盛恩SC系列导热绝缘片用于MOSFET散热,高导热系数可选0.8~3.5W/m·K,介质击穿电压可达6kV
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管)是现代电子设备中广泛使用的一种半导体开关。由于其高效、快速且低损耗的特点,它们在各种应用中,从电源管理到射频开关,都起到了关键的作用。然而,像所有电子元件一样,MOSFET在工作时会产生热量。如果这些热量不能有效地散发出去,可能会导致性能下降,甚至损坏。盛恩SC系列导热绝缘片可以替代传统的云母片,更好的传导热量和电气绝缘,并且轻薄易于使用。
MOSFET的散热需求
MOSFET的工作原理是基于对电流的控制,而这种控制在高电流或高频率下可能会导致大量的热量产生。这种热量的积累,如果不采用良好的热管理措施,可能会导致MOSFET的过热,从而引发其特性改变,如阈值电压的漂移、电流能力的降低,或者在极端情况下可能导致器件的永久损坏。
此外,由于现代电子设计日益追求小型化和集成度的提高,MOSFET之间的距离变得越来越小,这使得局部热点的问题变得更加严重。因此,为了保持设备的长期稳定运行,热管理变得尤为关键。
导热绝缘片的作用
在许多应用中,为了增强散热效果,MOSFET会与散热器直接或间接地连接。然而,由于MOSFET的电气特性和设计需求,我们不能让它直接与散热器电性接触,否则可能会引发电路故障或短路。这就是导热绝缘片发挥作用的地方。
传统上,云母片被用作MOSFET和散热器之间的绝缘材料,但它们的导热性能并不理想。与此相反,导热绝缘片提供了一种高效的解决方案。导热绝缘片结合了优异的导热性能和良好的电绝缘性能,可确保MOSFET得到有效的冷却,同时避免了与散热器的电性接触。
盛恩SC系列导热绝缘片以玻纤或PI膜为基材,覆盖以导热硅胶,能够有效地传导热量,同时保持高度的电绝缘性。与云母片相比,导热绝缘片提供了更好的导热绝缘效果并且更加轻薄,材质稳固,材料力学强度好,能够减少安装复杂性和成本。
盛恩SC系列导热绝缘材料具有以下特点:
·高导热系数,可选0.8~3.5W/m·K;
·超薄的厚度,支持定制0.15mm~0.5mm;
·阻燃性能优异,阻燃等级可达UL 94 V-0;
·电绝缘性能优异,介质击穿电压可达6kV;
·符合RoHS、Halogen、REACH环保和安全标准;
·卓越的机械性能;
·优异的产品可靠性;
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