時科携快充、储能、光伏等热门领域高效解决方案亮相深圳电子元器件展,为电子领域带来高效节能和低损耗的解决方案

2023-10-19 时科 微信公众号
碳化硅肖特基二极管,GaN FET,SKGM18N65-N8,SKGM18N65-T 碳化硅肖特基二极管,GaN FET,SKGM18N65-N8,SKGM18N65-T 碳化硅肖特基二极管,GaN FET,SKGM18N65-N8,SKGM18N65-T 碳化硅肖特基二极管,GaN FET,SKGM18N65-N8,SKGM18N65-T

2023年10月11日,为期三天的深圳电子元器件及物料采购展览于深圳国际会展中心(宝安)盛大开幕。这一展览旨在全面展示电子产品设计与制造所需的各种电子元器件及物料产品,为广泛来自电子产品生产领域的专业采购人员提供了一个独特的采购平台。



時科,作为全球工程师的重要战略合作伙伴,携带着在快充、储能、光伏等热门领域的高效解决方案亮相了本次展会。展会的第一天,時科就吸引了众多国内外工程师的兴趣,他们前来咨询交流并签订订单。



在展会上,時科展出的GaN FET产品包括SKGM18N65-N8SKGM18N65-T,采用了Cascode结构,易于使用,与标准柵极驱动器兼容,具有低QRR,不需要自由旋转二极管,以及低开关损耗等特点。这些产品广泛应用于计算机、电源适配器和消费电子领域,并具有以下优势:



  • 高效节能

GaN材料的独特极化特性和高导通电阻小、开关速度快的特点,大大减少了器件的通态损耗和开关损失。


  • 小型化、轻量化、低成本化

由于GaN材料的宽禁带等特性,使得GaN器件能够在更高温度环境下工作,从而使得电力电子装置更小型化和轻量化,降低了系统制造成本。


  • 输出功率密度大,驱动力强劲

GaN器件具有高耐压能力和高电流密度,能够实现更大的功率密度。



此外,现场还展示了碳化硅肖特基二极管Q-SSCxxxx系列),这也引起了众多工程师和采购人员的关注。这些产品具有可忽略的反向恢复、高速开关、不受温度影响、低散热要求和高可靠性等特点,主要用于逆变器、不间断电源、HID照明、电机驱动和大功率设备。



碳化硅二极管的优势包括:

1、快速切换速度和无反向恢复电流,可减少系统损耗,提高系统工作频率的灵活性,特别适用于太阳能逆变器。

2、高效率,不受温度影响,适用于开关电源,能提高效率并降低损耗。

3、在新能源汽车充电桩中,碳化硅二极管具有高频高效的特点,可以提高效率和充电速度。


超40个细分品类,近5000款单品,更多产品详情及应用解决方案,欢迎前来深圳国际会展中心(宝安)3号馆3G15時科展位。携手時科SIC、氮化镓等第三代半导体共同推动电子科技领域的发展。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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