【元件】 英诺赛科发布100V VGaN INV100FQ030A,双向高压阻断,支持48V BMS应用

2023-10-16 英诺赛科公众号
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英诺赛科宣布推出100V双向导通器件INV100FQ030A,可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。

英诺赛科产品部Shawn表示:“一颗VGaN可以替代两颗共漏连接的背靠背SiMOSFET,实现电池充电和放电双向开关,进一步减小导通电阻,降低损耗。VGaN器件采用单Gate设计,通过控制Gate到Drain1/Drain2的逻辑,实现充电保护可放电、放电保护可充电;同时大幅减少器件数量,缩小占板面积,降低整体系统成本。”

 

为便于客户验证和导入,英诺赛科同步提供BMS系统解决方案,设计方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。INV100FQ030A在电池管理系统(BMS)中体现出明显优势,具备巨大的市场潜力。


产品特性

支持双向导通,双向截止,无反向恢复

极低的栅极电荷

超低的导通电阻 100V/3.2mΩ

超小的封装体积 FCQFN封装 4x6mm


应用领域

电池管理系统(BMS)

双向变换器的高侧负荷开关

电源系统中的开关电路


性能与优势


INV100FQ030A与先前推出的100V单管器件INN100FQ016A,150V系列INN150FQ032AINN150FQ070A三款产品采用兼容引脚设计,均为FCQFN 4x6mm封装,客户可以根据不同的应用需求进行规格选型。


英诺赛科100V氮化镓系列产品已量产三款WLCSP封装产品(INN100W032AINN100W027AINN100W070A),两款FCQFN封装产品(INN100FQ016A、INN100FQ025A)。当前新增一款FCQFN封装双向导通VGaN芯片INV100FQ030A,进一步丰富了100V InnoGaN系列,扩大应用范围,也为更广泛的场景提供选择。基于持续创新与核心技术的提升,英诺赛科8英寸氮化镓IDM模式将加速应用系统小型化、更高效、更节能。

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目录- Nomenclature    Featured Packages    IGBT Discretes    IGBT Modules    Power MOSFET    Diodes    Breakover Diodes    Thyristors    Rectifier Modules    Solid State Relays    Gate Driver ICs    High Power Devices    Stacks and Accessories    Outline Drawings    Alphanumeric Index   

型号- IXTR20P50P,IXFX 180N10,IXXH80N65B4H1,IXFA14N60P,IXTA8N65X2,IXFH16N60P3,DSP8-12A,IXTH440N055T2,DSS16-01AS,IXFK48N60Q3,DSEP...,IXFN360N15T2,MIXG240RF1200PTED,IXYH24N90C3,IXFB210N30P3,IXFP12N65X2,DSP8-12S,IXTP08N50D2,IXTY32P05T,MUBW50-17T8,IXFK160N30T,IXFH50N60P3,IXFT96N20P,DPG30P300PJ,LSIC2SD065E40CCA,X014A,IXTT500N04T2,IXTH1N170DHV,IXYH30N170C,DSEP30-06BR,IXEL40N400,IXTP6N100D2,IXFH170N10P,IXFR16N120P,MBR10200CT,DSEI2X30-06C,IXTQ64N25P,IXTP16N50P,DSA20C200PB,DST2045AX,IXTX240N075L2,IXTA76N25T,IXTQ22N50P,IXFT14N80P,IXTY44N10T,IXFP12N65X2M,IXYP8N90C3,DSB60C30PB,DSEP2X91-03A,IXBOD 2-17RD,S802XSX,IXTT52N30P,DSA70C100HB,CMA30E1600PB,IXTA3N100P,IXFR64N50Q3,IXTA70N075T2,IXTX32P60P,IXTX600N04T2,IXTA100N04T2,CMA30E1600PN,CLA5E1200PZ,DST1045S,DMA10P1200HR,IXGH12N120A3,IXTX4N300P3HV,IXTH04N300P3HV,IXFK44N50P,IXTP44P15T,IXXN200N65A4,IXFH96N15P,IXFP4N100P,IXTP120P065T,IXFH86N30T,IXTP3N100P,IXTH20P50P,FMD15-06KC5,IXFX78N50P3,IXBOD 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0323  - LITTELFUSE  - 选型指南  - v0323 代理服务 技术支持 采购服务

COS12A12511、COS12A12511S高电压、单电源和双电源SPDT模拟开关

描述- COS12A12511和COS12A12511S是一款高压单通道和双通道CMOS模拟开关,适用于±3V至±8V的单电源或双电源操作。该器件具有低导通电阻、低漏电流、快速切换速度和轨对轨操作等特点,适用于音频和视频信号切换、精密自动测试设备、继电器替换、汽车应用、电信信号切换、电池供电系统和功率路由应用等领域。

型号- COS12A12511,COS12A12511S

2024/9/23  - 科山芯创  - 数据手册  - Rev1.3 代理服务 技术支持 采购服务

银河微电子选型手册(Galaxy Micro Selection Guide)

型号- 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

2024/4/22  - 银河微电子  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

【应用】英诺赛科氮化镓开关管助力双向AC-DC变换器设计,转换效率达95%

芯仙能源技术推出的这款双向AC-DC变换器具备2000W输出功率,支持整流输出模式和逆变模式,适合用于48V电池系统的储能应用等场合。逆变模块内部采用英诺赛科的氮化镓器件、继电器来自Churod中汇瑞德,线圈电压12V,触点容量50A;通过纳芯微驱动器驱动氮化镓开关管,交流输入和输出保险丝来自华德电子,为WM50系列电力熔断器。

2023-03-04 -  应用方案

时科的双向可控硅BAT04A系列,以其优异的低损耗、高热性能和安全性,成为众多应用场景中的理想选择

双向可控硅(TRIAC)作为一种能够在正负两个方向导通电流的半导体器件,广泛应用于需要高效控制电压、电流的场景中。其无触点、低噪音、快速响应的特性,使其在家电、工业控制、照明等多个领域中占据着重要地位。时科的双向可控硅产品,特别是BAT04A系列,以其优异的低损耗、高热性能和安全性,成为众多应用场景中的理想选择。

2024-10-16 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

SLKOR(萨科微)功率器件/二极管/三极管/电源管理芯片/霍尔传感器/光耦选型指南

目录- 公司简介    场效应管/IGBT单管    单向/双向可控硅    稳压二极管    三极管    运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥    霍尔传感器    光耦    石英晶体谐振器   

型号- BZT52C43S,SS110,MCR00-8,SMCJ440CA,SL11N65CF,MC34063S,ZMM200,PC817,SL2310,SL3400,SL1629SH,SL252030MXXX,RS1A,RS1M,DB107S,GBU4005,1N4148WS,SMF5.0CA,DSK32,SL40T120FL,SL1625SH,MMBT4401,LM317,SL36N120A,SL75T65FL,SL50328MXXX,MMSZ5259B,SL22N120A,SL2301,BT151,GBP210,SL2302,BT169D,SL49SM8M20P-20,1SMB5921B,SL1613SH,S2MF,SL49SM12M20P-20,2N7002,SL201624MXXX,BTA26-800,SL322540MXXX,S3AB,SL4949,GBU610,BFG520,SL252016MXXX,BZT52B2V4,BZT52B43,SL1605SH,ZM4727,1SMA4777A,SL1609SH,BTA41-800,GBU6005,SL21N65CF,SL25T120FL,BTA24-800,SD05C,SL4275,ULN2003,SL1613TH,ES2A,SS525,6N137,6N136,SL15N65CF,WE05DF-BS,ULN2803,BT138-800,2SC3357,SL78LXX,LM2575,6N135,ZMM2V0,LM2576,BZT52C2V4S,US1A,SMF5.0A,SMAJ170A,SL10N120A,S5MB,RS2A,RS2M,MMBT5551,US1M,SL80N120A,S8550,S2AF,SMBJ5.0C,M1,SS22,BSS123,M7,SS310,ABS210,MMBT3904,MMBT3906,SMF58CA,BT137-800,MM1Z39B,ABS201,SMCJ440A,SMAJ5.0CA,BTA12-600,BAV99,SS32,SMBJ5.0,SL1623SH,SMBJ170CA,SL201612MXXX,BSS138,SL322512MXXX,1SMB5956B,ES2J,FR101,SS12,SL3N170AP,1SS181,FR107,SMF58A,78MXX,SL50T65FL,SM15C,SL1619SH,LL4148,MM1Z2V2B,SMAJ5.0A,MMBTA05,SL14N120A,BC817,SS8050,DB201S,SL1615SH,S1A,LM321,S5AB,SMCJ5.0CA,DSK310,GBU410,SS210,BCP51,SL40T65FL,BCP53,S8050,S1M,B772,SMBJ170A,SL28N65A,MMBT2222A,SLM601,BTA16-800,AMS1117-XX,ZM4761,TL431,SS52,NUP2105LT1G,DB101S,SL322524MXXX,SL1603SH,IRF640,SD12C,S9013,GBP2005,SL3407,BZT52C39,SL7N65CD,SMCJ5.0A,BZT52C2V4,SL50N120A,S3MB,MMSZ5221B,SS8550,SL3415,SMAJ170CA,GBLC05CI,BAV21W,DB207S,LM358S,SL80N65CT,1SMA4728A

2022/10/9  - SLKOR  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

HI-SEMICON深鸿盛公司介绍 以奋斗者为本,争做半导体功率器件领航者

型号- SFM0420T4,SFN3009T,SFS0407T4,SGD15N10,SFN3006PT,SFS300T12,SFD2006T,SGM6008T,SFM0320T4,SGD10HR20T,SFD6008T,SGS6001T4,SFN3003PT,SFQ0320T4,SFQ0420T4,SGM041R8T,SFM4009T,SFM041R1T,SFS4525T

2024/5/10  - HI-SEMICON  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 采购服务
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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品牌:英诺赛科

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

品类:transistor

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。

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低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

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