上海澜芯半导体将携最新碳化硅产品参展第四届CIAS功率半导体新能源创新发展大会

时间： 2023-10-17 来源：澜芯半导体官网

技术问答

CIAS2024 功率半导体新能源创新发展大会暨 CIAShow 国际功率半导体装备及材料创新展

展位号：A74

上海澜芯半导体依托多年在功率半导体丰富的开发经验和深厚的车规级功率半导体行业应用背景，历经半年多的时间在2023年8月首款碳化硅芯片1200V 80mΩ SiC MOSFET就通过了1000小时175℃ 100%Vds HTRB和1000小时175℃ HTGB可靠性考核。本次可靠性认证，澜芯半导体参考车规AEC-Q101的可靠性考核条件进行考核，参考依据AEC-Q101-Rev-E-B1-2021/AEC-Q101-Rev-E-B2-2021。同时，该规格的其他车规AEC-Q101认证还在进行中。

此外，在2023年9月澜芯半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET和基于第二代工艺平台开发的1200V 12mΩ SiC MOSFET单芯片流片取得巨大成功，平均良率达到90%以上，突破行业领先水平。

在公司发布首款SiC芯片后，已有众多客户与澜芯建立了深度的技术交流，对于澜芯半导体的技术实力给予了充分的肯定，同时客户也看到澜芯半导体稳定可靠的供应链渠道合作伙伴，为后续保质保量的交付提供了有力的保障。现客户群体已覆盖光伏储能、充电桩、新能源乘用车等行业。

关于澜芯半导体

上海澜芯半导体有限公司成立于2022年6月，是一家功率芯片设计公司，具体产品包括碳化硅功率器件，硅基IGBT，MOSFET产品，上海澜芯半导体拥有成熟的研发团队，具有丰富的功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。

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澜芯半导体将携最新碳化硅功率芯片器件参加第七届国际碳材料大会暨产业展览会--碳化硅半导体论坛

2023国际碳材料大会暨产业展览会——＜碳化硅半导体论坛＞诚挚邀请上海澜芯半导体的马彪先生，为大家讲述SiC MOSFET设计的现状和挑战！上海澜芯半导体有限公司具体产品包括碳化硅功率器件，硅基IGBT，MOSFET产品。

厂牌及品类发布时间 : 2023-10-17

祝贺澜芯半导体进入SiC MOSFET 12mΩ俱乐部！

澜芯半导体第二代工艺平台首款产品1200V 12mΩ SiC MOSFET （LX2C012N120A）的晶圆已经流片成功，晶圆良率处于国内一流水平。澜芯半导体的第二代工艺平台，依然采用的是高可靠性的平面结构，优化了栅氧化层工艺和沟道设计以及终端设计，使器件比导通电阻降低约20%，显著降低开关损耗，提升系统效率。

厂牌及品类发布时间 : 2023-10-16

澜芯半导体首款1200V SiC MOSFET通过可靠性认证！车规级产品设计有效保证性能和可靠性

近期澜芯半导体的首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通过了1000小时175℃ 100%Vds HTRB和1000小时175℃ HTGB可靠性考核。

厂牌及品类发布时间 : 2023-10-18

澜芯半导体车规级SiC MOSFET/ IGBT等功率器件授权世强硬创代理

1200V 40mΩ SiC MOSFET和基于第二代工艺平台开发的1200V 12mΩ SiC MOSFET单芯片流片取得巨大成功，平均良率达到90%以上。

签约新闻发布时间 : 2023-10-18

上海澜芯半导体成立于2022年6月，是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司，团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。公司基于完整的自有设计和工艺开发经验，在一年时间内通过快速迭代开发，现已有SiC、超结Mosfet、IGBT等众多成熟产品。

IGBT IGBT模块分立器件 SiC碳化硅芯片 SiC MOSFET MOSFET SiC模块

授权代理商 - 世强先进（深圳）科技股份有限公司线上商城技术资料

展开

澜芯半导体 SiC MOSFET单管选型表

澜芯半导体 SiC MOSFET单管选型：Technology：G2(Fast)/G1(Good EMI)，VDS Max：750-1700V，Typ.RDS(on)@25°C：9.5-3000，Max IDS@25°C ：4-250。

产品型号	品类	Qualification	product Status	Max IDS@25°C	Technology	Typ.RDS(on)@25°C	Junction Temperature	Package	VDS Max
LX2C015N170BY	SiC MOSFET单管	Industrial	2024 MP	100A	G2(Fast)	15mΩ	175°C	TO247-4	1700V

选型表 - 澜芯半导体立即选型

【元件】业界最低6mΩ导通电阻！澜芯半导体新品1200V SiC MOSFET，采用TO247-PLUS封装

上海澜芯半导体发布了业界最低导通电阻的单管产品！LX2C006N120AP——6mΩ，1200V，SiC MOSFET。采用澜芯半导体最新的第二代SiC MOSFET技术平台，TO247-PLUS封装，该产品拥有业界领先的低导通电阻。在不同温度的应用场景下导通电阻的温度系数非常低，适应不同的应用场景。

产品发布时间 : 2023-11-15

澜芯半导体（LXP）MOSFET和IGBT选型表

描述- 上海澜芯半导体有限公司是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司，团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。公司基于完整的自有设计和工艺开发经验，在一年时间内通过快速迭代开发，现已有SiC、超结Mosfet、IGBT等众多成熟产品，广泛适用于新能源汽车电驱控制器，车载充电机（OBC），车载直流变换器（DCDC），空压机电控；光伏风电逆变器；充电桩模块；储能变流器；大功率开关电源；通信电源等相关产品。

型号- LX1C160N120Y,LX1C160N120W,LX7G030N075Y,LX7G075N120Y,LX7G075N075Y,LX7G160N075W,LX7G075N120W,LX7G030N075W,LX7G075N075W,LX7G160N075Y,LX7G025N120W,LX7G275N075W,LX2C060N120Y,LX1S110N065NAC,LX7G275N075Y,LX2C060N120W,LX7G030N075F,LX7G100N120W,LX7G100N120Y,LX7G030N075C,LX7G025N120F,LX2C030N120Y,LX7G025N120C,LX7G015N120Y,LX1S110N065NAF,LX2C030N120W,LX2C013N120D,LX2C013N120B,LX1S110N065NAW,LX1C040N120B,LX1S110N065NAY,LX1C040N120D,LX2C030N120B,LX1S110N065FBC,LX1S110N065FBF,LX2C030N120D,LX7G275N075C,LX1S110N065FBW,LX7G275N075F,LX1S450N065NAY,LX1S110N065FBY,LX1S450N065NAW,LX7G025N120Y,LX1S450N065NAF,LX2C013N120Y,LX2C016N120Y,LX2C013N120W,LX1C040N120W,LX1C160N120D,LX1C040N120Y,LX1C160N120B,LX1S360N065NAY,LX1S360N065NAW,LX1S450N065NAC,LX1S360N065NAF,LX1S360N065NAC,LX2C016N120B,LX2C016N120D,LX1S080N065NAF,LX1S180N065FBY,LX1S080N065NAC,LX1S680N065NAF,LX1S230N065NAF,LX1S230N065NAC,LX2C016N120W,LX1S680N065NAC,LX7G050N120C,LX7G150N120C,LX1S040N065NAF,LX7G050N120F,LX1S040N065NAC,LX7G050N075C,LX7G150N120F,LX7G050N075F,LX1S180N065NAW,LX7G050N075W,LX1S180N065NAY,LX7G050N120Y,LX7G050N075Y,LX1S180N065FBC,LX1S040N065FBC,LX1S230N065FBW,LX1S040N065FBF,LX1S180N065FBF,LX1S230N065FBY,LX1S040N065NAW,LX1S040N065NAY,LX7G050N120W,LX1S080N065FBF,LX1S040N065FBW,LX1S040N065FBY,LX1S080N065FBC,LX1S080N065NAY,LX1S230N065FBF,LX1S080N065NAW,LX1S180N065FBW,LX1S230N065NAY,LX1S230N065FBC,LX1S680N065NAW,LX1S680N065NAY,LX1S230N065NAW,LX7G100N120C,LX7G040N120W,LX7G015N120W,LX7G040N120Y,LX7G015N120C,LX7G015N120F,LX2C060N120D,LX2C060N120B,LX1C080N120Y,LX7G100N120F,LX1S180N065NAC,LX1S080N065FBY,LX1C080N120W,LX1S180N065NAF,LX1S080N065FBW,LX7G150N120Y,LX1C080N120B,LX7G160N075C,LX7G160N075F,LX7G075N075F,LX1C080N120D,LX7G075N120F,LX7G150N120W,LX7G075N120C,LX7G075N075C,LX7G040N120C,LX7G040N120F

选型指南 - 澜芯半导体 - 2023/8/28 PDF 中文下载

澜芯半导体 SiC MOSFET选型表

澜芯半导体提供 SiC MOSFET选型表：VDS（V）-(Tj=25ºC)：1200V，RDS(mΩ)(on)- max(Tj=25ºC)：12-80，ID(A)-(Tj=25ºC)：36-152，Tj（℃）-max：175ºC。

产品型号	品类	VDS（V）-(Tj=25ºC)	RDS(mΩ)(on)	ID(A)-(Tj=25ºC)	Tj（℃）-max	package	Grade certification standard
LX1C080N120BW	SiC MOSFET	1200V	80mΩ	36A	175ºC	TO-247-3PIN	AEC-Q101