SemiHow授权世强硬创代理,超结MOSFET产品供货三星/华为/LG等企业
![超结MOSFET,电子辐照产品,功率器件半导体产品,高压超结MOS](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
![超结MOSFET,电子辐照产品,功率器件半导体产品,高压超结MOS](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
产能逐渐爬坡后,供货三星的SemiHow开始重点发力中国应用市场。
日前,SemiHow与世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)签署全线产品代理协议,授权世强先进向国内充电器、电源、照明、显示器、光伏、智能家居等应用市场,推广其超结MOSFET产品。
资料显示,SemiHow是一家成立于2002年的韩国半导体公司,致力于功率器件半导体产品的研发、设计和制造。公司高层及研发团队均出自三星,总部在韩国富川市,在深圳(中国区总部)、江苏无锡、台湾台北以及印度设有办事处。
SemiHow最大客户的为三星,与三星充电器生产厂家(东元、阿富特、东洋E&P、Solu-M、赛尔康、冠德)合作超过15年,是目前量产的三星充电器的主要供应商。2017年,SemiHow开始同三星半导体战略合作开发高压超结工艺平台,目前可覆盖600V~900V高压超结MOS常用型号,产能50000片/月。
据了解,SemiHow的超结MOSFET产品采用多层外延工艺,相比沟槽工艺,多层外延的EMI更优秀,抗冲击能力强的特点。
其中,70mΩ以上产品均内置ESD保护二极管,可提高浪涌的稳定性、静电的可靠性和EAS抗冲击能力,900mΩ产品ESD实测数据可达2400。
为适用于工业类等大功率产品,SemiHow还开发了电子辐照产品,电子辐照产品“trr”在200ns以内,通过提高开关速度来减少损耗。
目前,SemiHow的超结MOSFET产品已在三星、LG、华为、飞利浦、中兴、MW、vivo等客户产品中成功应用。
此次SemiHow与世强先进达成战略合作,一方面将通过其多年的分销经验,重点在充电器、电源、照明、显示器等市场领域向客户推广公司超结MOSFET产品,进一步提升公司在上述领域的市场份额,未来还将在光伏、充电桩、打印机和智能家居等领域推广。
另一方面,SemiHow还将将通过世强先进旗下产业互联网平台——世强硬创,向全国的工程师展示其超结MOSFET产品,并提供线上的产品询价、产品技术问答、样品申请、产品测试等研发服务,缩短工程师产品开发进度。
SemiHow公司成立于2002年,拥有20多年IDM和系统半导体领先全球的开发经验,产品均属于三星晶圆代工战略型产品。作为全球竞争实力强大的无晶圆厂半导体公司(韩国成立第1家公司),还是三星晶圆代工战略合作伙伴之一,可提供世界一流的产品和服务。 查看更多
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 4
本文由覃晓莉提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
评论
全部评论(4)
-
用户34169263 Lv7. 资深专家 2024-11-27学习下
-
小云帆 Lv7. 资深专家 2024-01-30学习了
-
每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2023-11-23学习学习
-
恋曲 Lv4. 资深工程师 2023-11-19学习
相关推荐
凌讯微电子授权世强硬创代理,平台新增国产超结MOS/SiC/IGBT等功率器件
近年来,国产功率半导体已在众多领域应用,特别是中高端产品,如超结MOSFET、IGBT、碳化硅等,市场逐渐从依赖进口向国内自给自足转变。 为服务更多硬科技企业实现国产化替代,功率半导体器件制造商广东凌讯微电子有限公司(下称“凌讯微电子”,英文名:LXMICRO)授权世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)代理,进一步扩大国产功率器件市场应用。 资料显示,凌讯微电子(LXMICRO)功
【选型】东科半导体(DK)AC-DC交直流隔离式副边反馈开关/隔离式原边反馈开关/非隔离开关/同步整流开关芯片和充电器芯片选型指南
目录- 企业简介 AC-DC和同步整流产品线 机顶盒/家电/适配器/充电器/照明应用产品示意图 AC-DC/同步整流产品特性参数表 交直流隔离式副边反馈开关电源转换芯片 交直流隔离式原边反馈开关电源转换芯片 交直流非隔离开关电源转换芯片 交直流同步整流开关电源控制芯片 充电器芯片
型号- DK5V60R20C,DK5V45R15ST1,DK5V60R20D,45R25,DK5V45R25C,60R20,DK5V85R15S,DK5V45R25D,60R25,DK212,DK2X010,DKX036,DK5V120R10ST1,120R15,DK218,DK5V45RXXP,DKS024,DK5V45RXXM,120R10,DK5V45RXXS,DK5V100R10ST1,DK5V100R25M,45R20,DK5V85R20D,DK5V85R20C,100R05,DK5V100R25S,DK5V85R10ST1,45R15,DK5V60R15D,45R10,DK5V150R20S,100R20,DK5V45R10ST1,DK5V60R15S,DK5V100R15C,DK5V100R15D,DK5V60R30S,DK5V45R25P,DK112B,DK5V85R15D,DK5V45R25S,DKS036,DK112A,DK5V150R25ST1,DK5V85R15C,100R10,DK5V60R15C,100R15,120R05,45R05,DK5V150R15S,DK5V100RXXC,45R03,DK5V100RXXD,DK5V150R15ST1,DK5V100R25ST1,DK5V120RXXST1,DK2300,DK5V150RXXST1,DK5V85R10C,DKX012,DK5V60R25S,DK5V45R10M,DK1203B,DK5V45R10S,DK1203A,DK5V85R10D,DK5V100R25D,DK5V100R05ST1,DK5V60R25C,DK5V60R25D,DK5V45RXXC,DK5V45RXXD,DK265,DK5V85R20S,DK5V100R25C,DK5V100RXXS,DKX024,DKS012,150R15,DK5V60RXXS,DK5V45R05ST1,150R10,DK5V100RXXM,DK5V60RXXD,DK5V150R25S,DK5V100R10C,DK5V100R10D,DK5V60RXXC,DK136,DK5V45R05M,DK412,DK5V85RXXD,DKS065,DK5V85RXXC,85R05,DK935,DK938,85R03,150R25,DK5V45R20P,DK5V45R20S,DK236M,DK5V45RXXST1,DK5V85RXXST1,DK212M,DK5V120RXXM,DK224M,DK5V85R10S,DK5V150RXXS,DK5V120R20ST1,DK5V45R20ST1,DK5V100R20ST1,DK1203,DK5V45R10C,DK125,DK124,DK5V45R10D,DK245,DK5V60R10S,DK1208,DK5V100R10S,DK924,DK5V150R25M,DK5V100R10M,DK5V60R10C,DK5V60R10D,DK5V100R20C,DK5V100R20D,DK5V120R25ST1,DK5V85R25S,DK5V45R15D,DK5V45R15C,DK2100,DK112,60R03,DK2500,60R05,DKX065,DK5V100RXXST1,DK236,DK910,DK912,DK913,85R25,DK5V100R15M,DK918,DK218M,100R25,85R20,DK5V100R15S,DK5V150RXXM,DK5V85RXXS,DK5V150R10S,60R10,DK224,DK5V45R20D,60R15,DK5V45R20C,DK501,DK106,DK502,DK5V85R25D,DK5V60R20S,DK5V45R15M,120R25,DK903,DK5V100R20S,120R20,DK905,DK5V85R25C,DK5V100R15ST1,DK5V45R15S,85R15,DK5V85R15ST1,DK906,85R10,DK908,DK5V100R20M
HMS13N65D/Q 650V超结MOSFET
描述- 该资料介绍了650V Super-Junction MOSFET HMS13N65D/Q的产品特性、应用领域、订购信息和电气特性。该器件具有低RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性,适用于电信和电源供应。
型号- HMS13N65D,HMS13N65Q,HMS13N65
美浦森半导体携新款超高压VDMOS、超高压多层外延超结MOS等产品亮相2024慕尼黑上海电子展
2024慕尼黑上海电子展(electronica China)将于7月8日-10日在上海新国际博览中心举办。美浦森半导体在本次展会中推出了超高压VDMOS、超高压多层外延超结MOS、中低压SGT MOS产品系列。
HMS15N65D/Q 650V超结MOSFET
描述- 该资料介绍了650V Super-Junction MOSFET HMS15N65的产品特性、应用领域和订购信息。该器件具有低RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性,适用于电信和电源供应。
型号- HMS15N65D,HMS15N65D-TO263,HMS15N65Q-DFN5*6-HF,HMS15N65D-TO263-HF,HMS15N65,HMS15N65Q-DFN5*6,HMS15N65Q
鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛,为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务
鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛,产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。
HI-SEMICON(深鸿盛)场效应管(MOSFET)选型表
目录- 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs
型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C
HMS11N70 650V超结MOSFET
描述- HMS11N70是一款650V Super-Junction MOSFET,具有低RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性。该器件提供极快的体二极管和强大的性能,适用于电信和电源供应。
型号- HMS11N70D XXXX,HMS11N70D,HMS11N70,HMS11N70Q XXXX,HMS11N70Q
CRMICRO推出一系列可靠、高效的高压及低压MOSFET,满足智能手机和平板电脑等充电器的需求
为满足当下智能手机和平板电脑等充电器的需求,CRMICRO推出了一系列可靠、高效的高压及低压MOSFET。多种封装形式如DFN8*8、DFN5*6等可满足终端应用小尺寸外形的需求。
萨科微的产品涉及了多少种类?——涵盖从功率半导体器件到电源模块的广泛范围
萨科微的产品涵盖了几十个种类,SKU(库存单位)超过2000款。这些产品涵盖了从功率半导体器件到电源模块的广泛范围。
新洁能Gen.4超结MOSFET 500V产品系列,具有损耗低、可靠性高等性能优势
本次NCE新洁能重点介绍的是Gen.4超结MOSFET 500V产品系列。500V产品系列涵盖导通电阻从110mohm至2200mohm多个产品规格。500V电压平台还开发了具有快速恢复体二极管特性的F系列产品,该系列产品通过优化体二极管特性,减小反向恢复电荷和反向恢复时间,提升了体二极管反向恢复速度。在LLC等桥式电路中具有损耗低、可靠性高的性能优势。
芯派科技(SEMIPOWER)Samwin®MOSFET选型表
目录- IGBT 低压MOS管 中压MOS管 高压平面MOS管 高压超结MOS管
型号- SW100N60K3F,SW6N80MA,SW056R68E7T,SW7N70B,SW072R10VS,SW20N65KL4,SW48N60K3F,SW038R10VS,SW030R68E8T,SW050R68E8T,SW4N60M,SW030R04VLT,SW18N50M,SW051R03VLT,SW062R08E8T,SW70N65KLF,SW7N70M,SW75T065GFS,SW10N70M,SW078R08E8T,SW15N65B,SW083R06VLS,SW20N20M,SW640M,SW830M,SW076R68E7T,SW12N80KL,SW8N65MA,SW7N65KL,SW050R10E8S,SW050R06VLS,SW12N70M,SW010R85E8S,SW050R85E8S,SW230R10VS,SW029R68E8T,SW9N25M,SW020R10E8S,SW11N65K3,SW20N65M,SW023R85E8S,SW13N50M,SW2N65B,SW7N80M,SW016R03VLT,SW6N90M,SW11N65KL,SW1N60M,SW8205,SW046R68E8T,SW070R08E7T,SW046R85E8S,SW088R08E8T,SW2N40M,SW14N65KL,SW017R03VLT,SW16N70M,SW40N60K3F,SW7N65M,SW18N65B,SW086R68E7T,SW630M,SW038R13E8S,SW18N65M,SW026R04VLT,SW028P04,SW9N90P,SW015R03VLT,SW025R03VLT,SW9N65K3,SW380P03V7T,SW4N80M,SW018R03VLT,SW028P04VT,SW35N65KL4F,SW120R06VLS,SW14N65KL4,SW740M,SW047R04VLT,SW046R08E9T,SW062R68E7T,SW6N80M,SW6N80P,SW12N65M,SW4N65M,SW050R85E7S,SW052R06VS,SW068R68E7T,SW020R03VLT,SW040R03VLT,SW350R06VT,SW20N65KL,SW14N65M,SW9N50M,SW064R10VLS,SW058R15E8S,SW046R08E8T,SW20N50B,SW10N65M,SW030R85E8S,SW4N60TF,SW030R06VLS,SW4N70L,SW030R10E8S,SW3N90P,SW210R06VLS,SW165R02VLT,SW6N70M,SW8N65M,SW013R10E8S,SW023R04VLT,SW50P04,SW028R02VLT,SW036R10E8S,SW068R08E8T,SW10N80M,SW065R03VLT,SW5N65K3,SW054R85E8S,SW8N65K3,SW030R03VLT,SW30P04,SW75T120GFS,SW050R95E8S,SW8N65B,SW10N80K3
【选型】PFC电源应用上推荐Multi-EPI超结MOSFET,耐压高、耐电流冲击能力强、雪崩能量高
PFC对电路中MOS要求高的主要原因在于:(1)PFC输入电压范围很宽,要求MOSFET的耐压足够高,一般选用600V/650V耐压MOS;(2)PFC电路启动时由于控制环路响应问题,启动时电流尖峰较大,对于MOSFET耐电流冲击能力要求较高;(3)MOS管与感性负载连接,对EAS(雪崩能量)要求高。国产无锡紫光微Multi-EPI超结MOSFET很适合此处应用,本文以TPP65R170M说明。
SKJ91N60-T7 600V N沟道超结MOSFET
描述- 本资料介绍了SKJ91N60-T7型号的600V N-Channel Super-Junction MOSFET的产品特性、应用领域和典型性能。该产品采用Super-Junction技术,具有低导通电阻、高效率、快速开关和超快体二极管等特点,适用于LED、LCD、PDP电视和显示器照明、太阳能、可再生能源、UPS微型逆变器系统、充电器和电源等领域。
型号- SKJ91N60-T7
电子商城
服务
![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2022/06/4054be762db52478dcafe7a697974170.png)
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2021/11/df98b1856ba85dd4a335b7a91aae2b04.png)
可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm;制冷功率高达258W,工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温,产品寿命达10年,在20~95℃范围内,达上百万次的冷热循环。
最小起订量: 500pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论