祝贺澜芯半导体进入SiC MOSFET 12mΩ俱乐部！
上海澜芯半导体是一家从事功率半导体开发的芯片设计企业，其首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通过了1000小时175℃ 100%Vds HTRB和1000小时175℃ HTGB可靠性考核。产品已经给十多家客户送样。
近期，澜芯半导体第二代工艺平台首款产品1200V 12mΩ SiC MOSFET （LX2C012N120A）的晶圆已经流片成功，晶圆良率处于国内一流水平。澜芯半导体的第二代工艺平台，依然采用的是高可靠性的平面结构，优化了栅氧化层工艺和沟道设计以及终端设计，使器件比导通电阻降低约20%，显著降低开关损耗，提升系统效率。进一步提升了产品的综合性能和可靠性。这颗芯片的成功研发，标志着澜芯半导体正式进入12mΩ俱乐部！
澜芯团队从客户的需求出发，通过正向设计，已经成功开发了第一代和第二代工艺平台，第一代工艺平台的两颗产品已经量产。到2023年年底，基本实现1200伏主流规格全覆盖。2024年，完成650V到1700V的产品布局，同时推出下一代工艺平台。
上海澜芯半导体有限公司成立于2022年6月，是一家功率芯片设计公司，具体产品包括碳化硅功率器件、硅基IGBT、MOSFET产品，上海澜芯半导体拥有成熟的研发团队，具有丰富的功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。
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澜芯半导体车规级SiC MOSFET/ IGBT等功率器件授权世强硬创代理
1200V 40mΩ SiC MOSFET和基于第二代工艺平台开发的1200V 12mΩ SiC MOSFET单芯片流片取得巨大成功，平均良率达到90%以上。
签约新闻 发布时间 : 2023-10-18
澜芯半导体 SiC MOSFET单管选型表
澜芯半导体 SiC MOSFET单管选型：Technology：G2(Fast)/G1(Good EMI)，VDS Max：750-1700V，Typ.RDS(on)@25°C：9.5-3000，Max IDS@25°C ：4-250。
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产品型号
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品类
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Qualification
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product Status
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Max IDS@25°C
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Technology
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Typ.RDS(on)@25°C
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Junction Temperature
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Package
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VDS Max
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LX2C015N170BY
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SiC MOSFET单管
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Industrial
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2024 MP
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100A
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G2(Fast)
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15mΩ
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175°C
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TO247-4
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1700V
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选型表 - 澜芯半导体 立即选型
【元件】业界最低6mΩ导通电阻！澜芯半导体新品1200V SiC MOSFET，采用TO247-PLUS封装
上海澜芯半导体发布了业界最低导通电阻的单管产品！LX2C006N120AP——6mΩ，1200V，SiC MOSFET。采用澜芯半导体最新的第二代SiC MOSFET技术平台，TO247-PLUS封装，该产品拥有业界领先的低导通电阻。在不同温度的应用场景下导通电阻的温度系数非常低，适应不同的应用场景。
产品 发布时间 : 2023-11-15
澜芯半导体（LXP）MOSFET和IGBT选型表
描述- 上海澜芯半导体有限公司是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司，团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。公司基于完整的自有设计和工艺开发经验，在一年时间内通过快速迭代开发，现已有SiC、超结Mosfet、IGBT等众多成熟产品，广泛适用于新能源汽车电驱控制器，车载充电机（OBC），车载直流变换器（DCDC），空压机电控；光伏风电逆变器；充电桩模块；储能变流器；大功率开关电源；通信电源等相关产品。
型号- LX1C160N120Y,LX1C160N120W,LX7G030N075Y,LX7G075N120Y,LX7G075N075Y,LX7G160N075W,LX7G075N120W,LX7G030N075W,LX7G075N075W,LX7G160N075Y,LX7G025N120W,LX7G275N075W,LX2C060N120Y,LX1S110N065NAC,LX7G275N075Y,LX2C060N120W,LX7G030N075F,LX7G100N120W,LX7G100N120Y,LX7G030N075C,LX7G025N120F,LX2C030N120Y,LX7G025N120C,LX7G015N120Y,LX1S110N065NAF,LX2C030N120W,LX2C013N120D,LX2C013N120B,LX1S110N065NAW,LX1C040N120B,LX1S110N065NAY,LX1C040N120D,LX2C030N120B,LX1S110N065FBC,LX1S110N065FBF,LX2C030N120D,LX7G275N075C,LX1S110N065FBW,LX7G275N075F,LX1S450N065NAY,LX1S110N065FBY,LX1S450N065NAW,LX7G025N120Y,LX1S450N065NAF,LX2C013N120Y,LX2C016N120Y,LX2C013N120W,LX1C040N120W,LX1C160N120D,LX1C040N120Y,LX1C160N120B,LX1S360N065NAY,LX1S360N065NAW,LX1S450N065NAC,LX1S360N065NAF,LX1S360N065NAC,LX2C016N120B,LX2C016N120D,LX1S080N065NAF,LX1S180N065FBY,LX1S080N065NAC,LX1S680N065NAF,LX1S230N065NAF,LX1S230N065NAC,LX2C016N120W,LX1S680N065NAC,LX7G050N120C,LX7G150N120C,LX1S040N065NAF,LX7G050N120F,LX1S040N065NAC,LX7G050N075C,LX7G150N120F,LX7G050N075F,LX1S180N065NAW,LX7G050N075W,LX1S180N065NAY,LX7G050N120Y,LX7G050N075Y,LX1S180N065FBC,LX1S040N065FBC,LX1S230N065FBW,LX1S040N065FBF,LX1S180N065FBF,LX1S230N065FBY,LX1S040N065NAW,LX1S040N065NAY,LX7G050N120W,LX1S080N065FBF,LX1S040N065FBW,LX1S040N065FBY,LX1S080N065FBC,LX1S080N065NAY,LX1S230N065FBF,LX1S080N065NAW,LX1S180N065FBW,LX1S230N065NAY,LX1S230N065FBC,LX1S680N065NAW,LX1S680N065NAY,LX1S230N065NAW,LX7G100N120C,LX7G040N120W,LX7G015N120W,LX7G040N120Y,LX7G015N120C,LX7G015N120F,LX2C060N120D,LX2C060N120B,LX1C080N120Y,LX7G100N120F,LX1S180N065NAC,LX1S080N065FBY,LX1C080N120W,LX1S180N065NAF,LX1S080N065FBW,LX7G150N120Y,LX1C080N120B,LX7G160N075C,LX7G160N075F,LX7G075N075F,LX1C080N120D,LX7G075N120F,LX7G150N120W,LX7G075N120C,LX7G075N075C,LX7G040N120C,LX7G040N120F
澜芯半导体 SiC MOSFET选型表
澜芯半导体提供 SiC MOSFET选型表：VDS（V）-(Tj=25ºC)：1200V，RDS(mΩ)(on)- max(Tj=25ºC)：12-80，ID(A)-(Tj=25ºC)：36-152，Tj（℃）-max：175ºC。
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产品型号
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品类
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VDS（V）-(Tj=25ºC)
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RDS(mΩ)(on)
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ID(A)-(Tj=25ºC)
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Tj（℃）-max
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package
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Grade certification standard
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LX1C080N120BW
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SiC MOSFET
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1200V
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80mΩ
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36A
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175ºC
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TO-247-3PIN
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AEC-Q101
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选型表 - 澜芯半导体 立即选型
澜芯半导体-Infineon/Rohm/瞻芯/wolfspeed/ST/Onsemi/清纯 SiC MOSFET对照表
描述- 澜芯半导体-Infineon/Rohm/瞻芯/wolfspeed/ST/Onsemi/清纯 SiC MOSFET对照表
型号- SCT4062KR,C3M0040120D,NVHL060N090SC1,C3M0032120D,C3M0075120K,C3M0075120J,IMW120R040M1H,IMZA120R040M1H,SCT4062KW7HR,IV2Q12040T4Z,SCT3040KRHR,NTH4L060N090SC1,SCT3040KLHR,C3M0040120J1,NVH4L040N120M3S,IV1Q12080T4G,IMZA120R014M1H,SCT040H120G3AG,IMZ120R060M1H,SCT3080KW7,NTBG080N120SC1,NTBG040N120M3S,LX2C013N120AY,SCT070H120G3AG,LX2C013N120AW,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,IMW120R060M1H,NVHL040N120SC1,SCT3030KL,S1M040120H,LX2C030N120AY,C3M0016120D,SCT4062KE,C2M0080120D,LX2C030N120AW,SCTW70N120G2V,E3M0040120K,AIMBG120R080M1,SCT070W120G3AG,E3M0032120K,E3M0016120K,SCT070W120G3-4AG,NTHL030N120M3S,LX1C080N120BB,SCT3040KL,NVH4L080N120SC1,SCTW60N120G2AG,SCT3080KL,SCT4062KW7,LX1C040N120BB,SCT025W120G3-4AG,NTH4L014N120M3P,SCT040W120G3AG,IMW120R014M1H,NVH4L030N120M3S,AIMW120R080M1,SCT4018KE,IV1Q12080T3,SCT4062KEHR,S1M075120D2,SCT4018KR,LX1C040N120BY,LX1C040N120BW,IMZ120R030M1H,S1M032120H,SCTWA60N12G2-4AG,NTHL080N120SC1A,LX1C080N120BY,LX2C060N120AW,AIMBG120R040M1,LX1C080N120BW,SCT3080KRHR,IMW120R030M1H,LX2C060N120AY
对照表 - 澜芯半导体
【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（英文）
目录- Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD
型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
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目录- SiC Schottky Diode&SiC MOSFET
型号- FL12190A,FF06100G,FC06008D,FF06100F,FC06006A,FC06008C,FC06008B,FF06100D,FC06008A,FF06320B,FF06320A,FF06030Q,FF17900E,FH06010C,FH06020E-3,FL06320B,FH06020E-2,FL06320A,FC06006D,FC06016C,FC06006C,FF17900Q,FC06010C,FH06004C,FH06006C,FC06002X,FL06150A,FL06320G,FF061K4A,FF12040Q
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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