澜芯650V 40mΩ超结MOSFET，具备极低导通压降和栅极电荷，广泛用于大功率电子设备

时间： 2023-10-17 来源：澜芯半导体公众号

针对日益增长的功率器件产品需求，澜芯半导体发布了650V 40mΩ超结MOSFET。该产品采用了先进的超级结技术，有着极低的导通压降、极低的栅极电荷和超快的开关速度，可广泛应用于高电流密度和高效率的功率器件应用领域。

该产品电压规格650V，拥有稳定的雪崩击穿特性，器件性能稳定。目前提供TO-247封装形式。

产品特点：

R_DSON=35mΩ@V_GS=10V

超低栅极电荷

超快的开关特性

稳健的设计，更好的E_AS特性

集成快恢复二极管

产品应用：

650V 40mΩ超结MOSFET可广泛应用于各种大功率电子设备，包括各种服务器电源、充电桩、新能源汽车、光伏、逆变、储能等领域。

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