLC变压器2级矩阵设计,原边串联,副边并联,解决低压大电流输出时变压器散热难和损耗大问题;

系统布局结构优化,风道最优设计,实现整机系统的优异散热表现。


48V DCDC:挑战功率密度极限

在数字时代,互联网、人工智能以及大数据应用的需求不断增长,数据中心需要处理更多的数据,带来了更大的功率需求。随着功率的增加,传统的12V供电架构下,需要更大尺寸的线缆、连接器以及更厚的主板电源板来降低配电线阻,从而降低系统的传输线损,这不但限制了功率的传输,同时也增加了系统的重量。近年来,新的48V供电架构被提出来用以解决更大功率的需求,同样的电流下可提供4倍的输出功率。


48V中间母线式供电架构具有功率密度高、能效高、布线成本低等优势,可以有效解决数据中心电力消耗猛增的问题。针对48V供电架构,英诺赛科推出了从420W-1000W的IBC电源模块,最高功率密度达2200W/in^3。


设计亮点

与Si方案相比:

采用GaN的系统方案可将有效占空比提高7%,死区降低43.8%,原边有效电流降低7.3%,副边有效电流降低5.2%;

方案中的器件、变压器、PCB等总损耗降低20%,可以使效率提升0.5%以上;

基于系统38W散热条件下,Si方案输出功率960W,GaN方案可以输出1100W,功率密度可以提高15%以上。


核心供电Vcore:Last inch功率密度,效率提升的关键

服务器作为算力中心的三大基础设施之一,是构建算力中心的核心要素,整体功耗能占到总能耗的40%-50%。


采用氮化镓设计的Vcore核心供电方案,支持MHz以上开关频率,减小无源元件体积从而提高功率密度,同时InnoGaN能够实现更高的效率和更低的成本,打造系统优势。



设计亮点

相比于700~800kHz的传统Si方案,GaN频率提升至1.5MHz以上,电感等无源元件体积减小,power stage功率密度预计提升超过30%;

预计能够帮助系统效率提升超过1%,从而减少系统损耗。


在数据中心全链路方案中,英诺赛科同步推出了多种氮化镓评估板,如Hot swapOring等。


数据中心采用全链路GaN设计方案,能够提高能源转换效率,将系统损耗降低50%。浪潮、阿里等云计算厂商已经相继将GaN纳入新的服务器架构设计中,提高模块化、集成化程度,进一步解决算力能耗问题,创新整机系统设计。与此同时,GaN的规模化量产与技术的成熟也使其成本优势逐渐显现。市场和技术的双向推动,将加快GaN在数据中心的应用。

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