澜芯半导体将携最新碳化硅功率芯片器件参加第七届国际碳材料大会暨产业展览会--碳化硅半导体论坛

时间： 2023-10-17 来源：澜芯半导体

技术问答

对于碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）而言，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求。以下是SiC MOSFET Rdson设计的一些关键考虑因素：

1. 通道宽度和掺杂：SiC MOSFET的通道宽度和掺杂浓度会影响Rdson和电流密度。较宽和重掺的通道可以降低Rdson并提高电流承载能力。

2. 栅极氧化层厚度：栅极氧化层的厚度影响栅极电容，进而影响开关速度和 Rdson。较薄的栅极氧化物可以提高开关速度，但也可能增加栅极漏电流，并增加氧化层击穿失效的风险。

3. 栅极设计：栅极设计影响栅极电阻，进而影响开关速度和Rdson。较低的栅极电阻可以提高开关速度，但也可能增加栅极电容。总体而言，SiC MOSFET Rdson设计是一个复杂的过程，涉及综合考虑各个参数之间的相互影响。需要进行仔细的优化和仿真并且进行试验和测试，以实现所需的器件性能和可靠性。

基于此，2023国际碳材料大会暨产业展览会——<碳化硅半导体论坛>诚挚邀请上海澜芯半导体的马彪先生，为大家讲述SiC MOSFET设计的现状和挑战！

摘要：SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的。当前大部分的厂家都采用的是平面栅结构，平面型相对结构简单，fab工艺难度小，研发难度相对较低。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间，当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时，将产生JFET效应，从而增加通态电阻；同时，这种结构的寄生电容也较大。沟槽栅结构可以增加单元密度，没有JFET效应，沟道晶面实现最佳的沟道迁移率，导通电阻比平面结构要明显的降低；同时，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低，因此目前很多厂家也在研究和采用这种结构，但目前相对较为成熟的只有日本Rohm的双沟槽结构和英飞凌的半包沟槽结构。

然而，由于SiC非常坚硬，想要获得均匀，光滑且垂直的刻蚀表面的工艺难度和控制要求都非常的高。同时，由于器件工作在高压状态，内部的工作电场强度高，尤其是沟槽底部，工作电场强度非常更高，很容易在局部超过最大的临界电场强度，从而产生局部的击穿。因此，新一代的沟槽结构，技术演进方向都是如何减小沟槽底部的工作电场强度。澜芯半导体的SiC MOSFET目前也采用的是平面栅结构，沟槽栅结构正在开发中。澜芯半导体是一家专注于硅基和碳化硅相关的功率器件设计公司，包含了晶圆、单管和模块等一系列相关产品。

关于澜芯半导体

上海澜芯半导体有限公司成立于2022年6月，是一家功率芯片设计公司，具体产品包括碳化硅功率器件，硅基IGBT，MOSFET产品，上海澜芯半导体拥有成熟的研发团队，具有丰富的碳化硅功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。

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澜芯半导体车规级SiC MOSFET/ IGBT等功率器件授权世强硬创代理

1200V 40mΩ SiC MOSFET和基于第二代工艺平台开发的1200V 12mΩ SiC MOSFET单芯片流片取得巨大成功，平均良率达到90%以上。

签约新闻发布时间 : 2023-10-18

上海澜芯半导体成立于2022年6月，是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司，团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。公司基于完整的自有设计和工艺开发经验，在一年时间内通过快速迭代开发，现已有SiC、超结Mosfet、IGBT等众多成熟产品。

IGBT IGBT模块分立器件 SiC碳化硅芯片 SiC MOSFET MOSFET SiC模块

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澜芯半导体 SiC MOSFET单管选型表

澜芯半导体 SiC MOSFET单管选型：Technology：G2(Fast)/G1(Good EMI)，VDS Max：750-1700V，Typ.RDS(on)@25°C：9.5-3000，Max IDS@25°C ：4-250。

产品型号	品类	Qualification	product Status	Max IDS@25°C	Technology	Typ.RDS(on)@25°C	Junction Temperature	Package	VDS Max
LX2C015N170BY	SiC MOSFET单管	Industrial	2024 MP	100A	G2(Fast)	15mΩ	175°C	TO247-4	1700V

选型表 - 澜芯半导体立即选型

【元件】业界最低6mΩ导通电阻！澜芯半导体新品1200V SiC MOSFET，采用TO247-PLUS封装

上海澜芯半导体发布了业界最低导通电阻的单管产品！LX2C006N120AP——6mΩ，1200V，SiC MOSFET。采用澜芯半导体最新的第二代SiC MOSFET技术平台，TO247-PLUS封装，该产品拥有业界领先的低导通电阻。在不同温度的应用场景下导通电阻的温度系数非常低，适应不同的应用场景。

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澜芯半导体（LXP）MOSFET和IGBT选型表

描述- 上海澜芯半导体有限公司是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司，团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。公司基于完整的自有设计和工艺开发经验，在一年时间内通过快速迭代开发，现已有SiC、超结Mosfet、IGBT等众多成熟产品，广泛适用于新能源汽车电驱控制器，车载充电机（OBC），车载直流变换器（DCDC），空压机电控；光伏风电逆变器；充电桩模块；储能变流器；大功率开关电源；通信电源等相关产品。

型号- LX1C160N120Y,LX1C160N120W,LX7G030N075Y,LX7G075N120Y,LX7G075N075Y,LX7G160N075W,LX7G075N120W,LX7G030N075W,LX7G075N075W,LX7G160N075Y,LX7G025N120W,LX7G275N075W,LX2C060N120Y,LX1S110N065NAC,LX7G275N075Y,LX2C060N120W,LX7G030N075F,LX7G100N120W,LX7G100N120Y,LX7G030N075C,LX7G025N120F,LX2C030N120Y,LX7G025N120C,LX7G015N120Y,LX1S110N065NAF,LX2C030N120W,LX2C013N120D,LX2C013N120B,LX1S110N065NAW,LX1C040N120B,LX1S110N065NAY,LX1C040N120D,LX2C030N120B,LX1S110N065FBC,LX1S110N065FBF,LX2C030N120D,LX7G275N075C,LX1S110N065FBW,LX7G275N075F,LX1S450N065NAY,LX1S110N065FBY,LX1S450N065NAW,LX7G025N120Y,LX1S450N065NAF,LX2C013N120Y,LX2C016N120Y,LX2C013N120W,LX1C040N120W,LX1C160N120D,LX1C040N120Y,LX1C160N120B,LX1S360N065NAY,LX1S360N065NAW,LX1S450N065NAC,LX1S360N065NAF,LX1S360N065NAC,LX2C016N120B,LX2C016N120D,LX1S080N065NAF,LX1S180N065FBY,LX1S080N065NAC,LX1S680N065NAF,LX1S230N065NAF,LX1S230N065NAC,LX2C016N120W,LX1S680N065NAC,LX7G050N120C,LX7G150N120C,LX1S040N065NAF,LX7G050N120F,LX1S040N065NAC,LX7G050N075C,LX7G150N120F,LX7G050N075F,LX1S180N065NAW,LX7G050N075W,LX1S180N065NAY,LX7G050N120Y,LX7G050N075Y,LX1S180N065FBC,LX1S040N065FBC,LX1S230N065FBW,LX1S040N065FBF,LX1S180N065FBF,LX1S230N065FBY,LX1S040N065NAW,LX1S040N065NAY,LX7G050N120W,LX1S080N065FBF,LX1S040N065FBW,LX1S040N065FBY,LX1S080N065FBC,LX1S080N065NAY,LX1S230N065FBF,LX1S080N065NAW,LX1S180N065FBW,LX1S230N065NAY,LX1S230N065FBC,LX1S680N065NAW,LX1S680N065NAY,LX1S230N065NAW,LX7G100N120C,LX7G040N120W,LX7G015N120W,LX7G040N120Y,LX7G015N120C,LX7G015N120F,LX2C060N120D,LX2C060N120B,LX1C080N120Y,LX7G100N120F,LX1S180N065NAC,LX1S080N065FBY,LX1C080N120W,LX1S180N065NAF,LX1S080N065FBW,LX7G150N120Y,LX1C080N120B,LX7G160N075C,LX7G160N075F,LX7G075N075F,LX1C080N120D,LX7G075N120F,LX7G150N120W,LX7G075N120C,LX7G075N075C,LX7G040N120C,LX7G040N120F

选型指南 - 澜芯半导体 - 2023/8/28 PDF 中文下载

澜芯半导体 SiC MOSFET选型表

澜芯半导体提供 SiC MOSFET选型表：VDS（V）-(Tj=25ºC)：1200V，RDS(mΩ)(on)- max(Tj=25ºC)：12-80，ID(A)-(Tj=25ºC)：36-152，Tj（℃）-max：175ºC。

产品型号	品类	VDS（V）-(Tj=25ºC)	RDS(mΩ)(on)	ID(A)-(Tj=25ºC)	Tj（℃）-max	package	Grade certification standard
LX1C080N120BW	SiC MOSFET	1200V	80mΩ	36A	175ºC	TO-247-3PIN	AEC-Q101