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【经验】数字隔离器替换光耦合器过程中的注意点
数字隔离器相比光耦合器在性能上有诸多优势，如寿命长，没有温漂，性能一致性好，集成度高等。随着国产数字隔离器的兴起和隔离器价格的降低，数字隔离器替换光耦的趋势将愈演愈烈，本文荣湃半导体主要讨论数字隔离器和光耦合器的差异点，以便更好地使用数字隔离器。
【经验】数字隔离器Si8660在IPM前端隔离应用互锁的实现方法
小型伺服驱动应用中通常使用IPM作为功率核心，现在很多设计中采用Silicon Labs数字隔离器Si8660作为驱动与功率IGBT之前的隔离。由于电容隔离不能像光耦设计能做到上下桥臂互锁，本文介绍Si8660数字隔离器实现上下桥臂的方案。
【经验】关于用于平衡安全性和性能的数字隔离器使用时该注意的10大问题
某些电路在尝试互相通信时会受损，而数字隔离器可使电路在互相通信时避免受损。在本问答中，Silicon Labs 的 Rudye McGlothlin 回答了关于这些用于平衡安全性和性能的设备和技术的一些问题。
【应用】英诺赛科氮化镓开关管助力双向AC-DC变换器设计，转换效率达95%
芯仙能源技术推出的这款双向AC-DC变换器具备2000W输出功率，支持整流输出模式和逆变模式，适合用于48V电池系统的储能应用等场合。逆变模块内部采用英诺赛科的氮化镓器件、继电器来自Churod中汇瑞德，线圈电压12V，触点容量50A；通过纳芯微驱动器驱动氮化镓开关管，交流输入和输出保险丝来自华德电子，为WM50系列电力熔断器。
【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案
基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，其开关频率一般低于100kHz，相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。针对以上问题，本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。
英诺赛科半桥氮化镓功率芯片ISG3201发布，支持客户在尺寸、成本、灵活性和性能方面进行优化
ISG3201 半桥氮化镓功率芯片包括两个100V 3.2mΩ 具有驱动器、驱动电阻器、自举和Vcc电容器的e-mode GaN HEMT。它具有34A的连续电流能力、零反向恢复电荷和超低导通电阻。由于集成度高，栅极环路和功率环路寄生电流保持在1nH以下。因此，开关节点上的电压尖峰被最小化。半桥GaN HEMT的导通速度可以通过单个电阻器来调节。
INN700DC190C 700V氮化镓增强型功率晶体管
描述- 本资料介绍了INN700DC190C这款700V GaN增强型功率晶体管。该晶体管采用DFN封装，具有高开关频率、无反向恢复电荷、低栅极电荷和输出电荷等特点，适用于工业应用，符合RoHS、无铅、REACH标准。主要应用领域包括DCM/BCM PFC、AHB/LLC/QR Flyback/ACF DCDC转换器、LED驱动器、快充电池、笔记本电脑/一体机适配器、台式机/ATX/电视/电动工具电源等。
型号- INN700DC190C
【IC】英诺赛科新推高集成半桥驱动功率芯片ISG3201，耐压100V，导通电阻为3.2mΩ
英诺赛科ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓芯片，其内部集成了2颗100V，导阻3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，凭借内部集成驱动省器去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数。
ISG3201 100V半桥固态氮化镓集成栅极驱动器产品可靠性报告
描述- 本报告详细介绍了Innoscience公司生产的ISG3201 100V Half-Bridge Solid-GaN集成门驱动器的可靠性测试结果。该产品采用GaN on Silicon工艺，封装为LGA（5mmx6.5mmx1.12mm）。报告涵盖了多种可靠性测试，包括MSL3、H3TRB、PLTC、PLTS、HTOL、HTRB、HTGB、ESD等，所有测试均通过，表明ISG3201具有优异的可靠性。
型号- ISG3201
InnoGaN 150V产品介绍
描述- Innoscience推出的InnoGaN 150V产品，采用GaN-on-Silicon E-mode HEMT技术，具有超低栅极电荷、超低导通电阻、极小封装尺寸和零反向恢复电荷等特点。主要性能参数包括VDSmax、RDS(on)max、Ciss、Coss、Qg、Qoss和Qrr等。该产品适用于DC-DC转换器和Class-D音频等领域，具有低开关损耗、高效率、高频和小型化等优势。此外，还介绍了InnoGaN直接驱动和电平移位驱动设计的相关信息。
型号- INN150LA070A
【元件】英诺赛科2款FCQFN 150V Single GaN打入工业应用市场，具备高频高效、低导阻等优越特性
为了推进氮化镓在高频市场中的应用，英诺赛科基于150V电压平台推出了INN150FQ032A和INN150FQ070A两款中低压GaN，满足工业级可靠性要求，主要应用于太阳能系统优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动等。
【IC】英诺赛科新推高集成、小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201，支持独立的高低边PWM信号输入，外围元件非常精简
英诺赛科推出的半桥氮化镓功率芯片通过将氮化镓开关管和驱动器集成，具有更小的封装面积，更强的散热性能和更高的功率密度，能够满足48V大功率系统的应用，如高性能计算机，服务器，太阳能逆变器，电机驱动，数字音频以及电动汽车应用。
【产品】100V E型GaN场效应管 INN100W08，具有超高开关频率，超低RDS（ON）
英诺赛科新推出的 E型GaN场效应管INN100W08，具有超高开关频率，超低RDS（ON），快速可控的下降和上升时间，零反向恢复损耗等特点，漏源电压（连续）为100 V，工作温度为-40 to 150 ˚C，可应用于高效电源转换，高密度功率转换，电机驱动，工业自动化，DC-DC转换器等领域。
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品牌：MELEXIS
品类：smart LIN Motor Driver
价格：￥28.7710
现货： 83,000
品牌：MELEXIS
品类：smart LIN Driver for small motors
价格：￥78.3170
现货： 52,756
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
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