【元件】 新洁能发布1500V/1700V功率VDMOS，整体开关和导通损耗的FOM较竞品低10%左右
在变频器辅助电源或光伏逆变器中，辅助电源的主要作用是将DC高压降压后，为驱动IC、主控MCU、通讯模块芯片等供电。以380V系统的变频器为例，因辅助电源取电是380V整流后的高压输入，而整流滤波后的电压一般在550V左右，变频器辅助电源一般是反激设计，一般需要功率器件留有1.5-2.5倍的余量，以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V，故需要应用到1500V耐压的MOS管。光伏逆变器辅助电源中，由于母线电压和功率不同，一般会选用单管反激或双管反激拓扑，无论那种拓扑都离不开核心的功率器件，即1500V~1700V功率MOS。
典型的辅助电源单管反激拓扑
双管反激辅助电源的拓扑
新品介绍
新洁能推出了1500V和1700V系列功率VDMOS，以1700V、3A左右产品为例，关键参数与主流国外竞品实测对比如下：
可以看到NCE3N170T较国外竞品具有更小的导通电阻和更小的栅极电荷，因此代表器件整体开关和导通损耗的FOM（导通电阻X栅极电荷）较竞品低10%左右。
除了优异的性能表现外，新洁能推出的1500V和1700V功率VDMOS还具有如下特点：
1） 耐压余量大：保证器件在低温至-40℃时，仍能100%保证耐压大于额定电压的要求；为器件工作在户外或极寒工况下，提供最大保障；
2） 器件结温高：允许的瞬态最大工作结温175℃，为系统瞬态过载提供更大的安全余量；
3） 可靠性强：产品不仅可以通过常规的可靠性考核项目，还可以满足最大结温下的100%偏压HTRB\HTGB考核和更严苛的HV-H3TRB考核，保障器件在高温、高湿等恶劣工况下的稳定工作。
1500V和1700V系列功率VDMOS目前3A产品已量产，其余电流规格产品正在陆续推出，请留意公司网站更新。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 6
本文由犀牛先生转载自NCE（无锡新洁能股份有限公司 微信公众号），原文标题为:【新品发布】新洁能1500V/1700V功率VDMOS，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
评论
全部评论（6）
-
![]()
![]()
七彩风云 Lv6. 高级专家 2024-02-26学习 -
![]()
![]()
小学生 Lv8. 研究员 2024-02-21学习了 -
![]()
![]()
zwjiang Lv9. 科学家 2024-02-07学习 -
![]()
![]()
鄗立恒 Lv8. 研究员 2024-02-06学习了 -
![]()
![]()
小云帆 Lv7. 资深专家 2024-01-22学习了 -
![]()
![]()
小学生攻城狮 Lv8. 研究员 2023-12-13学习
相关推荐
【产品】40V/125A的N沟道功率MOSFET NCEAP4090AGU，漏源导通电阻低，采用PDFN5X6-8L封装
NCEAP4090AGU是NCE推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，可以提供最高效的高频开关性能。器件采用PDFN5X6-8L封装，得益于RDS(ON)和Qg的超低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。
产品 发布时间 : 2023-04-18
【产品】100V/108A的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，漏源导通电阻低至5.7mΩ
NCE采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，无铅，TO-263-2L封装，可提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
产品 发布时间 : 2023-05-07
【产品】击穿电压等级-12至-150V的P沟道车规级功率MOSFET，具有超低的导通电阻和坚固的可靠性
新洁能提供击穿电压等级-12V至-150V的P沟道车规级功率MOSFET，由于其独特的栅极负压导通机制，当它被用作高边开关时，可以大幅度降低系统的设计复杂度。超低导通电阻，坚固可靠性在汽车蓄电池防反接领域得到广泛应用。
产品 发布时间 : 2022-12-02
研讨会2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI） | 中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE） | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes） | 中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip） | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ） | Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER） | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics） | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY） |
活动 发布时间 : 2024-10-12
N沟道超级沟槽功率MOSFNCEP15T14D用于电机控制器中，可在69V的电压5KW平台车型上使用
新洁能N沟道超级沟槽功率MOSF NCEP15T14D支持150V的耐压、典型内阻5.6mR、单相8颗并联，在69V的电压5KW平台车型上使用，设计裕量非常充分，还配上了水冷散热。
应用方案 发布时间 : 2023-10-31
世强可为30~80kW组串式光伏逆变器供应功率转换单元和辅助电源模块
针对光伏发电系统逆变器，世强元件电商推荐Vincotech的IGBT模块、Renesas的IGBT单管、Wolfspeed的MOSFET、Wolfspeed的SiC二极管、Littelfuse的Sic MOSFET、PI或Silicon Labs的驱动IC、Renesas的驱动光耦、WIMA的滤波电容、Melexis的电流传感器等产品。
器件选型 发布时间 : 2018-06-02
【选型】推荐车规级N沟道超级沟槽II功率MOSFET NCEAP023N10LL用在DC-DC项目中的同步整流部分
NCE推出的低压大电流场效应管NCEAP023N10LL具有漏极电流大，导通内阻低的特点，本文就从NCEAP023N10LL性能参数以及封装尺寸方面进行分析，讨论其作为功率开关管用于DC-DC项目中的优势。
器件选型 发布时间 : 2023-06-09
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论