【元件】 新洁能发布1500V/1700V功率VDMOS,整体开关和导通损耗的FOM较竞品低10%左右

2023-10-18 NCE(无锡新洁能股份有限公司 微信公众号)
功率VDMOS,功率MOS,NCE3N170T,NCE 功率VDMOS,功率MOS,NCE3N170T,NCE 功率VDMOS,功率MOS,NCE3N170T,NCE 功率VDMOS,功率MOS,NCE3N170T,NCE

在变频器辅助电源或光伏逆变器中,辅助电源的主要作用是将DC高压降压后,为驱动IC、主控MCU、通讯模块芯片等供电。以380V系统的变频器为例,因辅助电源取电是380V整流后的高压输入,而整流滤波后的电压一般在550V左右,变频器辅助电源一般是反激设计,一般需要功率器件留有1.5-2.5倍的余量,以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V,故需要应用到1500V耐压的MOS管。光伏逆变器辅助电源中,由于母线电压和功率不同,一般会选用单管反激或双管反激拓扑,无论那种拓扑都离不开核心的功率器件,即1500V~1700V功率MOS


典型的辅助电源单管反激拓扑

双管反激辅助电源的拓扑

新品介绍


新洁能推出了1500V和1700V系列功率VDMOS,以1700V、3A左右产品为例,关键参数与主流国外竞品实测对比如下:



可以看到NCE3N170T较国外竞品具有更小的导通电阻和更小的栅极电荷,因此代表器件整体开关和导通损耗的FOM(导通电阻X栅极电荷)较竞品低10%左右。


除了优异的性能表现外,新洁能推出的1500V和1700V功率VDMOS还具有如下特点:

1) 耐压余量大:保证器件在低温至-40℃时,仍能100%保证耐压大于额定电压的要求;为器件工作在户外或极寒工况下,提供最大保障;

2) 器件结温高:允许的瞬态最大工作结温175℃,为系统瞬态过载提供更大的安全余量;

3) 可靠性强:产品不仅可以通过常规的可靠性考核项目,还可以满足最大结温下的100%偏压HTRB\HTGB考核和更严苛的HV-H3TRB考核,保障器件在高温、高湿等恶劣工况下的稳定工作。


1500V和1700V系列功率VDMOS目前3A产品已量产,其余电流规格产品正在陆续推出,请留意公司网站更新。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 6

本文由犀牛先生转载自NCE(无锡新洁能股份有限公司 微信公众号),原文标题为:【新品发布】新洁能1500V/1700V功率VDMOS,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(6

  • 七彩风云 Lv6. 高级专家 2024-02-26
    学习
  • 小学生 Lv8. 研究员 2024-02-21
    学习了
  • zwjiang Lv9. 科学家 2024-02-07
    学习
  • 鄗立恒 Lv8. 研究员 2024-02-06
    学习了
  • 小云帆 Lv7. 资深专家 2024-01-22
    学习了
  • 小学生攻城狮 Lv8. 研究员 2023-12-13
    学习
没有更多评论了

相关推荐

【产品】100V/108A的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D,漏源导通电阻低至5.7mΩ

NCE采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D,无铅,TO-263-2L封装,可提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合,导通和开关功率损耗都被最小化,是高频开关和同步整流的理想选择。

2023-05-07 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP85T10G,采用DFN5X6-8L封装,具有高效高频开关性能

NCEP85T10G是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET,采用DFN5X6-8L封装,可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON)和Qg的极低组合,该器件的导通和开关功率损耗都被最小化,是高频开关和同步整流的理想选择。

2023-05-23 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】85V/110A N沟道功率MOSFETNCEP85T11,适用于高频开关和同步整流

NCEP85T11是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET,采用TO-220-3L封装,可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON)和Qg的极低组合,该器件的导通和开关功率损耗都被最小化,是高频开关和同步整流的理想选择。

2023-05-10 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

N沟道超级沟槽功率MOSFNCEP15T14D用于电机控制器中,可在69V的电压5KW平台车型上使用

新洁能N沟道超级沟槽功率MOSF NCEP15T14D支持150V的耐压、典型内阻5.6mR、单相8颗并联,在69V的电压5KW平台车型上使用,设计裕量非常充分,还配上了水冷散热。

2023-10-31 -  应用方案 代理服务 技术支持 批量订货

NCEP01ND35AG NCE N沟道超级沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCEP01ND35AG这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,提供高效的高频开关性能,具有低导通和切换功率损耗的特点。适用于高频开关和同步整流。

型号- NCEP01ND35AG

2020/03/24  - NCE  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 批量订货

NCEP008N30GU NCE N沟道超级沟槽II功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCEP008N30GU型号的N-通道超级沟槽II功率MOSFET。这款器件采用独特的Super Trench II技术,优化了高频开关性能,具有极低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg),适用于高频开关和同步整流应用。

型号- NCEP008N30GU

2023/6/30  - NCE  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 批量订货

NCEP85T11 NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCEP85T11这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,提供高效的开关性能,具有低导通电阻和栅极电荷,适用于高频切换和同步整流。

型号- NCEP85T11

2019/02/14  - NCE  - 数据手册  - v1.0 代理服务 技术支持 批量订货

NCEP0120Q NCE N沟道超级沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCEP0120Q型N通道超深沟槽功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,优化了高频开关性能,具有低导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。

型号- NCEP0120Q

2020/03/24  - NCE  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货

NCE3N170T N沟道增强型功率MOSFET

描述- 本资料介绍了NCE3N170T型号的高压增强型MOSFET。该器件采用先进技术和设计,适用于开关应用。其主要特点是高速切换、最小化内建电容和Qg值,并通过100%雪崩测试。资料提供了详细的电气特性、热特性和封装信息。

型号- NCE3N170T

2023/11/14  - NCE  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货

NCEP02T10T NCE N沟道超沟槽功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCEP02T10T N-通道超沟槽功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,提供高效的开关性能,具有低导通电阻和栅极电荷,适用于高频切换和同步整流。

型号- NCEP02T10T

2018/06/25  - NCE  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 批量订货

NCE40P70K NCE P沟道增强型功率MOSFET

描述- NCE40P70K是一款采用先进沟槽技术的P-Channel增强型功率MOSFET。该器件具有低RDS(ON)、高电流承载能力等特点,适用于高频负载应用。

型号- NCE40P70K

Sep.2010  - NCE  - 数据手册  - v2.0 代理服务 技术支持 批量订货

NCEP15T10V N沟道超级沟槽功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCEP15T10V这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术,优化了高频开关性能,具有极低的导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。

型号- NCEP15T10V

2023/12/13  - NCE  - 数据手册  - v1.1 代理服务 技术支持 批量订货

世强可为30~80kW组串式光伏逆变器供应功率转换单元和辅助电源模块

针对光伏发电系统逆变器,世强元件电商推荐Vincotech的IGBT模块、Renesas的IGBT单管、Wolfspeed的MOSFET、Wolfspeed的SiC二极管、Littelfuse的Sic MOSFET、PI或Silicon Labs的驱动IC、Renesas的驱动光耦、WIMA的滤波电容、Melexis的电流传感器等产品。

2018-06-02 -  器件选型

NCE60P65K NCE P沟道增强型功率MOSFET

描述- NCE60P65K是一款采用先进沟槽技术的P-Channel增强型功率MOSFET。该器件具有低RDS(ON)、低栅极电荷等特点,适用于高电流负载应用。

型号- NCE60P65K

2019/03/15  - NCE  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 批量订货

新洁能 1500V/1700V 功率 VDMOS 技术资讯

描述- 新洁能公司推出1500V/1700V功率VDMOS,适用于变频器辅助电源和光伏逆变器。产品具有低导通电阻、低栅极电荷,整体开关和导通损耗低。特点包括耐压余量大、结温高、可靠性强。目前3A产品已量产,其他规格产品陆续推出。

型号- NCE3N170T,ST*3N170

2023.10.12  - NCE  - 技术文档 代理服务 技术支持 批量订货
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:NCE

品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:NCE

品类:P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥2.2540

现货: 115

品牌:NCE

品类:N-Channel Super Trench II Power MOSFET

价格:¥1.9740

现货: 115

品牌:NCE

品类:N-Channel Super Trench II Power MOSFET

价格:¥1.6940

现货: 110

品牌:NCE

品类:N-Channel Super Junction-III Power MOSFET

价格:¥6.0000

现货: 100

品牌:NCE

品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥0.5600

现货: 100

品牌:NCE

品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥0.5200

现货: 100

品牌:NCE

品类:N-Channel Super Trench Power MOSFET

价格:¥4.2940

现货: 100

品牌:NCE

品类:P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥1.0540

现货: 100

品牌:NCE

品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥0.9870

现货: 100

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:NCE

品类:N-Channel Super Junction Power MOSFET

价格:¥1.7600

现货:2,685

品牌:NCE

品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥2.8600

现货:1,991

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥6.0884

现货:196,984

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥3.9026

现货:70,020

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥4.8391

现货:58,195

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥2.3406

现货:31,360

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.2042

现货:27,370

品牌:RENESAS

品类:Photocoupler

价格:¥38.9569

现货:25,903

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥6.6345

现货:20,200

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥3.9804

现货:15,203

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

高热流密度液冷板定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

最小起订量: 1片 提交需求>

功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面