MOSFET的失效机理分析

时间： 2023-10-27 来源：HI-SEMICON公众号

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MOSFET失效机制

当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。

雪崩失效：短路造成的失效

如上图所示，IAS会流经MOSFET的基极寄生电阻RB。此时，寄生双极型晶体管的基极和发射极之间会产生电位差VBE，如果该电位差较大，则寄生双极晶体管可能会变为导通状态。一旦这个寄生双极晶体管导通，就会流过大电流，MOSFET可能会因短路而失效。

雪崩失效：热量造成的失效

在雪崩击穿期间，不仅会发生由雪崩电流导致寄生双极晶体管误导通而造成的短路和损坏，还会发生由传导损耗带来的热量造成的损坏。如前所述，当MOSFET处于击穿状态时会流过雪崩电流。在这种状态下，BVDSS被施加到MOSFET并且流过雪崩电流，它们的乘积成为功率损耗。这种功率损耗称为“雪崩能量EAS”。雪崩测试电路及其测试结果的波形如下图所示。此外，雪崩能量可以通过公式（1）来表示。

雪崩能量公式

一般情况下，有抗雪崩保证的MOSFET，在其规格书中会规定IAS和EAS的绝对最大额定值，因此可以通过规格书来了解详细的值。在有雪崩电流流动的工作环境中，需要把握IAS和EAS的实际值，并在绝对最大额定值范围内使用。

引发雪崩击穿的例子包括反激式转换器中的MOSFET关断时的反激电压和寄生电感引起的浪涌电压等。针对反激电压引起的雪崩击穿，对策包括在设计电路时采用降低反激电压的设计或使用具有更高耐压性能的MOSFET。而针对寄生电感引起的雪崩击穿，改用引脚更短的封装的MOSFET或改善电路板布局以降低寄生电感等都是比较有效的措施。

dV/dt失效

如下图（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE，使寄生双极晶体管导通，引起短路并造成失效的现象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的电位差就越大，寄生双极晶体管越容易导通，从而越容易发生失效问题。

此外，在逆变器电路或Totem-Pole PFC等上下桥结构的电路中，反向恢复电流Irr会流过MOSFET。受该反向恢复电流影响的dV/dt，可能会使寄生双极晶体管误导通，这一点需要注意。dV/dt失效与反向恢复特性之间的关系可以通过双脉冲测试来确认。双脉冲测试的电路简图如下：

dV/dt和反向恢复电流的仿真结果如下图所示。

设MOSFET①～③的栅极电阻RG和电源电压VDD等电路条件相同，仅反向恢复特性不同。图中列出了Q1从续流工作转换到反向恢复工作时的漏源电压VDS和漏极电流（内部二极管电流）ID。

一般情况下，与MOSFET①相比，MOSFET③可以说是“反向恢复特性较差（Irr和trr大）”的产品。从这个仿真结果可以看出，反向恢复特性越差，dV/dt的坡度就越陡峭。这一点通过流经电容器的瞬态电流通常用I=C×dV/dt来表示也可以理解。此外，在上述仿真中，Irr的斜率（di/dt）均设置为相同条件，但当di/dt陡峭时，dV/dt也会变陡峭。

综上所述，可以说，在桥式电路中使用MOSFET时，反向恢复特性越差的MOSFET，发生MOSFET的dV/dt失效风险越大。

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