InnoGaN半桥驱动如何设计？

时间： 2023-10-20 来源：英诺赛科微信公众号

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数字隔离器选型，从读懂Datasheet开始

相比光耦，数字隔离器如今越来越流行，那么你真的会选数字隔离器吗?由于数字隔离器和光耦的功能基本相同，因此很多参数和光耦类似。但还有很多不一样之处，本文我们就结合Datasheet，来讲一讲数字隔离器的选型。

设计经验发布时间 : 2023-12-21

【经验】数字隔离器Si8660在IPM前端隔离应用互锁的实现方法

小型伺服驱动应用中通常使用IPM作为功率核心，现在很多设计中采用Silicon Labs数字隔离器Si8660作为驱动与功率IGBT之前的隔离。由于电容隔离不能像光耦设计能做到上下桥臂互锁，本文介绍Si8660数字隔离器实现上下桥臂的方案。

设计经验发布时间 : 2019-12-14

【经验】关于用于平衡安全性和性能的数字隔离器使用时该注意的10大问题

某些电路在尝试互相通信时会受损，而数字隔离器可使电路在互相通信时避免受损。在本问答中，Silicon Labs 的 Rudye McGlothlin 回答了关于这些用于平衡安全性和性能的设备和技术的一些问题。

设计经验发布时间 : 2018-11-23

【应用】英诺赛科氮化镓开关管助力双向AC-DC变换器设计，转换效率达95%

芯仙能源技术推出的这款双向AC-DC变换器具备2000W输出功率，支持整流输出模式和逆变模式，适合用于48V电池系统的储能应用等场合。逆变模块内部采用英诺赛科的氮化镓器件、继电器来自Churod中汇瑞德，线圈电压12V，触点容量50A；通过纳芯微驱动器驱动氮化镓开关管，交流输入和输出保险丝来自华德电子，为WM50系列电力熔断器。

应用方案发布时间 : 2023-03-04

【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案

基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，其开关频率一般低于100kHz，相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。针对以上问题，本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。

应用方案发布时间 : 2020-04-10

ISG3201 PcbLib & SchLib & IntLib

型号- ISG3201

CAD模型库 - 英诺赛科 RAR 英文下载

ISG3201 100V Half-Bridge Solid-GaN Integrating Gate Driver

型号- ISG3201

数据手册 - 英诺赛科 - Rev. 1.0 - 2023/06/28 PDF 英文下载

【IC】英诺赛科新推高集成半桥驱动功率芯片ISG3201，耐压100V，导通电阻为3.2mΩ

英诺赛科ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓芯片，其内部集成了2颗100V，导阻3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，凭借内部集成驱动省器去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数。

新产品发布时间 : 2023-01-13

ISG3201 100V Half-Bridge Solid-GaN Integrating Gate Driver PRODUCT RELIABILITY REPORT

型号- ISG3201

测试报告 - 英诺赛科 - Revision 1.0 - July/3/2023 PDF 英文下载

英诺赛科半桥氮化镓功率芯片ISG3201发布，支持客户在尺寸、成本、灵活性和性能方面进行优化

ISG3201 半桥氮化镓功率芯片包括两个100V 3.2mΩ 具有驱动器、驱动电阻器、自举和Vcc电容器的e-mode GaN HEMT。它具有34A的连续电流能力、零反向恢复电荷和超低导通电阻。由于集成度高，栅极环路和功率环路寄生电流保持在1nH以下。因此，开关节点上的电压尖峰被最小化。半桥GaN HEMT的导通速度可以通过单个电阻器来调节。

原厂动态发布时间 : 2023-07-11

Innoscience INN650D02 60W PD Reference Design with InnoGaN™

型号- HUSB339,PX471M025E150P,1N4148W,DMP3007SCG-7,HGN070N12SL,MM5Z6V2ST1G,NCP4306DAD,1N4148WS,NCP1342AMDCDAD1R2G,MSB40M,NCP1342,MMBTA42,KM300V400G220A00H,NCP4306DADZZDASNT1G,CD70-B2GA151KYNSA,TC4026-101M,EL1018,NCP1342A,INN650D02,BZT52-B12S,FAN3111E,EGW2CM4R7D11OT,TCB090503-350N,BAS115,BAS516,ES1JS,1N5819W

应用笔记或设计指南 - 英诺赛科 - Rev.1.6 - October, 2019 PDF 英文下载

英诺赛科推出同步整流驱动器和控制器产品，发布支持65W/140W/240W氮化镓快充的All-GaN解决方案

英诺赛科新推出的内置INN150LA070A 150V同步整流驱动器/控制器氮化镓快充的特性，以及英诺赛科All-GaN解决方案在65W、140W、240W快充案例上的应用，具有高效高功率密度等特点，解决USB PD 3.1更高功率带来的更大体积、更高发热痛点。

原厂动态发布时间 : 2022-02-22

【元件】英诺赛科2款FCQFN 150V Single GaN打入工业应用市场，具备高频高效、低导阻等优越特性

为了推进氮化镓在高频市场中的应用，英诺赛科基于150V电压平台推出了INN150FQ032A和INN150FQ070A两款中低压GaN，满足工业级可靠性要求，主要应用于太阳能系统优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动等。

新产品发布时间 : 2023-07-27

【IC】英诺赛科新推高集成、小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201，支持独立的高低边PWM信号输入，外围元件非常精简

英诺赛科推出的半桥氮化镓功率芯片通过将氮化镓开关管和驱动器集成，具有更小的封装面积，更强的散热性能和更高的功率密度，能够满足48V大功率系统的应用，如高性能计算机，服务器，太阳能逆变器，电机驱动，数字音频以及电动汽车应用。

新产品发布时间 : 2023-01-13

【方案】小功率LED恒流源驱动模块优选元器件方案

描述- 本方案主要采用Silicon Labs 的超小型低功耗8位MCU EFM8BB10F8G-A-QFN20R，圣邦微的LED恒流驱动器SGM3784YG/TR，TE Connectivity NTC热敏电阻GA2.2K3A1iD等器件。将效率提高至95%，电流精度典型值可达97%，散热效果好，可实现方便快捷的调光功能。很好的解决了LED恒流驱动电源存在的问题。

型号- MC2016K24.0000C1XESK,SGM2036-3.3YUDH4G/TR,INN40W01-40V,EFM8BB10F8G-A-QFN20R,SGM3784YG/TR,RP104N331D-TR-AE,GA2.2K3A1ID,HTU20D,9608

优选器件方案 - RICOH,KYOCERA,SILICON LABS,英诺赛科,TE CONNECTIVITY,SGMICRO - V1.0 PDF 中文下载