国产SiC MOS又添新军,森国科多项性能媲美国际大厂

2023-11-03 森国科公众号
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近日,森国科亮相“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”,重点介绍了新一代1200V SiC MOSFET模块新品。


据了解,这些SiC MOSFET新产品在Rds(on)等多项参数上,均优于多家国际大厂,并且采用15V栅极驱动,易用性大幅提升,目前这些产品已经通过了多家下游厂商的测试,并批量出货中。


1200V SiC MOS亮相 ,多项性能媲美国际大厂

活动上,森国科重点介绍了新一代1200V SiC MOSFET系列产品。


据介绍,他们的新一代产品是基于6英寸晶圆平台进行开发,主要有4款新产品(K3M040120-RK3M040120-R4K3M080120-R以及K3M080120-R4),导通电阻有80mΩ和40mΩ可选,封装方式有TO-247-3L、TO-247-4L,工作结温高达175℃。

表 1

森国科在2021年就投入SiC MOSFET的研发,采用了最新的第三代平面栅SiC MOSFET芯片技术,相比上一代产品,这次新产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色,完美满足大功率充电模块、光伏逆变器以及大功率储能等中高压系统的需求。


森国科表示,他们的1200V SiC MOSFET具有更好的BV & Rdson trade off,在降低Rds(on)方面做了很多工作。


相对而言,平面栅SiC MOSFET工艺相对简单,可靠性更高,然而受沟道电阻和JFET电阻影响Rds(on)较大。在SiC MOSFET的通态损耗中,Rds(on)占比约达42.5%,尤其是在高频工作频率下,Rds(on)是SiC MOSFET性能好坏的关键因素,直接决定芯片的开关效率,进而影响系统效率。


为了降低SiC MOSFET的Rds(on),缩小元胞尺寸,森国科主要采用3种领先技术,包括:通过沟道自对准工艺,缩短沟道长度,降低沟道电阻;优化芯片工艺制程、优化欧姆接触工艺来降低Rds(on);通过超薄晶圆技术降低衬底厚度,降低Rds(on),并且提升浪涌能力。


数据对比显示,森国科1200V/80mΩ SiC MOSFET的Rds(on)典型值为72mΩ,IDSS和IGSS等参数也远低于其他国际大厂,达到国际一流水平。

表 2 森国科第三代SiC MOSFET与国际大厂的对比

此外,在可靠性方面,森国科SiC MOSFET严格按照工业级和车规级的可靠性测试要求进行,顺利通过了1000小时的可靠性测试。


同时,森国科SiC MOSFET在易用性方面也进行了优化,可以在更大的栅极驱动电压范围内工作,能够满足工程师对15V栅极驱动的设计需求。


相较于其他的20V栅压SiC MOSFET产品,15V的产品具有更好的兼容性,能够更好地兼容硅基IGBT驱动电路,而且也有利于采用国产15V驱动芯片,扩大驱动器件的选择面,有助于降低系统成本。


新款SiC MOSFET模块 ,简单、易用、更高效

此外,森国科还重点介绍了新的SiC MOSFET模块。


为了更好地满足客户需求,在上一代原有封装产品的基础上,森国科新增了3款碳化硅模块KC006F12W2M1KC011F12W1M1以及KC017Z12J1M1),其导通电阻分别为6mΩ、11mΩ、17mΩ,工作结温高达175℃。


并且新的碳化硅模块采用了典型的Easy 1B、Easy 2B以及SOT-227封装,可在简单易用的封装内实现效率最佳化,有助于工程师开发出更小更紧凑的外形尺寸、扩展性更好的电源系统,并向最终用户提供经济实惠、高功率密度的解决方案。

图 2

Easy1B/2B封装通过改善引脚位置,可确保短且无干扰的换流回路,以减少模块杂散电感,也提高了芯片的热传导性能。SOT-227介于单管和模块之间,是功率半导体开发方向之一,优势包括小体积、设计灵活度等,在应用于空间要求高或结构布局特殊的拓扑时特别有优势。

表 3

2大工厂、4大优势: 森国科获300+客户青睐

凭借在碳化硅功率器件领域的积累,同时秉承着“做最合适的功率器件”的理念,森国科已经在碳化硅行业脱颖而出。截止到目前,森国科合作的客户超过300多家,碳化硅产品已经广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、储能逆变器、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块等多个领域。


前段时间,森国科实现了半年新增百余家客户的成绩,这主要得益于他们在多个方面的不懈努力和默默耕耘。


首先,森国科专注碳化硅精品研发。据介绍,他们团队一直以来遵循研发创新的长期主义,以拙劲钻研产品和技术,突破关键技术后,就能迅速将产品系列化。而且他们也非常注重研发投入。据透露,森国科的研发人员占比超过70%,研究生以上学历占比50%。


其次,充足的产能供应能力。在代工流片上,森国科已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系,例如X-FAB 6吋线和积塔半导体6吋线,这些合作FAB厂在碳化硅晶圆制造领域拥有丰富的经验,工艺稳定,代工的器件良率较高,可以给客户提供更好的产能和品质保障。

图 2 森国科SiC全球布局代工厂

第三,森国科还建立了完善且严格的质量管理体系。

森国科致力于为客户提供最可靠的碳化硅MOSFET、模块产品,他们在碳化硅芯片的生产过程中实施了严格的质量控制措施。失效分析、可靠性验证等环节贯穿整个生产过程;在产品验证环节,确保通过GMW3172/VW8000等认证测试,获得车厂等客户的认可。


此外,在提升产品可靠性方面,森国科还加强了实验室的建设,在内部实验室就可以参照JEDEC标准完成所有的测试验证,包括双85的测试验证。

图 3 森国科SiC完善的品控流程

再者,森国科还建立了快速的市场响应及服务机制。

森国科在继续深耕国产SiC市场的过程中,不仅专注为客户提供多样化的优质产品,还始终致力于推行以客户为中心的营销服务体系,通过打造“产品+服务”的模式,快速响应市场及客户需求。


森国科在技术开发、生产制造、质量管控以及客户服务环节都建立了客户反馈响应机制,目标是持续关注客户核心诉求,为客户打造“最合适的功率器件”。

图 4 森国科快速的市场响应及服务

接下来,森国科会致力于将SiC MOSFET的系列化,包括650V系列、1200V系列、1700V系列,并针对客户需求推出更多的碳化硅模块产品。未来,森国科也将持续加强自主创新,加速产品迭代升级,开发更多符合市场需求的产品,为客户提供更优质的产品与服务。

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