鹏申科技低功耗高边NMOS驱动芯片PB76200，最大支持100V输入，60μA低静态电流
PB76200是一款低功耗高边NMOS驱动芯片。BMS使用高边驱动避免系统参考地在回路NMOS断开时BMS的参考地和PACK-断开，从而保证电池组和主机系统之间总是可以保持非隔离通信。
该芯片内部集成了电荷泵，为充电NMO和放电NMOS提供驱动电压。独立的使能输入允许CHG/PCHG和DSG/PDSG MOS独立打开和关闭，在电池系统应用中提供了很大的使用灵活性。
芯片内部集成了充电器检测和负载检测功能，同时有独立的标志位输出。PB76200可和PB7170/PB7130/PB7200等系列配套模拟前端芯片（AFE）协同工作，实现低边转高边的NMOS驱动方案。
产品特性
•CHG，DSG，PCHG和PDS高边NMOS驱动器，用于电池保护，实现充放电MOS的开启和关断
•独立充电，放电，预充和预放控制
•可扩展的外部电容电荷泵，以适应不同范围的场效应管并联
•高耐压(绝对最大值100V)
•内部集成充电器检测和负载检测，并有独立的输出标志位
•支持同口或者分口应用
•可以配合PB7170/PB7130/PB7200等低边NMOS驱动AFE产品协同工作
•功耗：
NORMAL模式：60μA
SHUTDOWN：最大小于2μA
应用领域
•锂电池BMS板
•平衡车，电动自行车、电动滑板车和电动摩托车
•扫地机器人，无人机，吸尘器以及园林工具
•储能系统和不间断电源供应系统(UPS)
•便携式医疗系统
简明应用电路
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产品型号
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品类
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电压量程(V)
|
源精度(%)
|
电流量程(mV)
|
测量精度(mV)
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|
PB7200
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AFE芯片
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12-95V
|
0.1%
|
±250mV
|
±2mV @25°C，Vcell=3.6V ;±5mV @-20~85°C;±10mV @-40~125°C
|
选型表 - 鹏申科技 立即选型
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